ເປັນຫຍັງມັນຈຶ່ງເປັນເລື່ອງຍາກສະເໝີທີ່ຈະທົດສອບການໃຊ້ MOSFET ພະລັງງານສູງ ແລະປ່ຽນແທນດ້ວຍ multimeter?

ກ່ຽວກັບ MOSFET ພະລັງງານສູງໄດ້ເປັນຫນຶ່ງໃນວິສະວະກອນກະຕືລືລົ້ນໃນການສົນທະນາຫົວຂໍ້, ດັ່ງນັ້ນພວກເຮົາໄດ້ຈັດຕັ້ງຄວາມຮູ້ທົ່ວໄປແລະບໍ່ທໍາມະດາຂອງMOSFET, ຂ້າພະເຈົ້າຫວັງວ່າຈະຊ່ວຍໃຫ້ວິສະວະກອນ. ໃຫ້ເວົ້າກ່ຽວກັບ MOSFET, ອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນຫຼາຍ!

ປ້ອງກັນສະຖິດ

MOSFET ພະລັງງານສູງເປັນທໍ່ສົ່ງຜົນກະທົບພາກສະຫນາມປະຕູ insulated, ປະຕູຮົ້ວແມ່ນບໍ່ມີວົງຈອນໃນປະຈຸບັນໂດຍກົງ, impedance ຂາເຂົ້າແມ່ນສູງທີ່ສຸດ, ມັນງ່າຍຫຼາຍທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການລວມຕົວຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ static, ຜົນອອກມາໃນແຮງດັນສູງຈະເປັນປະຕູຮົ້ວແລະແຫຼ່ງຂອງ. ຊັ້ນ insulating ລະຫວ່າງການທໍາລາຍ.

ການຜະລິດຕົ້ນໆຂອງ MOSFET ສ່ວນໃຫຍ່ບໍ່ມີມາດຕະການຕ້ານການສະຖິດ, ສະນັ້ນຄວນລະມັດລະວັງຫຼາຍໃນການຮັກສາແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ, ໂດຍສະເພາະ MOSFETs ພະລັງງານຂະຫນາດນ້ອຍ, ເນື່ອງຈາກພະລັງງານ input MOSFET ຂະຫນາດນ້ອຍແມ່ນຂ້ອນຂ້າງຫນ້ອຍ, ເມື່ອສໍາຜັດກັບໄຟຟ້າສະຖິດຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການໄຟຟ້າສະຖິດ. ແຮງດັນທີ່ສູງຂຶ້ນ, ໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍເກີດຈາກການທໍາລາຍ electrostatic.

ການປັບປຸງໃຫມ່ຂອງ MOSFET ພະລັງງານສູງທີ່ຜ່ານມາແມ່ນມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ກ່ອນອື່ນຫມົດ, ເນື່ອງຈາກການເຮັດວຽກຂອງ input capacitance ຂະຫນາດໃຫຍ່ຍັງຂະຫນາດໃຫຍ່, ດັ່ງນັ້ນການຕິດຕໍ່ກັບໄຟຟ້າສະຖິດມີຂະບວນການສາກໄຟ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ແຮງດັນໄຟຟ້າຂະຫນາດນ້ອຍ, ເຮັດໃຫ້ເກີດການແຕກຫັກ. ຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນອີກເທື່ອຫນຶ່ງ, ໃນປັດຈຸບັນ MOSFET ພະລັງງານສູງຢູ່ໃນປະຕູຮົ້ວພາຍໃນແລະແຫຼ່ງຂອງປະຕູຮົ້ວແລະແຫຼ່ງຂອງເຄື່ອງຄວບຄຸມ DZ, static. embedded ໃນການປົກປ້ອງຄ່າ regulator diode voltage regulator ຂ້າງລຸ່ມນີ້, ປະສິດທິຜົນປົກປັກຮັກສາປະຕູຮົ້ວແລະແຫຼ່ງຂອງຊັ້ນ insulating, ພະລັງງານທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ຮູບແບບທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງ MOSFET ການປົກປ້ອງ regulator diode ແຮງດັນ regulator ມູນຄ່າແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ.

