MOSFET ພະລັງງານສູງດຽວກັນ, ການນໍາໃຊ້ວົງຈອນຂັບທີ່ແຕກຕ່າງກັນຈະໄດ້ຮັບລັກສະນະສະຫຼັບທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ການນໍາໃຊ້ປະສິດທິພາບທີ່ດີຂອງວົງຈອນຂັບສາມາດເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນສະຫຼັບພະລັງງານເຮັດວຽກຢູ່ໃນສະພາບສະຫຼັບທີ່ເຫມາະສົມທີ່ຂ້ອນຂ້າງ, ໃນຂະນະທີ່ສັ້ນການສະຫຼັບທີ່ໃຊ້ເວລາ, ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍສະຫຼັບ, ການຕິດຕັ້ງປະສິດທິພາບການເຮັດວຽກ, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະຄວາມປອດໄພແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນຫຼາຍ. ດັ່ງນັ້ນ, ຂໍ້ດີແລະຂໍ້ເສຍຂອງວົງຈອນຂັບມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ການປະຕິບັດຂອງວົງຈອນຕົ້ນຕໍ, ການສົມເຫດສົມຜົນຂອງການອອກແບບຂອງວົງຈອນຂັບແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນເພີ່ມຂຶ້ນ. Thyristor ຂະຫນາດນ້ອຍ, ນ້ໍາຫນັກເບົາ, ປະສິດທິພາບສູງ, ຊີວິດຍາວ, ການນໍາໃຊ້ງ່າຍ, ສາມາດຢຸດເຊົາການ rectifier ແລະ inverter ໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍ, ແລະບໍ່ສາມາດປ່ຽນໂຄງສ້າງຂອງວົງຈອນພາຍໃຕ້ສະຖານທີ່ຂອງການປ່ຽນແປງຂະຫນາດຂອງ rectifier ຫຼື inverter ປັດຈຸບັນ.IGBT ເປັນອົງປະກອບ. ອຸປະກອນຂອງMOSFETແລະ GTR, ມີລັກສະນະຂອງຄວາມໄວສະຫຼັບໄວ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ພະລັງງານຂັບລົດຂະຫນາດນ້ອຍແລະວົງຈອນຂັບງ່າຍດາຍ, ແລະມີຄວາມໄດ້ປຽບຂອງການຫຼຸດລົງແຮງດັນໄຟຟ້າໃນລັດຂະຫນາດນ້ອຍ, ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນສູງແລະປະຈຸບັນການຍອມຮັບສູງ. IGBT ເປັນອຸປະກອນຜະລິດພະລັງງານຕົ້ນຕໍ, ໂດຍສະເພາະໃນສະຖານທີ່ທີ່ມີພະລັງງານສູງ, ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນປະເພດຕ່າງໆ.
ວົງຈອນຂັບຂີ່ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບອຸປະກອນສະຫຼັບ MOSFET ທີ່ມີພະລັງງານສູງຄວນຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
(1) ເມື່ອເປີດທໍ່ສະຫຼັບພະລັງງານ, ວົງຈອນຂັບຂີ່ສາມາດສະຫນອງກະແສໄຟຟ້າພື້ນຖານທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນໄວ, ເພື່ອໃຫ້ມີພະລັງງານຂັບຂີ່ພຽງພໍເມື່ອເປີດ, ດັ່ງນັ້ນການຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການເປີດ.
(2) ໃນລະຫວ່າງການປະຕິບັດທໍ່ສະຫຼັບ, ກະແສໄຟຟ້າພື້ນຖານທີ່ສະຫນອງໂດຍວົງຈອນຂັບ MOSFET ສາມາດຮັບປະກັນວ່າທໍ່ພະລັງງານຢູ່ໃນສະພາບທີ່ອີ່ມຕົວພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂການໂຫຼດ, ຮັບປະກັນການສູນເສຍການດໍາເນີນການຕ່ໍາ. ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນເວລາການເກັບຮັກສາ, ອຸປະກອນຄວນຈະຢູ່ໃນສະຖານະຄວາມອີ່ມຕົວທີ່ສໍາຄັນກ່ອນທີ່ຈະປິດ.
