ການວິເຄາະພາລາມິເຕີແລະການວັດແທກຂອງ MOSFETs

ມີຫຼາຍປະເພດຂອງຕົວກໍານົດການຕົ້ນຕໍຂອງMOSFET, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍປະຈຸບັນ DC, ຕົວກໍານົດການປະຈຸບັນ AC ແລະກໍານົດຂອບເຂດຈໍາກັດ, ແຕ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປພຽງແຕ່ຕ້ອງການທີ່ຈະບົວລະບັດໃນຕົວກໍານົດການພື້ນຖານດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້: ສະຖານະການອີ່ມຕົວຂອງແຫຼ່ງຮົ່ວໄຫລໃນປະຈຸບັນ IDSS pinch-off voltage Up, transconductance gm, ແຫຼ່ງຮົ່ວໄຫຼ breakdown voltage BUDS, PDSM ພະລັງງານການສູນເສຍທີ່ໃຫຍ່ກວ່າແລະແຫຼ່ງການຮົ່ວໄຫຼທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ IDSM ໃນປັດຈຸບັນ.

1.Saturated ແຫຼ່ງຮົ່ວໄຫຼໃນປະຈຸບັນ

The saturated drain-source current IDSS ຫມາຍຄວາມວ່າກະແສແຫຼ່ງ drain ຢູ່ທີ່ gate voltage UGS = 0 in junction or depletion type insulated-layer gate MOSFETs.

2. ແຮງດັນ Clip-off

ແຮງດັນໄຟຟ້າ pinch-off UP ໝາຍ ເຖິງແຮງດັນໄຟຟ້າຂອງປະຕູຮົ້ວຢູ່ໃນຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ຫຼືປະຕູຊັ້ນ insulated ປະເພດ depletion.MOSFETທີ່ເຮັດໃຫ້ແຫຼ່ງລະບາຍນ້ໍາພຽງແຕ່ຖືກຕັດອອກ. ຄິດອອກວ່າ IDSS ແລະ UP ຫມາຍຄວາມວ່າແນວໃດ.

3, ເປີດແຮງດັນ

ແຮງດັນໄຟຟ້າເປີດ UT ຫມາຍເຖິງແຮງດັນໄຟຟ້າຂອງປະຕູຮົ້ວໃນ MOSFET ປະຕູທີ່ມີ insulated ເສີມເພື່ອໃຫ້ການເຊື່ອມຕໍ່ກັນຂອງທໍ່ລະບາຍນ້ໍາພຽງແຕ່ເປີດ. ຄິດອອກວ່າ UT ຫມາຍຄວາມວ່າແນວໃດ.

4.Cross-guidance

transguide gm ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຊີ້ໃຫ້ເຫັນຄວາມສາມາດຂອງແຮງດັນຂອງແຫຼ່ງປະຕູຮົ້ວເພື່ອຄວບຄຸມກະແສລະບາຍ, ນັ້ນແມ່ນ, ອັດຕາສ່ວນລະຫວ່າງການປ່ຽນແປງຂອງກະແສໄຟຟ້າແລະການປ່ຽນແປງຂອງແຮງດັນຂອງແຫຼ່ງປະຕູ.

5, ການສູນເສຍສູງສຸດຂອງ powe ຜົນຜະລິດr

ພະລັງງານການສູນເສຍສູງສຸດແມ່ນຂຶ້ນກັບພາລາມິເຕີທີ່ຈໍາກັດ, ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າພະລັງງານການສູນເສຍສູງສຸດຂອງແຫຼ່ງທໍ່ລະບາຍນ້ໍາທີ່ສາມາດໄດ້ຮັບການອະນຸຍາດໃນເວລາທີ່ການປະຕິບັດຂອງ.MOSFETເປັນເລື່ອງປົກກະຕິແລະບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ. ເມື່ອພວກເຮົາໃຊ້ MOSFET, ການສູນເສຍການເຮັດວຽກຂອງມັນຄວນຈະຕ່ໍາກວ່າ PDSM ແລະຄ່າທີ່ແນ່ນອນ.

6, ແຫຼ່ງການຮົ່ວໄຫລສູງສຸດໃນປະຈຸບັນ

ກະແສໄຟຟ້າສູງສຸດ, IDSM, ຍັງເປັນຕົວກໍານົດການຈໍາກັດ, ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າກະແສໄຟຟ້າສູງສຸດທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ຜ່ານລະຫວ່າງທໍ່ລະບາຍນ້ໍາແລະແຫຼ່ງຂອງ MOSFET ໃນລະຫວ່າງການປະຕິບັດງານປົກກະຕິ, ແລະບໍ່ຄວນເກີນໃນເວລາທີ່ MOSFET ກໍາລັງເຮັດວຽກ.

olukey ໄດ້ກາຍເປັນຫນຶ່ງໃນຕົວແທນທີ່ດີທີ່ສຸດແລະເຕີບໂຕໄວທີ່ສຸດໃນອາຊີໂດຍຜ່ານການພັດທະນາຕະຫຼາດຢ່າງຫ້າວຫັນແລະການເຊື່ອມໂຍງຊັບພະຍາກອນທີ່ມີປະສິດທິພາບ, ແລະກາຍເປັນຕົວແທນທີ່ມີຄຸນຄ່າທີ່ສຸດໃນໂລກແມ່ນເປົ້າຫມາຍທົ່ວໄປຂອງ olukey.