ເຖິງແມ່ນວ່າມາດຕະການປ້ອງກັນພາຍໃນຂອງ MOSFET ທີ່ມີພະລັງງານສູງ, ພວກເຮົາຄວນປະຕິບັດການປະຕິບັດຕາມຂັ້ນຕອນການປະຕິບັດການຕ້ານການສະຖິດ, ເຊິ່ງເປັນພະນັກງານບໍາລຸງຮັກສາທີ່ມີຄຸນວຸດທິຄວນມີ.

ການກວດຫາແລະການທົດແທນ

ໃນ​ການ​ສ້ອມ​ແປງ​ໂທລະ​ທັດ​ແລະ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ໄຟ​ຟ້າ​, ຈະ​ພົບ​ກັບ​ຄວາມ​ເສຍ​ຫາຍ​ຂອງ​ອົງ​ປະ​ກອບ​ທີ່​ຫຼາກ​ຫຼາຍ​,MOSFETແມ່ນຢູ່ໃນບັນດາພວກມັນ, ເຊິ່ງແມ່ນວິທີທີ່ພະນັກງານບໍາລຸງຮັກສາຂອງພວກເຮົາໃຊ້ multimeter ທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປເພື່ອກໍານົດ MOSFET ດີແລະບໍ່ດີ, ດີແລະບໍ່ດີ. ໃນການທົດແທນ MOSFET ຖ້າບໍ່ມີຜູ້ຜະລິດດຽວກັນແລະຮູບແບບດຽວກັນ, ວິທີການທົດແທນບັນຫາ.

1, ການທົດສອບ MOSFET ພະລັງງານສູງ:

ໃນຖານະເປັນພະນັກງານສ້ອມແປງໂທລະທັດໄຟຟ້າທົ່ວໄປໃນການວັດແທກຂອງ transistors ໄປເຊຍກັນຫຼື diodes, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວການນໍາໃຊ້ multimeter ທໍາມະດາເພື່ອກໍານົດ transistors ດີແລະບໍ່ດີຫຼື diodes, ເຖິງແມ່ນວ່າການຕັດສິນຂອງຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າຂອງ transistor ຫຼື diode ບໍ່ສາມາດຢືນຢັນໄດ້, ແຕ່ຕາບໃດທີ່. ວິທີການແມ່ນຖືກຕ້ອງສໍາລັບການຢືນຢັນຂອງ transistors ໄປເຊຍກັນ "ດີ" ແລະ "ບໍ່ດີ" ຫຼື "ບໍ່ດີ" ສໍາລັບການຢືນຢັນຂອງ transistors ໄປເຊຍກັນ. "ບໍ່ດີ" ຫຼືບໍ່ມີບັນຫາ. ເຊັ່ນດຽວກັນ, MOSFET ຍັງສາມາດເປັນ

ເພື່ອນໍາໃຊ້ multimeter ເພື່ອກໍານົດ "ດີ" ແລະ "ບໍ່ດີ", ຈາກການບໍາລຸງຮັກສາທົ່ວໄປ, ຍັງສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການ.

ການກວດຫາຕ້ອງໃຊ້ multimeter ປະເພດ pointer (ເຄື່ອງວັດແທກດິຈິຕອນບໍ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການວັດແທກອຸປະກອນ semiconductor). ສໍາລັບທໍ່ສະຫຼັບ MOSFET ປະເພດພະລັງງານແມ່ນການເພີ່ມປະສິດທິພາບ N-channel, ຜະລິດຕະພັນຂອງຜູ້ຜະລິດເກືອບທັງຫມົດແມ່ນໃຊ້ຮູບແບບຊຸດ TO-220F ດຽວກັນ (ຫມາຍເຖິງການສະຫນອງພະລັງງານສະຫຼັບສໍາລັບພະລັງງານຂອງ 50-200W ຂອງທໍ່ສະຫຼັບຜົນກະທົບພາກສະຫນາມ) , ສາມ electrode ຈັດແມ່ນຍັງສອດຄ່ອງ, ນັ້ນແມ່ນ, ສາມ