(3) ການປິດ, ວົງຈອນຂັບຄວນຈະສະຫນອງການຂັບກັບຄືນໄປບ່ອນພຽງພໍເພື່ອແຕ້ມອອກຢ່າງໄວວາບັນທຸກທີ່ຍັງເຫຼືອຢູ່ໃນພາກພື້ນຖານເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນເວລາການເກັບຮັກສາ; ແລະເພີ່ມແຮງດັນຕັດອະຄະຕິແບບປີ້ນກັບກັນ, ດັ່ງນັ້ນກະແສເກັບລວບລວມຫຼຸດລົງຢ່າງໄວວາເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນເວລາລົງຈອດ. ແນ່ນອນ, ການປິດຂອງ thyristor ແມ່ນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຍ້ອນການຫຼຸດລົງຂອງແຮງດັນ anode ປີ້ນກັບກັນເພື່ອສໍາເລັດການປິດ.
ໃນປັດຈຸບັນ, ຂັບ thyristor ທີ່ມີຈໍານວນປຽບທຽບພຽງແຕ່ໂດຍຜ່ານການຫັນເປັນຫຼື optocoupler isolation ເພື່ອແຍກທ້າຍແຮງດັນຕ່ໍາແລະແຮງດັນສູງ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນໂດຍຜ່ານວົງຈອນການແປງເພື່ອຂັບ conduction thyristor. ໃນ IGBT ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນປັດຈຸບັນຂອງໂມດູນໄດ IGBT ຫຼາຍ, ແຕ່ຍັງປະສົມປະສານ IGBT, ລະບົບການຮັກສາຕົນເອງ, ການວິນິດໄສຕົນເອງແລະໂມດູນທີ່ເປັນປະໂຫຍດອື່ນໆຂອງ IPM.
ໃນເອກະສານນີ້, ສໍາລັບ thyristor ທີ່ພວກເຮົາໃຊ້, ອອກແບບວົງຈອນຂັບທົດລອງ, ແລະຢຸດການທົດສອບທີ່ແທ້ຈິງເພື່ອພິສູດວ່າມັນສາມາດຂັບ thyristor ໄດ້. ສໍາລັບໄດຂອງ IGBT, ເອກະສານສະບັບນີ້ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນແນະນໍາປະເພດຕົ້ນຕໍໃນປະຈຸບັນຂອງໄດ IGBT, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບວົງຈອນຂັບທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງເຂົາເຈົ້າ, ແລະການນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປທີ່ສຸດຂອງ optocoupler isolation drive ເພື່ອຢຸດການທົດລອງ simulation.
2. ການສຶກສາວົງຈອນຂັບຂອງ thyristor ໂດຍທົ່ວໄປເງື່ອນໄຂການເຮັດວຽກຂອງ thyristor ແມ່ນ:
(1) thyristor ຍອມຮັບແຮງດັນ anode ປີ້ນກັບກັນ, ໂດຍບໍ່ສົນເລື່ອງຂອງປະຕູຮົ້ວຍອມຮັບສິ່ງທີ່ປະເພດຂອງແຮງດັນ, thyristor ແມ່ນຢູ່ໃນລັດ off.
(2) Thyristor ຍອມຮັບແຮງດັນຂອງ anode ໄປຂ້າງຫນ້າ, ພຽງແຕ່ໃນກໍລະນີຂອງປະຕູຮັບແຮງດັນໄຟຟ້າບວກທີ່ thyristor ເປີດ.
