ການເຊື່ອມຕໍ່ລະຫວ່າງ MOSFETs ແລະ Field Effect Transistors

ອຸດສາຫະກໍາອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກໄດ້ gotten ກັບບ່ອນທີ່ມັນປະຈຸບັນໂດຍບໍ່ມີການຊ່ວຍເຫຼືອຂອງMOSFETsແລະ Field Effect Transistors. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ສໍາລັບບາງຄົນທີ່ໃຫມ່ໃນອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກ, ມັນມັກຈະງ່າຍທີ່ຈະສັບສົນ MOSFETs ແລະ transistors ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມ. ການເຊື່ອມຕໍ່ຫລັງ MOSFETs ແລະ transistors ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມແມ່ນຫຍັງ? MOSFET ເປັນ transistor ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມຫຼືບໍ່?

ໃນຄວາມເປັນຈິງ, ອີງຕາມການລວມເອົາອົງປະກອບອີເລັກໂທຣນິກເຫຼົ່ານີ້, ກ່າວວ່າ MOSFET ແມ່ນ transistor ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມແມ່ນບໍ່ມີບັນຫາ, ແຕ່ວິທີອື່ນແມ່ນບໍ່ຖືກຕ້ອງ, ນັ້ນແມ່ນ, transistor ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມບໍ່ພຽງແຕ່ປະກອບມີ MOSFET, ແຕ່ຍັງປະກອບມີ. ອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກອື່ນໆ.

transistors ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມສາມາດແບ່ງອອກເປັນທໍ່ junction ແລະ MOSFETs. ເມື່ອປຽບທຽບກັບ MOSFETs, ທໍ່ junctions ຖືກນໍາໃຊ້ຫນ້ອຍລົງເລື້ອຍໆ, ດັ່ງນັ້ນຄວາມຖີ່ຂອງການກ່າວເຖິງທໍ່ junction ແມ່ນຍັງຕໍ່າຫຼາຍ, ແລະ MOSFETs ແລະ transistors ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມມັກຈະຖືກກ່າວເຖິງ, ສະນັ້ນມັນງ່າຍທີ່ຈະໃຫ້ຄວາມເຂົ້າໃຈຜິດວ່າພວກມັນເປັນສ່ວນປະກອບດຽວກັນ.

MOSFETສາມາດແບ່ງອອກເປັນປະເພດການປັບປຸງແລະປະເພດ depletion, ຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງທັງສອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກນີ້ແມ່ນແຕກຕ່າງກັນເລັກນ້ອຍ, ທໍ່ປະເພດການປັບປຸງໃນປະຕູຮົ້ວ (G) ບວກກັບແຮງດັນໄຟຟ້າບວກ, ທໍ່ລະບາຍນ້ໍາ (D) ແລະແຫຼ່ງ (S) ໃນຄໍາສັ່ງທີ່ຈະ. ການປະພຶດ, ໃນຂະນະທີ່ປະເພດ depletion ເຖິງແມ່ນວ່າປະຕູຮົ້ວ (G) ບໍ່ໄດ້ຖືກເພີ່ມເຂົ້າໄປໃນແຮງດັນບວກ, ການລະບາຍ (D) ແລະແຫຼ່ງ (S) ຍັງເປັນ conductive.

ໃນທີ່ນີ້ການຈັດປະເພດຂອງ transistor ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມແມ່ນບໍ່ເກີນ, ແຕ່ລະປະເພດຂອງທໍ່ສາມາດແບ່ງອອກເປັນທໍ່ N-type ແລະທໍ່ P-type, ດັ່ງນັ້ນ transistor ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມສາມາດແບ່ງອອກເປັນຫົກປະເພດຂອງທໍ່ຂ້າງລຸ່ມນີ້, ຕາມລໍາດັບ, N-channel. transistors ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມ junction, P-channel junction field effect transistors, N-channel enhancement field effect transistors, P-channel enhancement field effect transistors, N-channel depletion field effect transistors, ແລະ P-channel depletion type Field Effect Transistors.

ແຕ່ລະອົງປະກອບໃນແຜນວາດວົງຈອນຂອງສັນຍາລັກຂອງວົງຈອນແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ, ສໍາລັບການຍົກຕົວຢ່າງ, ຮູບດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້ລາຍການສັນຍາລັກວົງຈອນຂອງທັງສອງປະເພດຂອງທໍ່ junction, ເລກ 2 ລູກສອນ pin ຊີ້ໄປຫາທໍ່ສໍາລັບ N-channel junction field effect transistor. , ຊີ້ອອກໄປຂ້າງນອກແມ່ນ P-channel junction field effect transistor.

MOSFETແລະຄວາມແຕກຕ່າງຂອງສັນຍາລັກຂອງວົງຈອນທໍ່ junction ແມ່ນຍັງຂ້ອນຂ້າງໃຫຍ່, N-channel depletion type field effect transistor ແລະ P-channel depletion type field effect transistor, ລູກສອນດຽວກັນຊີ້ໄປຫາທໍ່ສໍາລັບ N-type, ຊີ້ອອກໄປຂ້າງນອກແມ່ນທໍ່ P-type. . ເຊັ່ນດຽວກັນ, ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ N-channel enhancement type field effect transistors ແລະ P-channel enhancement type field effect transistors ແມ່ນຍັງອີງໃສ່ການຊີ້ຂອງລູກສອນ, ຊີ້ໄປຫາທໍ່ແມ່ນ N-type, ແລະຊີ້ອອກໄປຂ້າງນອກແມ່ນ P-type.

ການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງ transistors ພາກສະຫນາມ (ລວມທັງ N-type tube ແລະ P-type tube) ແລະ depletion field effect transistors (ລວມທັງ N-type tube ແລະ P-type tube) ສັນຍາລັກວົງຈອນແມ່ນໃກ້ຊິດ. ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງສອງແມ່ນວ່າສັນຍາລັກອັນ ໜຶ່ງ ແມ່ນສະແດງໂດຍເສັ້ນຂີດຕໍ່ແລະອີກອັນ ໜຶ່ງ ໂດຍເສັ້ນແຂງ. ເສັ້ນຈຸດຊີ້ໃຫ້ເຫັນເຖິງການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງ transistor ພາກສະຫນາມແລະເສັ້ນແຂງຊີ້ໃຫ້ເຫັນ transistor ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມ depletion.