ປັກໝຸດລົງ, ພິມຕົວແບບຫັນໜ້າກັບຕົວຕົນ, ປັກໝຸດຊ້າຍສຳລັບປະຕູ, ເຂັມທົດສອບທີ່ຖືກຕ້ອງສຳລັບແຫຼ່ງ, ເຂັມກາງສຳລັບລະບາຍນ້ຳ.

(1​) multimeter ແລະ​ການ​ກະ​ກຽມ​ທີ່​ກ່ຽວ​ຂ້ອງ​:

ກ່ອນອື່ນ ໝົດ, ກ່ອນທີ່ຈະວັດແທກຄວນສາມາດໃຊ້ multimeter, ໂດຍສະເພາະແມ່ນການ ນຳ ໃຊ້ຂອງເກຍໂອມ, ເພື່ອເຂົ້າໃຈບລັອກ ohm ຈະເປັນການ ນຳ ໃຊ້ທີ່ຖືກຕ້ອງຂອງບລັອກ ohm ເພື່ອວັດແທກ transistor ໄປເຊຍກັນ.MOSFET.

ກັບ multimeter ohm block ohm ສູນກາງຂະຫນາດບໍ່ສາມາດມີຂະຫນາດໃຫຍ່ເກີນໄປ, ມັກຫນ້ອຍກ່ວາ 12 Ω (ຕາຕະລາງ 500 ປະເພດສໍາລັບ 12 Ω), ດັ່ງນັ້ນໃນ R × 1 ຕັນສາມາດມີຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນປະຈຸບັນ, ສໍາລັບ PN junction ຂອງຕໍ່ຫນ້າ. ຄຸນລັກສະນະຂອງການພິພາກສາແມ່ນຖືກຕ້ອງກວ່າ. Multimeter R × 10K block ຫມໍ້ໄຟພາຍໃນແມ່ນດີທີ່ສຸດຫຼາຍກ່ວາ 9V, ດັ່ງນັ້ນໃນການວັດແທກການຮົ່ວໄຫຼຂອງ PN junction inverse ແມ່ນຖືກຕ້ອງຫຼາຍ, ຖ້າບໍ່ດັ່ງນັ້ນການຮົ່ວໄຫລບໍ່ສາມາດວັດແທກໄດ້.

ໃນປັດຈຸບັນເນື່ອງຈາກຄວາມຄືບຫນ້າຂອງຂະບວນການຜະລິດ, ການກວດສອບໂຮງງານຜະລິດ, ການທົດສອບແມ່ນເຄັ່ງຄັດຫຼາຍ, ພວກເຮົາໂດຍທົ່ວໄປຕັດສິນຕາບໃດທີ່ຄໍາຕັດສິນຂອງ MOSFET ບໍ່ໄດ້ຮົ່ວໄຫຼ, ບໍ່ທໍາລາຍໂດຍຜ່ານວົງຈອນສັ້ນ, ພາຍໃນບໍ່ວົງຈອນ, ສາມາດເປັນ. ຂະຫຍາຍອອກໄປ, ວິທີການແມ່ນງ່າຍດາຍທີ່ສຸດ:

ການນໍາໃຊ້ multimeter R × 10K block; R × 10K block ຫມໍ້ໄຟພາຍໃນໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນ 9V ບວກ 1.5V ກັບ 10.5V ແຮງດັນນີ້ໂດຍທົ່ວໄປຖືກຕັດສິນວ່າເປັນການຮົ່ວໄຫຼ inversion PN junction ພຽງພໍ, pen ສີແດງຂອງ multimeter ແມ່ນທ່າແຮງທາງລົບ (ເຊື່ອມຕໍ່ກັບ terminal ລົບຂອງຫມໍ້ໄຟພາຍໃນ), ໄດ້. ປາກກາສີດໍາຂອງ multimeter ແມ່ນທ່າແຮງໃນທາງບວກ (ເຊື່ອມຕໍ່ກັບຈຸດບວກຂອງຫມໍ້ໄຟພາຍໃນ).