(3) Thyristor ໃນສະພາບ conduction, ພຽງແຕ່ເປັນແຮງດັນ anode ໃນທາງບວກທີ່ແນ່ນອນ, ໂດຍບໍ່ສົນເລື່ອງຂອງແຮງດັນປະຕູຮົ້ວ, thyristor insisted on conduction, ນັ້ນແມ່ນ, ຫຼັງຈາກ conduction thyristor, ປະຕູຮົ້ວແມ່ນສູນເສຍ. (4) thyristor ໃນສະພາບ conduction, ໃນເວລາທີ່ແຮງດັນຂອງວົງຈອນຕົ້ນຕໍ (ຫຼືປະຈຸບັນ) ຫຼຸດລົງຢູ່ໃກ້ກັບສູນ, ການປິດ thyristor. ພວກເຮົາເລືອກ thyristor ແມ່ນ TYN1025, ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນຂອງມັນແມ່ນ 600V ຫາ 1000V, ປະຈຸບັນສູງເຖິງ 25A. ມັນຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີແຮງດັນຂອງປະຕູຮົ້ວແມ່ນ 10V ຫາ 20V, ປະຈຸບັນຂັບແມ່ນ 4mA ຫາ 40mA. ແລະການບໍາລຸງຮັກສາຂອງມັນແມ່ນ 50mA, ປະຈຸບັນເຄື່ອງຈັກແມ່ນ 90mA. ທັງ DSP ຫຼື CPLD ກະຕຸ້ນຄວາມກວ້າງຂອງສັນຍານຕາບໃດທີ່ 5V. ຫນ້າທໍາອິດຂອງການທັງຫມົດ, ຕາບໃດຄວາມກວ້າງຂອງ 5V ເຂົ້າໄປໃນ 24V, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນໂດຍຜ່ານ 2: 1 isolation transformer ເພື່ອແປງສັນຍານ trigger 24V ເຂົ້າໄປໃນ 12V trigger signal, ໃນຂະນະທີ່ສໍາເລັດການທໍາງານຂອງການໂດດດ່ຽວແຮງດັນໄຟຟ້າເທິງແລະຕ່ໍາ.
ການທົດລອງການອອກແບບວົງຈອນແລະການວິເຄາະ
ຫນ້າທໍາອິດຂອງການທັງຫມົດ, ວົງຈອນການເສີມ, ເນື່ອງຈາກການແຍກວົງຈອນການຫັນເປັນໃນຂັ້ນຕອນຂອງການກັບຄືນໄປບ່ອນMOSFETອຸປະກອນຕ້ອງການ 15V ສັນຍານ trigger, ສະນັ້ນຄວາມຕ້ອງການທໍາອິດ amplitude 5V ສັນຍານ trigger ເຂົ້າໄປໃນ 15V ສັນຍານ trigger, ຜ່ານສັນຍານ MC14504 5V, ປ່ຽນເປັນສັນຍານ 15V, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນໂດຍຜ່ານ CD4050 ໃນຜົນຜະລິດຂອງສັນຍານໄດ 15V ຮູບຮ່າງ, ຊ່ອງທາງ 2. ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບສັນຍານເຂົ້າ 5V, ຊ່ອງ 1 ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບຜົນຜະລິດ ຊ່ອງ 2 ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບສັນຍານເຂົ້າ 5V, ຊ່ອງ 1 ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບຜົນຜະລິດຂອງສັນຍານ trigger 15V.
ສ່ວນທີສອງແມ່ນວົງຈອນ transformer ໂດດດ່ຽວ, ຫນ້າທີ່ຕົ້ນຕໍຂອງວົງຈອນແມ່ນ: ສັນຍານ trigger 15V, ປ່ຽນເປັນສັນຍານ trigger 12V ຜົນກະທົບຕໍ່ການກັບຄືນໄປບ່ອນຂອງ thyristor conduction, ແລະເຮັດສັນຍານ trigger 15V ແລະໄລຍະຫ່າງລະຫວ່າງກັບຄືນໄປບ່ອນ. ເວທີ.
ຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງວົງຈອນແມ່ນ: ເນື່ອງຈາກMOSFETIRF640 ແຮງດັນຂັບຂອງ 15V, ດັ່ງນັ້ນ, ທໍາອິດຂອງການທັງຫມົດ, ໃນ J1 ເຂົ້າເຖິງ 15V ສັນຍານຄື້ນສີ່ຫລ່ຽມ, ໂດຍຜ່ານ resistor R4 ເຊື່ອມຕໍ່ກັບ regulator 1N4746, ດັ່ງນັ້ນແຮງດັນຂອງຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ແຕ່ຍັງເພື່ອເຮັດໃຫ້ແຮງດັນຂອງຜົນກະທົບຕໍ່ບໍ່ສູງເກີນໄປ. , ຖືກໄຟໄຫມ້ MOSFET, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນກັບ MOSFET IRF640 (ໃນຄວາມເປັນຈິງ, ນີ້ແມ່ນທໍ່ສະຫຼັບ, ການຄວບຄຸມຂອງປາຍກັບຄືນໄປບ່ອນຂອງການເປີດແລະປິດ. ການຄວບຄຸມທ້າຍກັບຄືນໄປບ່ອນຂອງເປີດແລະປິດ), ຫຼັງຈາກການຄວບຄຸມການ. ວົງຈອນຫນ້າທີ່ຂອງສັນຍານຂັບ, ເພື່ອໃຫ້ສາມາດຄວບຄຸມເວລາເປີດແລະປິດຂອງ MOSFET. ເມື່ອ MOSFET ເປີດ, ທຽບເທົ່າກັບດິນ D-pole ຂອງມັນ, ປິດໃນເວລາທີ່ເປີດ, ຫຼັງຈາກວົງຈອນ back-end ທຽບເທົ່າກັບ 24 V. ແລະຫມໍ້ແປງແມ່ນຜ່ານການປ່ຽນແປງແຮງດັນເພື່ອເຮັດໃຫ້ປາຍຂວາຂອງສັນຍານອອກ 12 V. . ປາຍຂວາຂອງຫມໍ້ແປງແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບຂົວ rectifier, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນສັນຍານ 12V ແມ່ນຜົນຜະລິດຈາກຕົວເຊື່ອມຕໍ່ X1.
ບັນຫາທີ່ພົບໃນລະຫວ່າງການທົດລອງ
ກ່ອນອື່ນໝົດ, ເມື່ອເປີດໄຟ, ຟິວໄຟກະທັນຫັນ, ແລະ ຕໍ່ມາເມື່ອກວດເບິ່ງວົງຈອນ, ພົບວ່າມີບັນຫາກັບການອອກແບບວົງຈອນເບື້ອງຕົ້ນ. ໃນເບື້ອງຕົ້ນ, ໃນຄໍາສັ່ງທີ່ຈະດີກວ່າຜົນກະທົບຂອງຜົນຜະລິດທໍ່ສະຫຼັບຂອງຕົນ, ການແຍກດິນ 24V ແລະ 15V, ທີ່ເຮັດໃຫ້ປະຕູຂອງ MOSFET G pole ທຽບເທົ່າກັບກັບຄືນໄປບ່ອນຂອງເສົາ S ແມ່ນ suspended, ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມຜິດພາດ. ການປິ່ນປົວແມ່ນການເຊື່ອມຕໍ່ດິນ 24V ແລະ 15V ຮ່ວມກັນ, ແລະອີກເທື່ອຫນຶ່ງເພື່ອຢຸດການທົດລອງ, ວົງຈອນເຮັດວຽກເປັນປົກກະຕິ. ການເຊື່ອມຕໍ່ວົງຈອນແມ່ນປົກກະຕິ, ແຕ່ໃນເວລາທີ່ມີສ່ວນຮ່ວມໃນສັນຍານຂັບ, ຄວາມຮ້ອນ MOSFET, ບວກກັບສັນຍານຂັບເປັນໄລຍະເວລາ, fuse ໄດ້ຖືກ blown, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເພີ່ມສັນຍານຂັບ, fuse ແມ່ນ blown ໂດຍກົງ. ກວດເບິ່ງວົງຈອນພົບວ່າວົງຈອນຫນ້າທີ່ລະດັບສູງຂອງສັນຍານຂັບມີຂະຫນາດໃຫຍ່ເກີນໄປ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ເວລາເປີດ MOSFET ຍາວເກີນໄປ. ການອອກແບບຂອງວົງຈອນນີ້ເຮັດໃຫ້ໃນເວລາທີ່ MOSFET ເປີດ, 24V ເພີ່ມໂດຍກົງກັບປາຍຂອງ MOSFET, ແລະບໍ່ໄດ້ເພີ່ມ resistor ຈໍາກັດໃນປະຈຸບັນ, ຖ້າ on-time ແມ່ນຍາວເກີນໄປທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ປະຈຸບັນມີຂະຫນາດໃຫຍ່ເກີນໄປ, ຄວາມເສຍຫາຍ MOSFET, ຄວາມຕ້ອງການທີ່ຈະຄວບຄຸມວົງຈອນຫນ້າທີ່ຂອງສັນຍານບໍ່ສາມາດມີຂະຫນາດໃຫຍ່ເກີນໄປ, ໂດຍທົ່ວໄປໃນ 10% ຫາ 20% ຫຼືດັ່ງນັ້ນ.
