ໂຄງສ້າງການສະຫນອງພະລັງງານພື້ນຖານຂອງການສາກໄຟໄວQC ໃຊ້ flyback + ຂ້າງຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification SSR. ສໍາລັບ flyback converters, ອີງຕາມວິທີການຕົວຢ່າງຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນ, ມັນສາມາດແບ່ງອອກເປັນ: ດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ) ລະບຽບການແລະຂັ້ນສອງ (ຮອງ) ລະບຽບການ; ອີງຕາມສະຖານທີ່ຂອງຕົວຄວບຄຸມ PWM. ມັນສາມາດແບ່ງອອກເປັນ: ການຄວບຄຸມເບື້ອງຕົ້ນ (ປະຖົມ) ແລະເບື້ອງມັດທະຍົມ (ມັດທະຍົມ) ການຄວບຄຸມ. ມັນເບິ່ງຄືວ່າມັນບໍ່ມີຫຍັງກ່ຽວຂ້ອງກັບ MOSFET. ດັ່ງນັ້ນ,ໂອລູຄີຕ້ອງຖາມວ່າ: MOSFET ເຊື່ອງໄວ້ຢູ່ໃສ? ມັນມີບົດບາດອັນໃດ?
1. ດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ) ປັບຕົວ ແລະ ດ້ານຮອງ (ຮອງ) ປັບ
ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງແຮງດັນຜົນຜະລິດຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີການເຊື່ອມຕໍ່ຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນເພື່ອສົ່ງຂໍ້ມູນການປ່ຽນແປງຂອງມັນໄປຫາຕົວຄວບຄຸມຕົ້ນຕໍ PWM ເພື່ອປັບການປ່ຽນແປງແຮງດັນຂາເຂົ້າແລະການໂຫຼດຜົນຜະລິດ. ອີງຕາມວິທີການເກັບຕົວຢ່າງຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ມັນສາມາດແບ່ງອອກເປັນການປັບຕົວຂັ້ນຕົ້ນ (ປະຖົມ) ແລະການປັບຕົວຂັ້ນສອງ (ຮອງ), ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 1 ແລະ 2.
ສັນຍານຕິຊົມຂອງກົດລະບຽບດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ) ບໍ່ໄດ້ຖືກປະຕິບັດໂດຍກົງຈາກແຮງດັນອອກ, ແຕ່ຈາກ winding auxiliary ຫຼື winding ປະຖົມຕົ້ນຕໍທີ່ຮັກສາຄວາມສໍາພັນອັດຕາສ່ວນທີ່ແນ່ນອນກັບແຮງດັນຜົນຜະລິດ. ຄຸນລັກສະນະຂອງຕົນແມ່ນ:
① ວິທີການຕໍານິຕິຊົມທາງອ້ອມ, ອັດຕາການໂຫຼດບໍ່ດີແລະຄວາມຖືກຕ້ອງທີ່ບໍ່ດີ;
②. ງ່າຍດາຍແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ;
③. ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີ optocoupler ໂດດດ່ຽວ.
ສັນຍານຕິຊົມສໍາລັບກົດລະບຽບດ້ານຂ້າງ (ຮອງ) ໄດ້ຖືກປະຕິບັດໂດຍກົງຈາກແຮງດັນຜົນຜະລິດໂດຍໃຊ້ optocoupler ແລະ TL431. ຄຸນລັກສະນະຂອງຕົນແມ່ນ:
① ວິທີການຕໍານິຕິຊົມໂດຍກົງ, ອັດຕາການໂຫຼດທີ່ດີ, ອັດຕາລະບຽບການເສັ້ນ, ແລະຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ;
②. ວົງຈອນການປັບແມ່ນສະລັບສັບຊ້ອນແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ;
③. ມັນເປັນສິ່ງຈໍາເປັນທີ່ຈະແຍກ optocoupler, ເຊິ່ງມີບັນຫາການແກ່ຕາມເວລາ.