(2​) ຂັ້ນ​ຕອນ​ການ​ທົດ​ສອບ​:

ເຊື່ອມຕໍ່ປາກກາສີແດງກັບແຫຼ່ງຂອງ MOSFET S; ເຊື່ອມຕໍ່ປາກກາສີດໍາກັບທໍ່ລະບາຍນ້ໍາຂອງ MOSFET D. ໃນເວລານີ້, ຕົວຊີ້ວັດຂອງເຂັມຄວນຈະເປັນ infinity. ຖ້າມີດັດຊະນີ ohmic, ຊີ້ໃຫ້ເຫັນວ່າທໍ່ພາຍໃຕ້ການທົດສອບມີປະກົດການຮົ່ວໄຫຼ, ທໍ່ນີ້ບໍ່ສາມາດໃຊ້ໄດ້.

ຮັກສາລັດຂ້າງເທິງ; ໃນເວລານີ້ດ້ວຍຕົວຕ້ານທານ 100K ~ 200K ເຊື່ອມຕໍ່ກັບປະຕູຮົ້ວແລະລະບາຍນ້ໍາ; ໃນເວລານີ້, ເຂັມຄວນຊີ້ບອກຈໍານວນຂອງ ohms ຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າທີ່ດີກວ່າ, ໂດຍທົ່ວໄປສາມາດໄດ້ຮັບການຊີ້ບອກເຖິງ 0 ohms, ໃນເວລານີ້ມັນເປັນການຮັບຜິດຊອບໃນທາງບວກໂດຍຜ່ານຕົວຕ້ານທານ 100K ກ່ຽວກັບການສາກໄຟປະຕູ MOSFET, ສົ່ງຜົນໃຫ້ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າປະຕູ, ເນື່ອງຈາກ. ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າທີ່ສ້າງຂຶ້ນໂດຍຊ່ອງທາງ conductive ເຮັດໃຫ້ເກີດການລະບາຍນ້ໍາແລະແຫຼ່ງ conduction, ສະນັ້ນການ deflection ເຂັມ multimeter, ມຸມ deflection ແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່ (ດັດຊະນີ Ohm ແມ່ນຂະຫນາດນ້ອຍ) ກັບ. ພິສູດວ່າປະສິດທິພາບການໄຫຼອອກແມ່ນດີ.

ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບຕົວຕ້ານທານໄດ້ໂຍກຍ້າຍ, ຫຼັງຈາກນັ້ນຕົວຊີ້ multimeter ຄວນຈະເປັນ MOSFET ຢູ່ໃນດັດຊະນີຍັງບໍ່ປ່ຽນແປງ. ເຖິງແມ່ນວ່າ resistor ທີ່ຈະເອົາໄປ, ແຕ່ເນື່ອງຈາກວ່າ resistor ກັບປະຕູຮົ້ວຂອງຄ່າບໍລິການບໍ່ໄດ້ຫາຍໄປ, ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າຂອງປະຕູຮົ້ວສືບຕໍ່ຮັກສາຊ່ອງທາງ conductive ພາຍໃນແມ່ນຍັງຮັກສາໄວ້, ຊຶ່ງເປັນຄຸນລັກສະນະຂອງປະເພດປະຕູຮົ້ວ insulated MOSFET.

ຖ້າຕົວຕ້ານທານທີ່ຈະເອົາໄປເຂັມຈະຊ້າໆແລະຄ່ອຍໆກັບຄືນໄປສູ່ຄວາມຕ້ານທານສູງຫຼືແມ້ກະທັ້ງກັບຄືນສູ່ infinity, ເພື່ອພິຈາລະນາວ່າການຮົ່ວໄຫຼຂອງປະຕູທໍ່ທີ່ວັດແທກໄດ້.