2.3 ການກວດສອບວົງຈອນໄດ
ເພື່ອກວດສອບຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງວົງຈອນຂັບ, ພວກເຮົາໃຊ້ມັນເພື່ອຂັບວົງຈອນ thyristor ເຊື່ອມຕໍ່ເປັນຊຸດກັບກັນແລະກັນ, thyristor ໃນຊຸດກັບກັນແລະກັນແລະຫຼັງຈາກນັ້ນຕ້ານການຂະຫນານ, ການເຂົ້າເຖິງວົງຈອນທີ່ມີ reactance inductive, ການສະຫນອງພະລັງງານ. ແມ່ນແຫຼ່ງແຮງດັນ AC 380V.
MOSFET ໃນວົງຈອນນີ້, thyristor Q2, Q8 trigger ສັນຍານໂດຍຜ່ານການເຂົ້າເຖິງ G11 ແລະ G12, ໃນຂະນະທີ່ Q5, Q11 trigger ສັນຍານຜ່ານ G21, G22 ເຂົ້າເຖິງ. ກ່ອນທີ່ສັນຍານຂັບໄດ້ຖືກຮັບກັບລະດັບປະຕູຮົ້ວ thyristor, ເພື່ອປັບປຸງຄວາມສາມາດໃນການຕ້ານການແຊກແຊງຂອງ thyristor, ປະຕູຂອງ thyristor ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບຕົວຕ້ານທານແລະຕົວເກັບປະຈຸ. ວົງຈອນນີ້ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບ inductor ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນໃສ່ເຂົ້າໄປໃນວົງຈອນຕົ້ນຕໍ. ຫຼັງຈາກການຄວບຄຸມມຸມ conduction ຂອງ thyristor ເພື່ອຄວບຄຸມ inductor ຂະຫນາດໃຫຍ່ເຂົ້າໄປໃນທີ່ໃຊ້ເວລາວົງຈອນຕົ້ນຕໍ, ວົງຈອນເທິງແລະຕ່ໍາຂອງມຸມໄລຍະຂອງຄວາມແຕກຕ່າງຂອງສັນຍານ trigger ຂອງເຄິ່ງຫນຶ່ງຂອງວົງຈອນ, G11 ແລະ G12 ເທິງເປັນສັນຍານຜົນກະທົບຕໍ່ທັງຫມົດ. ໂດຍຜ່ານວົງຈອນຂັບຂອງຂັ້ນຕອນທາງຫນ້າຂອງການຫັນເປັນ isolation ແມ່ນໂດດດ່ຽວຈາກກັນແລະກັນ, G21 ຕ່ໍາແລະ G22 ຍັງໂດດດ່ຽວຈາກວິທີການດຽວກັນຂອງສັນຍານ. ທັງສອງສັນຍານຜົນກະທົບຕໍ່ວົງຈອນ thyristor ຕ້ານຂະຫນານ conduction ໃນທາງບວກແລະທາງລົບ, ຂ້າງເທິງ 1 ຊ່ອງແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບແຮງດັນຂອງວົງຈອນ thyristor ທັງຫມົດ, ໃນ thyristor conduction ມັນຈະກາຍເປັນ 0, ແລະ 2, 3 ຊ່ອງແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບວົງຈອນ thyristor ຂຶ້ນແລະລົງ. ສັນຍານຜົນກະທົບຕໍ່ເສັ້ນທາງ, 4 ຊ່ອງທາງແມ່ນວັດແທກໂດຍການໄຫຼຂອງ thyristor ທັງຫມົດໃນປະຈຸບັນ.