2. ຂ້າງຮອງ (ຮອງ) diode rectification ແລະMOSFETsynchronous rectification SSR
ດ້ານຮອງ (ຮອງ) ຂອງຕົວແປງ flyback ປົກກະຕິແລ້ວໃຊ້ການແກ້ໄຂ diode ເນື່ອງຈາກກະແສຜົນຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງການສາກໄຟໄວ. ໂດຍສະເພາະສໍາລັບການສາກໄຟໂດຍກົງຫຼືການສາກໄຟແຟດ, ປະຈຸບັນຜົນຜະລິດແມ່ນສູງເຖິງ 5A. ເພື່ອປັບປຸງປະສິດທິພາບ, MOSFET ຖືກນໍາໃຊ້ແທນ diode ເປັນ rectifier, ເຊິ່ງເອີ້ນວ່າຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification SSR, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 3 ແລະ 4.
ຄຸນລັກສະນະຂອງການແກ້ໄຂ diode ຂ້າງສອງ (ຮອງ):
①. ງ່າຍດາຍ, ບໍ່ມີການຄວບຄຸມການຂັບເພີ່ມເຕີມແມ່ນຕ້ອງການ, ແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແມ່ນຕ່ໍາ;
②ເມື່ອປະຈຸບັນຜົນຜະລິດແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່, ປະສິດທິພາບແມ່ນຕ່ໍາ;
③. ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ.
ຄຸນນະສົມບັດຂອງສອງຂ້າງ (ຮອງ) MOSFET synchronous rectification:
①. ສະລັບສັບຊ້ອນ, ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີການຄວບຄຸມການຂັບເພີ່ມເຕີມແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍສູງ;
②. ໃນເວລາທີ່ຜົນຜະລິດໃນປະຈຸບັນມີຂະຫນາດໃຫຍ່, ປະສິດທິພາບແມ່ນສູງ;
③. ເມື່ອປຽບທຽບກັບ diodes, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງພວກເຂົາແມ່ນຕໍ່າ.
ໃນການນໍາໃຊ້ພາກປະຕິບັດ, MOSFET ຂອງ synchronous rectification SSR ປົກກະຕິແລ້ວຖືກຍ້າຍຈາກປາຍສູງໄປຫາຕ່ໍາສຸດເພື່ອຄວາມສະດວກໃນການຂັບລົດ, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 5.
ຄຸນລັກສະນະຂອງ MOSFET ສູງສຸດຂອງ synchronous rectification SSR:
①. ມັນຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີໄດ bootstrap ຫຼືໄດເລື່ອນ, ເຊິ່ງມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຫຼາຍ;
②. EMI ດີ.
ຄຸນລັກສະນະຂອງການແກ້ໄຂ synchronous SSR MOSFET ທີ່ວາງໄວ້ໃນຕອນທ້າຍຕ່ໍາ:
① ໄດໂດຍກົງ, ຂັບງ່າຍດາຍແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ;
②. EMI ບໍ່ດີ.
3. ດ້ານການຄວບຄຸມຂັ້ນຕົ້ນ (ປະຖົມ) ແລະການຄວບຄຸມດ້ານມັດທະຍົມ (ມັດທະຍົມ)
ຕົວຄວບຄຸມຕົ້ນຕໍ PWM ແມ່ນຖືກຈັດໃສ່ໃນດ້ານຕົ້ນຕໍ (ປະຖົມ). ໂຄງສ້າງນີ້ເອີ້ນວ່າການຄວບຄຸມດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ). ເພື່ອປັບປຸງຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງແຮງດັນຜົນຜະລິດ, ອັດຕາການຄວບຄຸມການໂຫຼດ, ແລະອັດຕາລະບຽບການເສັ້ນ, ການຄວບຄຸມດ້ານຕົ້ນຕໍ (ປະຖົມ) ຕ້ອງການ optocoupler ພາຍນອກແລະ TL431 ເພື່ອສ້າງການເຊື່ອມຕໍ່ຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນ. ແບນວິດຂອງລະບົບມີຂະຫນາດນ້ອຍແລະຄວາມໄວຕອບສະຫນອງຊ້າ.