ໃນເວລານີ້ດ້ວຍສາຍ, ເຊື່ອມຕໍ່ກັບປະຕູຮົ້ວແລະແຫຼ່ງຂອງທໍ່ພາຍໃຕ້ການທົດສອບ, ຕົວຊີ້ຂອງ multimeter ທັນທີກັບຄືນສູ່ infinity. ການເຊື່ອມຕໍ່ຂອງສາຍໄຟເພື່ອໃຫ້ MOSFET ວັດແທກ, ການປ່ອຍຄ່າບໍລິການປະຕູ, ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າພາຍໃນຫາຍໄປ; ຊ່ອງທາງ conductive ຍັງຫາຍໄປ, ດັ່ງນັ້ນການລະບາຍນ້ໍາແລະແຫຼ່ງລະຫວ່າງການຕໍ່ຕ້ານແລະກາຍເປັນບໍ່ມີຂອບເຂດ.

2, ການທົດແທນ MOSFET ພະລັງງານສູງ

ໃນການສ້ອມແປງໂທລະທັດແລະອຸປະກອນໄຟຟ້າທຸກປະເພດ, ປະເຊີນກັບຄວາມເສຍຫາຍຂອງອົງປະກອບຄວນໄດ້ຮັບການທົດແທນດ້ວຍອົງປະກອບປະເພດດຽວກັນ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ບາງຄັ້ງອົງປະກອບດຽວກັນບໍ່ໄດ້ຢູ່ໃນມື, ມັນຈໍາເປັນຕ້ອງໃຊ້ປະເພດອື່ນທົດແທນ, ດັ່ງນັ້ນພວກເຮົາຕ້ອງຄໍານຶງເຖິງທຸກດ້ານຂອງການປະຕິບັດ, ຕົວກໍານົດການ, ຂະຫນາດ, ແລະອື່ນໆ, ເຊັ່ນ: ໂທລະທັດພາຍໃນທໍ່ຜົນຜະລິດສາຍ, ເປັນ. ຕາບ​ໃດ​ທີ່​ການ​ພິ​ຈາ​ລະ​ນາ​ຂອງ​ແຮງ​ດັນ​, ປະ​ຈຸ​ບັນ​, ພະ​ລັງ​ງານ​ໂດຍ​ທົ່ວ​ໄປ​ຈະ​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ທົດ​ແທນ (ທໍ່​ອອກ​ເສັ້ນ​ເກືອບ​ຂະ​ຫນາດ​ດຽວ​ກັນ​ຂອງ​ຮູບ​ລັກ​ສະ​ນະ​)​, ແລະ​ພະ​ລັງ​ງານ​ມີ​ແນວ​ໂນ້ມ​ທີ່​ຈະ​ໃຫຍ່​ແລະ​ດີກ​ວ່າ​.

ສໍາລັບການທົດແທນ MOSFET, ເຖິງແມ່ນວ່າຫຼັກການນີ້, ມັນເປັນການດີທີ່ສຸດທີ່ຈະ prototype ທີ່ດີທີ່ສຸດ, ໂດຍສະເພາະ, ບໍ່ດໍາເນີນການພະລັງງານທີ່ຈະຂະຫນາດໃຫຍ່, ເນື່ອງຈາກວ່າພະລັງງານແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່; input capacitance ຂະຫນາດໃຫຍ່, ການປ່ຽນແປງແລະວົງຈອນ excitation ບໍ່ກົງກັນກັບ excitation ຂອງ charger ຈໍາກັດປະຈຸບັນ resistor ຂອງວົງຈອນຊົນລະປະທານຂອງຂະຫນາດຂອງຄ່າຄວາມຕ້ານທານແລະ input capacitance ຂອງ MOSFET ແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບການຄັດເລືອກຂອງພະລັງງານຂະຫນາດໃຫຍ່ເຖິງວ່າຈະມີ. ຄວາມອາດສາມາດຂອງຂະຫນາດໃຫຍ່, ແຕ່ວ່າ input capacitance ຍັງມີຂະຫນາດໃຫຍ່, ແລະ input capacitance ຍັງໃຫຍ່, ແລະພະລັງງານບໍ່ໃຫຍ່.