2 ຊ່ອງທາງການວັດແທກສັນຍານຜົນກະທົບຕໍ່ໃນທາງບວກ, triggered ຂ້າງເທິງ conduction thyristor, ປະຈຸບັນເປັນບວກ; 3 ຊ່ອງທາງການວັດແທກສັນຍານຜົນກະທົບຕໍ່ການປີ້ນກັບກັນ, triggering ວົງຈອນຕ່ໍາຂອງ conduction thyristor, ປະຈຸບັນເປັນລົບ.
3. ວົງຈອນຂັບ IGBT ຂອງການສໍາມະນາ ວົງຈອນຂັບ IGBT ມີຫຼາຍຄໍາຮ້ອງຂໍພິເສດ, ສະຫຼຸບ:
(1) ຂັບອັດຕາການເພີ່ມຂຶ້ນແລະຫຼຸດລົງຂອງກໍາມະຈອນແຮງດັນຄວນຈະມີຂະຫນາດໃຫຍ່ພຽງພໍ. igbt ເປີດ, ແຂບຊັ້ນນໍາຂອງແຮງດັນປະຕູຮົ້ວ steep ໄດ້ຖືກເພີ່ມເຂົ້າໄປໃນປະຕູ G ແລະ emitter E ລະຫວ່າງປະຕູຮົ້ວ, ດັ່ງນັ້ນມັນໄດ້ຖືກເປີດຢ່າງໄວວາເພື່ອບັນລຸການຫັນທີ່ສັ້ນທີ່ສຸດເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການເປີດ. ໃນການປິດ IGBT, ວົງຈອນໄດປະຕູຄວນໃຫ້ຂອບທີ່ດິນ IGBT ແມ່ນແຮງດັນ shutdown steep ຫຼາຍ, ແລະປະຕູ IGBT G ແລະ emitter E ລະຫວ່າງແຮງດັນ reverse bias ທີ່ເຫມາະສົມ, ດັ່ງນັ້ນ IGBT ປິດໄວ, ຫຍໍ້ເວລາປິດ, ຫຼຸດຜ່ອນ. ການສູນເສຍການປິດ.
(2) ຫຼັງຈາກການດໍາເນີນການ IGBT, ແຮງດັນຂອງໄດແລະປະຈຸບັນທີ່ສະຫນອງໂດຍວົງຈອນໄດປະຕູຄວນຈະມີຄວາມກວ້າງຂວາງພຽງພໍສໍາລັບແຮງດັນແລະປະຈຸບັນຂອງໄດ IGBT, ດັ່ງນັ້ນຜົນຜະລິດພະລັງງານຂອງ IGBT ແມ່ນສະເຫມີຢູ່ໃນສະພາບອີ່ມຕົວ. ການໂຫຼດເກີນຊົ່ວຄາວ, ພະລັງງານຂັບລົດທີ່ສະຫນອງໂດຍວົງຈອນໄດປະຕູຮົ້ວຄວນຈະພຽງພໍເພື່ອຮັບປະກັນວ່າ IGBT ບໍ່ອອກຈາກພາກພື້ນການອີ່ມຕົວແລະຄວາມເສຍຫາຍ.
(3) ວົງຈອນໄດ IGBT ປະຕູຮົ້ວຄວນໃຫ້ແຮງດັນຂັບບວກ IGBT ເພື່ອເອົາຄ່າທີ່ເຫມາະສົມ, ໂດຍສະເພາະໃນຂະບວນການປະຕິບັດການວົງຈອນສັ້ນຂອງອຸປະກອນທີ່ໃຊ້ໃນ IGBT, ແຮງດັນຂັບບວກຄວນຈະຖືກເລືອກໃຫ້ເປັນຄ່າຕ່ໍາສຸດທີ່ຕ້ອງການ. ການປ່ຽນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງແຮງດັນປະຕູຂອງ IGBT ຄວນຈະເປັນ 10V ~ 15V ສໍາລັບທີ່ດີທີ່ສຸດ.
(4) ຂະບວນການປິດ IGBT, ແຮງດັນຄວາມລໍາອຽງທາງລົບນໍາໃຊ້ລະຫວ່າງປະຕູຮົ້ວ - emitter ແມ່ນເອື້ອອໍານວຍຕໍ່ການປິດຢ່າງໄວວາຂອງ IGBT, ແຕ່ບໍ່ຄວນເອົາຂະຫນາດໃຫຍ່ເກີນໄປ, ທໍາມະດາໃຊ້ເວລາ -2V ຫາ -10V.