ຖ້າຕົວຄວບຄຸມຕົ້ນຕໍ PWM ຖືກຈັດໃສ່ຢູ່ດ້ານຂ້າງ (ຮອງ), optocoupler ແລະ TL431 ສາມາດເອົາອອກໄດ້, ແລະແຮງດັນຜົນຜະລິດສາມາດຄວບຄຸມແລະປັບໄດ້ໂດຍກົງດ້ວຍການຕອບສະຫນອງໄວ. ໂຄງສ້າງນີ້ເອີ້ນວ່າການຄວບຄຸມຂັ້ນສອງ (ຮອງ).
ຄຸນນະສົມບັດຂອງການຄວບຄຸມເບື້ອງຕົ້ນ (ຂັ້ນຕົ້ນ):
①. Optocoupler ແລະ TL431 ແມ່ນຕ້ອງການ, ແລະຄວາມໄວຕອບສະຫນອງແມ່ນຊ້າ;
②. ຄວາມໄວຂອງການປ້ອງກັນຜົນຜະລິດແມ່ນຊ້າ.
③. ໃນຮູບແບບການແກ້ໄຂ synchronous ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ CCM, ຂ້າງຮອງ (ຮອງ) ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີສັນຍານ synchronization.
ຄຸນນະສົມບັດຂອງການຄວບຄຸມມັດທະຍົມ (ຮອງ):
①. ຜົນຜະລິດໄດ້ຖືກກວດພົບໂດຍກົງ, ບໍ່ມີ optocoupler ແລະ TL431 ແມ່ນຈໍາເປັນ, ຄວາມໄວຕອບສະຫນອງແມ່ນໄວ, ແລະຄວາມໄວປ້ອງກັນຜົນຜະລິດແມ່ນໄວ;
②. ດ້ານຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification MOSFET ຖືກຂັບເຄື່ອນໂດຍກົງໂດຍບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີສັນຍານ synchronization; ອຸປະກອນເພີ່ມເຕີມເຊັ່ນ: ຫມໍ້ແປງກໍາມະຈອນ, ການເຊື່ອມສະນະແມ່ເຫຼັກຫຼື couplers capacitive ຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ສົ່ງສັນຍານການຂັບລົດຂອງຂ້າງຕົ້ນຕໍ (ປະຖົມ) ແຮງດັນສູງ MOSFET.
③. ດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ) ຕ້ອງການວົງຈອນເລີ່ມຕົ້ນ, ຫຼືດ້ານຮອງ (ຮອງ) ມີອຸປະກອນເສີມສໍາລັບການເລີ່ມຕົ້ນ.
4. ໂໝດ CCM ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ ຫຼືໂໝດ DCM ທີ່ບໍ່ຕໍ່ເນື່ອງ
ຕົວແປງສັນຍານ flyback ສາມາດເຮັດວຽກຢູ່ໃນໂຫມດ CCM ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຫຼືໂຫມດ DCM ບໍ່ຕໍ່ເນື່ອງ. ຖ້າກະແສລົມໃນຂັ້ນສອງ (ຮອງ) ມາຮອດ 0 ໃນຕອນທ້າຍຂອງວົງຈອນສະຫຼັບ, ມັນຖືກເອີ້ນວ່າໂຫມດ DCM ທີ່ບໍ່ຕໍ່ເນື່ອງ. ຖ້າກະແສໄຟຟ້າຂອງກະແສລົມຂັ້ນສອງ (ຮອງ) ບໍ່ແມ່ນ 0 ໃນຕອນທ້າຍຂອງວົງຈອນສະຫຼັບ, ມັນຖືກເອີ້ນວ່າໂຫມດ CCM ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 8 ແລະ 9.
