ສາມພາລະບົດບາດຕົ້ນຕໍຂອງ MOSFETs

MOSFET ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວສາມພາລະບົດບາດຕົ້ນຕໍແມ່ນວົງຈອນຂະຫຍາຍ, ຜົນຜະລິດໃນປະຈຸບັນຄົງທີ່ແລະການດໍາເນີນການສະຫຼັບ.

1, ວົງຈອນຂະຫຍາຍ

MOSFET ມີ impedance ຂາເຂົ້າສູງ, ສຽງຕ່ໍາແລະລັກສະນະອື່ນໆ, ສະນັ້ນ, ມັນມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ເປັນການຂະຫຍາຍຫຼາຍຂັ້ນຕອນຂອງຂັ້ນຕອນຂອງການປ້ອນຂໍ້ມູນໃນປະຈຸບັນ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ transistor, ອີງຕາມວົງຈອນ input ແລະ output ທົ່ວໄປຂອງທາງເລືອກ. ຂອງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ສາມາດແບ່ງອອກເປັນສາມລັດຂອງວົງຈອນການໄຫຼຂອງMOSFET, ຕາມລໍາດັບ, ແຫຼ່ງທົ່ວໄປ, ການຮົ່ວໄຫລສາທາລະນະແລະປະຕູຮົ້ວທົ່ວໄປ. ຕົວເລກຕໍ່ໄປນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວົງຈອນການຂະຫຍາຍແຫຼ່ງທົ່ວໄປຂອງ MOSFET, ໃນທີ່ Rg ແມ່ນຕົວຕ້ານທານປະຕູ, ການຫຼຸດລົງແຮງດັນ Rs ຖືກເພີ່ມໃສ່ປະຕູ; Rd ແມ່ນ resistor ລະບາຍ, ກະແສໄຟຟ້າຖືກປ່ຽນເປັນແຮງດັນລະບາຍ, ຜົນກະທົບຕໍ່ການຂະຫຍາຍຕົວຄູນ Au; Rs ແມ່ນຕົວຕ້ານທານແຫຼ່ງ, ສະຫນອງແຮງດັນທີ່ມີຄວາມລໍາອຽງສໍາລັບປະຕູ; C3 ແມ່ນຕົວເກັບປະຈຸ bypass, ລົບລ້າງການຫຼຸດຫນ້ອຍລົງຂອງສັນຍານ AC ໂດຍ Rs.

2, ວົງຈອນແຫຼ່ງໃນປະຈຸບັນ

ແຫຼ່ງປະຈຸບັນຄົງທີ່ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການທົດສອບ metrological, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບຂ້າງລຸ່ມນີ້, ມັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍ.MOSFETວົງຈອນແຫຼ່ງໃນປະຈຸບັນຄົງທີ່, ເຊິ່ງສາມາດນໍາໃຊ້ເປັນຂະບວນການປັບຂະຫນາດເຄື່ອງວັດແທກແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າ. ເນື່ອງຈາກ MOSFET ເປັນອຸປະກອນຄວບຄຸມປະເພດແຮງດັນ, ປະຕູຮົ້ວຂອງມັນເກືອບບໍ່ໃຊ້ກະແສໄຟຟ້າ, ແຮງດັນຂາເຂົ້າແມ່ນສູງຫຼາຍ. ຖ້າຜົນຜະລິດໃນປະຈຸບັນຄົງທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ແມ່ນຕ້ອງການທີ່ຈະປັບປຸງຄວາມຖືກຕ້ອງ, ການປະສົມປະສານຂອງແຫຼ່ງອ້າງອີງແລະຕົວປຽບທຽບສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຜົນທີ່ຕ້ອງການ.

3, ວົງຈອນສະຫຼັບ

ບົດບາດທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດຂອງ MOSFET ແມ່ນບົດບາດການປ່ຽນ. Switching, ສ່ວນໃຫຍ່ຂອງການຄວບຄຸມການໂຫຼດເອເລັກໂຕຣນິກຕ່າງໆ, ການສະຫຼັບການສະຫນອງພະລັງງານ, ແລະອື່ນໆຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນຂອງທໍ່ MOS ແມ່ນລັກສະນະສະຫຼັບຂອງດີ, ສໍາລັບ.NMOS, Vgs ແມ່ນຫຼາຍກ່ວາມູນຄ່າທີ່ແນ່ນອນຈະດໍາເນີນການ, ນໍາໃຊ້ກັບກໍລະນີຂອງແຫຼ່ງຮາກຖານ, ນັ້ນແມ່ນ, ອັນທີ່ເອີ້ນວ່າໄດຕ່ໍາ, ຕາບໃດທີ່ແຮງດັນປະຕູຮົ້ວຂອງ 4V ຫຼື 10V ສາມາດເປັນ. ສໍາລັບ PMOS, ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, Vgs ຫນ້ອຍກວ່າມູນຄ່າທີ່ແນ່ນອນຈະດໍາເນີນການ, ເຊິ່ງໃຊ້ກັບກໍລະນີທີ່ແຫຼ່ງແມ່ນອີງໃສ່ VCC, ie, high end drive. ເຖິງແມ່ນວ່າ PMOS ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນໄດເວີຊັ້ນສູງ, NMOS ມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນໄດເວີຊັ້ນສູງເນື່ອງຈາກຄວາມຕ້ານທານສູງ, ລາຄາສູງ, ແລະການທົດແທນຈໍານວນຫນ້ອຍ.

ນອກເຫນືອໄປຈາກສາມບົດບາດຕົ້ນຕໍທີ່ໄດ້ກ່າວມາຂ້າງເທິງ, MOSFETs ຍັງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນຕົວຕ້ານທານທີ່ປ່ຽນແປງໄດ້ເພື່ອຮັບຮູ້ຕົວຕ້ານທານທີ່ມີແຮງດັນ, ແລະຍັງມີການນໍາໃຊ້ຫຼາຍ.