(5) ໃນກໍລະນີຂອງການໂຫຼດ inductive ຂະຫນາດໃຫຍ່, ການສະຫຼັບໄວເກີນໄປເປັນອັນຕະລາຍ, ການໂຫຼດ inductive ຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນ IGBT ຢ່າງວ່ອງໄວເປີດແລະປິດ, ຈະຜະລິດຄວາມຖີ່ສູງແລະຄວາມກວ້າງໃຫຍ່ຂວາງແລະຄວາມກວ້າງແຄບຂອງແຮງດັນຂອງຮວງຕັ້ງແຈບ Ldi / dt. , ຮວງບໍ່ງ່າຍທີ່ຈະດູດຊຶມ, ງ່າຍທີ່ຈະສ້າງຄວາມເສຍຫາຍອຸປະກອນ.
(6) ຍ້ອນວ່າ IGBT ຖືກນໍາໃຊ້ໃນສະຖານທີ່ແຮງດັນສູງ, ດັ່ງນັ້ນວົງຈອນຂັບຄວນຈະຢູ່ກັບວົງຈອນຄວບຄຸມທັງຫມົດໃນທ່າແຮງຂອງການໂດດດ່ຽວຮ້າຍແຮງ, ການນໍາໃຊ້ປົກກະຕິຂອງການໂດດດ່ຽວຂອງສາຍເຊື່ອມຕໍ່ optical ຄວາມໄວສູງຫຼືການໂດດດ່ຽວຂອງຕົວປ່ຽນແປງ.
ສະຖານະວົງຈອນໄດ
ດ້ວຍການພັດທະນາເທກໂນໂລຍີປະສົມປະສານ, ວົງຈອນຂັບປະຕູ IGBT ໃນປະຈຸບັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຖືກຄວບຄຸມໂດຍຊິບປະສົມປະສານ. ຮູບແບບການຄວບຄຸມແມ່ນຍັງມີສາມປະເພດຕົ້ນຕໍ:
(1) ປະເພດ triggering ໂດຍກົງບໍ່ມີການແຍກໄຟຟ້າລະຫວ່າງສັນຍານເຂົ້າແລະຜົນຜະລິດ.
(2) ຂັບ isolation transformer ລະຫວ່າງ input ແລະ output signal ໂດຍໃຊ້ pulse transformer isolation, isolation voltage ສູງເຖິງ 4000V.
ມີ 3 ວິທີການດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້
ວິທີການຕົວຕັ້ງຕົວຕີ: ຜົນຜະລິດຂອງຫມໍ້ແປງສອງແມ່ນໃຊ້ເພື່ອຂັບ IGBT ໂດຍກົງ, ເນື່ອງຈາກຂໍ້ຈໍາກັດຂອງຄວາມສະເຫມີພາບຂອງ volt-second, ມັນສາມາດໃຊ້ໄດ້ກັບສະຖານທີ່ທີ່ວົງຈອນຫນ້າທີ່ບໍ່ປ່ຽນແປງຫຼາຍ.
ວິທີການທີ່ຫ້າວຫັນ: ຫມໍ້ແປງພຽງແຕ່ສະຫນອງສັນຍານທີ່ໂດດດ່ຽວ, ໃນວົງຈອນເຄື່ອງຂະຫຍາຍພລາສຕິກຂັ້ນສອງເພື່ອຂັບ IGBT, ຮູບແບບຂອງຄື້ນແມ່ນດີກວ່າ, ແຕ່ຄວາມຕ້ອງການທີ່ຈະສະຫນອງພະລັງງານເສີມແຍກຕ່າງຫາກ.