ມັນສາມາດເຫັນໄດ້ຈາກຮູບ 8 ແລະຮູບ 9 ວ່າສະຖານະການເຮັດວຽກຂອງການແກ້ໄຂ synchronous SSR ແມ່ນແຕກຕ່າງກັນໃນຮູບແບບການເຮັດວຽກທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງ flyback converter, ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າວິທີການຄວບຄຸມຂອງ synchronous rectification SSR ຍັງຈະແຕກຕ່າງກັນ.
ຖ້າເວລາຕາຍຖືກລະເລີຍ, ເມື່ອເຮັດວຽກຢູ່ໃນໂຫມດ CCM ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ການແກ້ໄຂ synchronous SSR ມີສອງລັດ:
①. ດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ) ແຮງດັນສູງ MOSFET ເປີດ, ແລະດ້ານຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification MOSFET ປິດ;
②. ດ້ານຕົ້ນຕໍ (ປະຖົມ) ແຮງດັນສູງ MOSFET ປິດ, ແລະດ້ານຮອງ (ຮອງ) ການແກ້ໄຂ synchronous MOSFET ເປີດ.
ເຊັ່ນດຽວກັນ, ຖ້າເວລາຕາຍຖືກລະເລີຍ, ການແກ້ໄຂ SSR synchronous ມີສາມລັດໃນເວລາທີ່ເຮັດວຽກຢູ່ໃນໂຫມດ DCM ບໍ່ຕໍ່ເນື່ອງ:
①. ດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ) ແຮງດັນສູງ MOSFET ເປີດ, ແລະດ້ານຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification MOSFET ປິດ;
②. ດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ) ແຮງດັນສູງ MOSFET ປິດ, ແລະດ້ານຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification MOSFET ແມ່ນເປີດ;
③. ດ້ານຕົ້ນຕໍ (ປະຖົມ) ແຮງດັນສູງ MOSFET ປິດ, ແລະດ້ານຮອງ (ຮອງ) ການແກ້ໄຂ synchronous MOSFET ປິດ.
5. ຂ້າງຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification SSR ໃນຮູບແບບ CCM ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ
ຖ້າຕົວແປງສັນຍານ flyback ໄວເຮັດວຽກຢູ່ໃນໂຫມດ CCM ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ວິທີການຄວບຄຸມດ້ານຕົ້ນຕໍ (ປະຖົມ), ດ້ານຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification MOSFET ຕ້ອງການສັນຍານ synchronization ຈາກດ້ານຕົ້ນຕໍ (ປະຖົມ) ເພື່ອຄວບຄຸມການປິດ.
ສອງວິທີການຕໍ່ໄປນີ້ໂດຍປົກກະຕິໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບສັນຍານຂັບ synchronous ຂອງຂ້າງຮອງ (ຮອງ):
(1) ໂດຍກົງໃຊ້ winding ທີສອງ (ຮອງ), ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 10;
(2) ໃຊ້ອົງປະກອບທີ່ໂດດດ່ຽວເພີ່ມເຕີມເຊັ່ນ: ຫມໍ້ແປງກໍາມະຈອນເພື່ອສົ່ງສັນຍານຂັບ synchronous ຈາກຂ້າງປະຖົມ (ປະຖົມ) ໄປຂ້າງສອງ (ຮອງ), ດັ່ງທີ່ສະແດງໃນຮູບ 12.
ໂດຍກົງໂດຍໃຊ້ສາຍລົມຂັ້ນສອງ (ຮອງ) ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບສັນຍານຂັບ synchronous, ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງສັນຍານຂັບ synchronous ແມ່ນມີຄວາມຫຍຸ້ງຍາກຫຼາຍທີ່ຈະຄວບຄຸມ, ແລະມັນຍາກທີ່ຈະບັນລຸປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືທີ່ດີທີ່ສຸດ. ບາງບໍລິສັດກໍ່ໃຊ້ຕົວຄວບຄຸມດິຈິຕອນເພື່ອປັບປຸງຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການຄວບຄຸມ, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 11 ສະແດງ.