Input capacitance ຍັງມີຂະຫນາດໃຫຍ່, ວົງຈອນການກະຕຸ້ນບໍ່ດີ, ເຊິ່ງຈະເຮັດໃຫ້ການປະຕິບັດການເປີດແລະປິດ MOSFET ຮ້າຍແຮງກວ່າເກົ່າ. ສະ​ແດງ​ໃຫ້​ເຫັນ​ການ​ທົດ​ແທນ​ຂອງ​ຕົວ​ແບບ​ທີ່​ແຕກ​ຕ່າງ​ກັນ​ຂອງ MOSFETs​, ໂດຍ​ຄໍາ​ນຶງ​ເຖິງ​ຄວາມ​ສາ​ມາດ​ປ້ອນ​ຂໍ້​ມູນ​ຂອງ​ຕົວ​ກໍາ​ນົດ​ການ​ນີ້​.

ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ມີ 42 ນິ້ວ LCD TV backlight ກະດານແຮງດັນສູງຄວາມເສຍຫາຍ, ຫຼັງຈາກການກວດສອບຄວາມເສຍຫາຍ MOSFET ພະລັງງານສູງພາຍໃນ, ເນື່ອງຈາກວ່າບໍ່ມີຈໍານວນ prototype ຂອງການທົດແທນ, ທາງເລືອກຂອງແຮງດັນ, ປະຈຸບັນ, ພະລັງງານບໍ່ຫນ້ອຍກ່ວາ. ການທົດແທນ MOSFET ຕົ້ນສະບັບ, ຜົນໄດ້ຮັບແມ່ນທໍ່ backlight ປະກົດວ່າເປັນ flicker ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (ຄວາມຫຍຸ້ງຍາກໃນການເລີ່ມຕົ້ນ), ແລະສຸດທ້າຍໄດ້ທົດແທນດ້ວຍປະເພດດຽວກັນຂອງຕົ້ນສະບັບເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາ.

ກວດພົບຄວາມເສຍຫາຍຂອງ MOSFET ທີ່ມີພະລັງງານສູງ, ການທົດແທນອົງປະກອບ peripheral ຂອງວົງຈອນ perfusion ຂອງມັນຍັງຕ້ອງໄດ້ຮັບການທົດແທນ, ເນື່ອງຈາກວ່າຄວາມເສຍຫາຍຂອງ MOSFET ອາດຈະເປັນອົງປະກອບວົງຈອນ perfusion ທີ່ບໍ່ດີທີ່ເກີດຈາກຄວາມເສຍຫາຍຂອງ MOSFET. ເຖິງແມ່ນວ່າ MOSFET ຕົວຂອງມັນເອງໄດ້ຮັບຄວາມເສຍຫາຍ, ໃນເວລານີ້ MOSFET ແຕກລົງ, ອົງປະກອບຂອງວົງຈອນ perfusion ຍັງເປັນອັນຕະລາຍແລະຄວນໄດ້ຮັບການປ່ຽນແທນ.

ຄືກັນກັບວ່າພວກເຮົາມີຕົ້ນສະບັບການສ້ອມແປງທີ່ສະຫລາດຫຼາຍໃນການສ້ອມແປງການສະຫນອງພະລັງງານສະຫຼັບ A3; ຕາບໃດທີ່ທໍ່ສະຫຼັບໄດ້ຖືກພົບເຫັນວ່າແຕກຫັກ, ມັນຍັງເປັນດ້ານຫນ້າຂອງທໍ່ກະຕຸ້ນ 2SC3807 ພ້ອມກັບການທົດແທນດ້ວຍເຫດຜົນດຽວກັນ (ເຖິງແມ່ນວ່າທໍ່ 2SC3807, ການວັດແທກດ້ວຍ multimeter ແມ່ນດີ).