ວິທີການສະຫນອງຕົນເອງ: ຫມໍ້ແປງກໍາມະຈອນຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສົ່ງທັງພະລັງງານຂັບແລະໂມດູນຄວາມຖີ່ສູງແລະເຕັກໂນໂລຊີ demodulation ສໍາລັບການສົ່ງສັນຍານຕາມເຫດຜົນ, ແບ່ງອອກເປັນ modulation-type ຕົນເອງວິທີການສະຫນອງແລະເຕັກໂນໂລຊີທີ່ໃຊ້ເວລາແບ່ງປັນການສະຫນອງຕົນເອງ, ໃນທີ່ modulation. -type ຕົນເອງສະຫນອງພະລັງງານກັບຂົວ rectifier ເພື່ອສ້າງການສະຫນອງພະລັງງານທີ່ຈໍາເປັນ, ໂມດູນຄວາມຖີ່ສູງແລະເຕັກໂນໂລຊີ demodulation ເພື່ອສົ່ງສັນຍານຕາມເຫດຜົນ.
3. ການຕິດຕໍ່ແລະຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ thyristor ແລະ IGBT drive
ວົງຈອນຂັບ Thyristor ແລະ IGBT ມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນລະຫວ່າງສູນກາງທີ່ຄ້າຍຄືກັນ. ກ່ອນອື່ນ ໝົດ, ວົງຈອນຂັບສອງແມ່ນຕ້ອງການແຍກອຸປະກອນສະຫຼັບແລະວົງຈອນຄວບຄຸມຈາກກັນແລະກັນ, ເພື່ອຫຼີກເວັ້ນການວົງຈອນແຮງດັນສູງສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ວົງຈອນຄວບຄຸມ. ຈາກນັ້ນ, ທັງສອງຖືກນຳໃຊ້ກັບສັນຍານຂັບປະຕູເພື່ອກະຕຸ້ນອຸປະກອນສະຫຼັບເປີດ. ຄວາມແຕກຕ່າງແມ່ນວ່າໄດ thyristor ຕ້ອງການສັນຍານປະຈຸບັນ, ໃນຂະນະທີ່ IGBT ຕ້ອງການສັນຍານແຮງດັນ. ຫຼັງຈາກການປະຕິບັດອຸປະກອນສະຫຼັບ, ປະຕູຮົ້ວຂອງ thyristor ໄດ້ສູນເສຍການຄວບຄຸມການນໍາໃຊ້ thyristor, ຖ້າທ່ານຕ້ອງການທີ່ຈະປິດ thyristor, terminals thyristor ຄວນໄດ້ຮັບການເພີ່ມກັບແຮງດັນ reverse; ແລະການປິດ IGBT ພຽງແຕ່ຕ້ອງການເພີ່ມໃສ່ປະຕູຮົ້ວຂອງແຮງດັນທາງລົບ, ເພື່ອປິດ IGBT.
4. ບົດສະຫຼຸບ
ເອກະສານນີ້ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນແບ່ງອອກເປັນສອງພາກສ່ວນຂອງການເທື່ອເນື່ອງຈາກ, ສ່ວນທໍາອິດຂອງວົງຈອນຂັບ thyristor ຮ້ອງຂໍໃຫ້ຢຸດເຊົາການເທື່ອເນື່ອງຈາກ, ການອອກແບບຂອງວົງຈອນຂັບທີ່ສອດຄ້ອງກັນ, ແລະການອອກແບບຂອງວົງຈອນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ກັບວົງຈອນ thyristor ປະຕິບັດ, ໂດຍຜ່ານການ simulation. ແລະການທົດລອງເພື່ອພິສູດຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງວົງຈອນຂັບ, ຂະບວນການທົດລອງທີ່ພົບໃນການວິເຄາະບັນຫາໄດ້ຢຸດເຊົາແລະຈັດການກັບ. ສ່ວນທີສອງຂອງການສົນທະນາຕົ້ນຕໍກ່ຽວກັບ IGBT ຕາມຄໍາຮ້ອງຂໍຂອງວົງຈອນຂັບ, ແລະບົນພື້ນຖານນີ້ເພື່ອແນະນໍາເພີ່ມເຕີມວົງຈອນຂັບ IGBT ທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປໃນປະຈຸບັນ, ແລະວົງຈອນຂັບແຍກ optocoupler ຕົ້ນຕໍເພື່ອຢຸດການຈໍາລອງແລະການທົດລອງ, ເພື່ອພິສູດ. ຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງວົງຈອນຂັບ.
ເວລາປະກາດ: 15-4-2024