ການນໍາໃຊ້ເຄື່ອງປ່ຽນກໍາມະຈອນເພື່ອໃຫ້ໄດ້ສັນຍານການຂັບລົດ synchronous ມີຄວາມຖືກຕ້ອງສູງ, ແຕ່ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແມ່ນຂ້ອນຂ້າງສູງ.
ວິທີການຄວບຄຸມຂ້າງສອງ (ຮອງ) ປົກກະຕິແລ້ວໃຊ້ເຄື່ອງປ່ຽນກໍາມະຈອນຫຼືວິທີການເຊື່ອມຕໍ່ແມ່ເຫຼັກເພື່ອສົ່ງສັນຍານຂັບ synchronous ຈາກຂ້າງຮອງ (ຮອງ) ໄປຫາດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ), ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 7.v.
6. ດ້ານຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification SSR ໃນໂຫມດ DCM ບໍ່ຕໍ່ເນື່ອງ
ຖ້າຕົວປ່ຽນ flyback ການສາກໄວເຮັດວຽກຢູ່ໃນໂໝດ DCM ບໍ່ຕໍ່ເນື່ອງ. ໂດຍບໍ່ສົນເລື່ອງຂອງວິທີການຄວບຄຸມດ້ານປະຖົມ (ປະຖົມ) ຫຼືວິທີການຄວບຄຸມດ້ານຂ້າງ (ຮອງ), ການຫຼຸດລົງແຮງດັນ D ແລະ S ຂອງ MOSFET ການແກ້ໄຂ synchronous ສາມາດກວດພົບແລະຄວບຄຸມໂດຍກົງ.
(1) ການເປີດ synchronous rectification MOSFET
ເມື່ອແຮງດັນຂອງ VDS ຂອງການແກ້ໄຂ synchronous MOSFET ປ່ຽນແປງຈາກບວກເປັນລົບ, diode parasitic ພາຍໃນຈະເປີດ, ແລະຫຼັງຈາກການຊັກຊ້າທີ່ແນ່ນອນ, ການແກ້ໄຂ synchronous MOSFET ເປີດ, ດັ່ງທີ່ສະແດງໃນຮູບ 13.
(2) ປິດການແກ້ໄຂ synchronous MOSFET
ຫຼັງຈາກ MOSFET ການແກ້ໄຂ synchronous ເປີດ, VDS=-Io*Rdson. ເມື່ອກະແສລົມຂັ້ນສອງ (ຮອງ) ຫຼຸດລົງເປັນ 0, ນັ້ນແມ່ນ, ເມື່ອແຮງດັນຂອງສັນຍານກວດຫາປັດຈຸບັນ VDS ປ່ຽນຈາກລົບເປັນ 0, ການແກ້ໄຂ synchronous MOSFET ຈະປິດ, ດັ່ງທີ່ສະແດງໃນຮູບ 13.
ໃນການນໍາໃຊ້ປະຕິບັດ, ການ synchronous rectification MOSFET ປິດກ່ອນທີ່ສອງ (ຮອງ) ກະແສລົມໄປຮອດ 0 (VDS=0). ຄ່າແຮງດັນການອ້າງອິງຂອງການກວດຫາປະຈຸບັນທີ່ກໍານົດໂດຍຊິບທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ເຊັ່ນ -20mV, -50mV, -100mV, -200mV, ແລະອື່ນໆ.
ແຮງດັນກະສານອ້າງອີງການຊອກຄົ້ນຫາໃນປະຈຸບັນຂອງລະບົບຖືກແກ້ໄຂ. ມູນຄ່າຢ່າງແທ້ຈິງຂອງແຮງດັນການອ້າງອິງຂອງການກວດຫາປະຈຸບັນຫຼາຍເທົ່າໃດ, ຄວາມຜິດພາດການແຊກແຊງຈະນ້ອຍລົງ ແລະຄວາມຖືກຕ້ອງດີຂຶ້ນ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ໃນເວລາທີ່ການໂຫຼດຜົນຜະລິດ Io ປະຈຸບັນຫຼຸດລົງ, synchronous rectification MOSFET ຈະປິດໃນກະແສຜົນຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່, ແລະ diode parasitic ພາຍໃນຂອງມັນຈະດໍາເນີນການເປັນເວລາດົນນານ, ສະນັ້ນປະສິດທິພາບຫຼຸດລົງ, ດັ່ງທີ່ສະແດງໃນຮູບ 14.
ນອກຈາກນັ້ນ, ຖ້າມູນຄ່າຢ່າງແທ້ຈິງຂອງແຮງດັນການອ້າງອິງການກວດພົບໃນປະຈຸບັນແມ່ນນ້ອຍເກີນໄປ. ຄວາມຜິດພາດຂອງລະບົບແລະການແຊກແຊງອາດຈະເຮັດໃຫ້ MOSFET ການແກ້ໄຂ synchronous ປິດຫຼັງຈາກກະແສລົມຂັ້ນສອງ (ຮອງ) ເກີນ 0, ສົ່ງຜົນໃຫ້ກະແສກະແສໄຟຟ້າປີ້ນກັບກັນ, ຜົນກະທົບຕໍ່ປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງລະບົບ.
ສັນຍານການກວດສອບຄວາມແມ່ນຍໍາສູງໃນປະຈຸບັນສາມາດປັບປຸງປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງລະບົບ, ແຕ່ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງອຸປະກອນຈະເພີ່ມຂຶ້ນ. ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງສັນຍານການຊອກຄົ້ນຫາໃນປະຈຸບັນແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບປັດໃຈດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
①. ຄວາມຖືກຕ້ອງແລະອຸນຫະພູມ drift ຂອງແຮງດັນກະສານອ້າງອີງການຊອກຫາໃນປັດຈຸບັນ;
②. ແຮງດັນ bias ແລະ offset voltage, bias current ແລະ offset current, ແລະອຸນຫະພູມ drift ຂອງ amplifier ໃນປັດຈຸບັນ;
③. ຄວາມຖືກຕ້ອງແລະອຸນຫະພູມ drift ຂອງ Rdson ໃນແຮງດັນຂອງ synchronous rectification MOSFET.
ນອກຈາກນັ້ນ, ຈາກທັດສະນະຂອງລະບົບ, ມັນສາມາດປັບປຸງໄດ້ໂດຍຜ່ານການຄວບຄຸມດິຈິຕອນ, ການປ່ຽນແປງແຮງດັນການອ້າງອິງການຊອກຄົ້ນຫາໃນປະຈຸບັນ, ແລະການປ່ຽນແປງແຮງດັນການຂັບລົດ synchronous rectification MOSFET.
ເມື່ອການໂຫຼດຜົນຜະລິດ Io ປະຈຸບັນຫຼຸດລົງ, ຖ້າແຮງດັນຂອງພະລັງງານ MOSFET ຫຼຸດລົງ, ແຮງດັນໄຟຟ້າ Rdson ເປີດ MOSFET ທີ່ສອດຄ້ອງກັນເພີ່ມຂຶ້ນ. ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບທີ 15, ມັນເປັນໄປໄດ້ທີ່ຈະຫຼີກເວັ້ນການປິດການເລີ່ມຕົ້ນຂອງ synchronous rectification MOSFET, ຫຼຸດຜ່ອນເວລາ conduction ຂອງ diode parasitic, ແລະປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງລະບົບ.
ມັນສາມາດເຫັນໄດ້ຈາກຮູບ 14 ວ່າໃນເວລາທີ່ການໂຫຼດຜົນຜະລິດ Io ປະຈຸບັນຫຼຸດລົງ, ແຮງດັນການອ້າງອິງຂອງການກວດສອບໃນປະຈຸບັນຍັງຫຼຸດລົງ. ດ້ວຍວິທີນີ້, ເມື່ອ Io ປະຈຸບັນຜົນຜະລິດມີຂະຫນາດໃຫຍ່, ແຮງດັນການອ້າງອິງຂອງການກວດສອບໃນປະຈຸບັນທີ່ສູງຂຶ້ນແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອປັບປຸງຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການຄວບຄຸມ; ເມື່ອ Io ປະຈຸບັນຜົນຜະລິດຕ່ໍາ, ແຮງດັນການອ້າງອິງການກວດພົບໃນປະຈຸບັນຕ່ໍາແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້. ມັນຍັງສາມາດປັບປຸງເວລາການປະຕິບັດຂອງ synchronous rectification MOSFET ແລະປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງລະບົບ.
ໃນເວລາທີ່ວິທີການຂ້າງເທິງນີ້ບໍ່ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການປັບປຸງ, diodes Schottky ຍັງສາມາດເຊື່ອມຕໍ່ຂະຫນານຢູ່ທັງສອງສົ້ນຂອງ MOSFET ການແກ້ໄຂ synchronous. ຫຼັງຈາກ MOSFET ການແກ້ໄຂ synchronous ຖືກປິດໄວ້ລ່ວງຫນ້າ, ເປັນ diode Schottky ພາຍນອກສາມາດເຊື່ອມຕໍ່ສໍາລັບ freewheeling.
7. ຮອງ (ຮອງ) ຄວບຄຸມໂໝດປະສົມ CCM+DCM
ໃນປັດຈຸບັນ, ມີພື້ນຖານສອງວິທີແກ້ໄຂທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປສໍາລັບການສາກໄຟໄວໂທລະສັບມືຖື:
(1) ການຄວບຄຸມດ້ານຕົ້ນຕໍ (ປະຖົມ) ແລະຮູບແບບການເຮັດວຽກ DCM. ດ້ານຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification MOSFET ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີສັນຍານ synchronization.
(2) ການຄວບຄຸມຂັ້ນສອງ (ຮອງ), CCM + DCM ຮູບແບບການປະຕິບັດການປະສົມ (ໃນເວລາທີ່ການໂຫຼດຜົນຜະລິດຫຼຸດລົງ, ຈາກ CCM ກັບ DCM). ດ້ານຮອງ (ຮອງ) synchronous rectification MOSFET ແມ່ນຖືກຂັບເຄື່ອນໂດຍກົງ, ແລະຫຼັກການຂອງການເປີດແລະປິດຂອງມັນແມ່ນສະແດງຢູ່ໃນຮູບທີ 16:
ເປີດ MOSFET ການແກ້ໄຂ synchronous: ເມື່ອແຮງດັນຂອງ VDS ຂອງການແກ້ໄຂ synchronous MOSFET ປ່ຽນຈາກບວກເປັນລົບ, diode parasitic ພາຍໃນຂອງມັນເປີດ. ຫຼັງຈາກການຊັກຊ້າທີ່ແນ່ນອນ, ການແກ້ໄຂ synchronous MOSFET ເປີດ.
ການປິດການແກ້ໄຂ MOSFET synchronous:
① ເມື່ອແຮງດັນຂາອອກແມ່ນຫນ້ອຍກວ່າຄ່າທີ່ກໍານົດໄວ້, ສັນຍານໂມງ synchronous ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຄວບຄຸມການປິດຂອງ MOSFET ແລະເຮັດວຽກໃນໂຫມດ CCM.
② ເມື່ອແຮງດັນຜົນຜະລິດສູງກວ່າຄ່າທີ່ກໍານົດໄວ້, ສັນຍານໂມງ synchronous ຈະຖືກປ້ອງກັນແລະວິທີການເຮັດວຽກແມ່ນຄືກັນກັບໂຫມດ DCM. ສັນຍານ VDS=-Io*Rdson ຄວບຄຸມການປິດລະບົບ MOSFET synchronous rectification.
ດຽວນີ້, ທຸກຄົນຮູ້ວ່າ MOSFET ມີບົດບາດຫຍັງໃນ QC ສາກໄວທັງໝົດ!
ກ່ຽວກັບ Olukey
ທີມງານຫຼັກຂອງ Olukey ໄດ້ສຸມໃສ່ອົງປະກອບສໍາລັບ 20 ປີແລະມີສໍານັກງານໃຫຍ່ຢູ່ໃນ Shenzhen. ທຸລະກິດຕົ້ນຕໍ: MOSFET, MCU, IGBT ແລະອຸປະກອນອື່ນໆ. ຜະລິດຕະພັນຕົວແທນຕົ້ນຕໍແມ່ນ WINSOK ແລະ Cmsemicon. ຜະລິດຕະພັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາການທະຫານ, ການຄວບຄຸມອຸດສາຫະກໍາ, ພະລັງງານໃຫມ່, ຜະລິດຕະພັນທາງການແພດ, 5G, Internet of Things, smart homes, ແລະຜະລິດຕະພັນເອເລັກໂຕຣນິກບໍລິໂພກຕ່າງໆ. ອີງໃສ່ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງຕົວແທນທົ່ວໄປທົ່ວໂລກຕົ້ນສະບັບ, ພວກເຮົາອີງໃສ່ຕະຫຼາດຈີນ. ພວກເຮົາໃຊ້ບໍລິການທີ່ມີປະໂຫຍດທີ່ສົມບູນແບບຂອງພວກເຮົາເພື່ອແນະນໍາອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກເຕັກໂນໂລຢີສູງທີ່ກ້າວຫນ້າໃຫ້ກັບລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາ, ຊ່ວຍເຫຼືອຜູ້ຜະລິດໃນການຜະລິດຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແລະໃຫ້ບໍລິການທີ່ສົມບູນແບບ.
-
ຄວາມອາດສາມາດຂອງປະຕູຮົ້ວ, ຕ້ານທານແລະຕົວກໍານົດການອື່ນໆ ...
-
MOSFET 101: ຄູ່ມືການເລີ່ມຕົ້ນສຸດທ້າຍ ...
-
ຄວາມຕ້ອງການວົງຈອນໄດເວີ MOSFET
-
ວິທີການກໍານົດວ່າ MOSFET ແມ່ນດີຫຼືບໍ່ດີ?
-
MOSFET ວົງຈອນປ້ອງກັນ overcurrent ເພື່ອຫຼີກເວັ້ນການ ...
-
PMOSFET ແມ່ນຫຍັງ, ເຈົ້າຮູ້ບໍ?
-
ຂັ້ນຕອນທີ່ສໍາຄັນກ່ຽວກັບການຄັດເລືອກ MOSFET
-
ສາມເຂັມຂອງ MOSFET, ຂ້ອຍຈະບອກພວກເຂົາໄດ້ແນວໃດ ...
-
2N7000 MOSFET: ຄູ່ມືຄົບຖ້ວນສົມບູນໃນການນໍາໃຊ້ ...
-
ຄວາມເຂົ້າໃຈພື້ນຖານຂອງ MOSFET
-
ຂ້ອຍຈະບອກຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ Mosfets ໄດ້ແນວໃດ?
-
ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ MOSFET ແລະ IGBT ແມ່ນຫຍັງ?...
-
ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ N-channel MOSFET ແລະ Pc...
-
De rol van vermogens-MOSFET-apparaten
-
MOSFET ຊຸດນ້ອຍ
-
ຂ້ອຍສາມາດເຮັດແນວໃດເພື່ອແກ້ໄຂ MOSFET ຂອງຂ້ອຍທີ່ກໍາລັງໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ ...
