ໃນຖານະເປັນອົງປະກອບສະຫຼັບ, MOSFET ແລະ IGBT ມັກຈະປາກົດຢູ່ໃນວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກ. ພວກເຂົາເຈົ້າຍັງຄ້າຍຄືກັນໃນລັກສະນະແລະຕົວກໍານົດການລັກສະນະ. ຂ້າພະເຈົ້າເຊື່ອວ່າຫຼາຍຄົນຄົງຈະສົງໄສວ່າເປັນຫຍັງບາງວົງຈອນຈໍາເປັນຕ້ອງໃຊ້ MOSFET, ໃນຂະນະທີ່ຄົນອື່ນເຮັດ. IGBT?
ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງພວກມັນແມ່ນຫຍັງ? ຕໍ່ໄປ,ໂອລູຄີຈະຕອບຄໍາຖາມຂອງທ່ານ!
ແມ່ນຫຍັງ aMOSFET?
MOSFET, ຊື່ເຕັມຂອງຈີນແມ່ນ metal-oxide semiconductor field effect transistor. ເນື່ອງຈາກວ່າປະຕູຮົ້ວຂອງ transistor ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມນີ້ແມ່ນຢູ່ໂດດດ່ຽວໂດຍຊັ້ນ insulating, ມັນຖືກເອີ້ນວ່າ transistor ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມ insulated. MOSFET ສາມາດແບ່ງອອກເປັນສອງປະເພດ: "N-type" ແລະ "P-type" ອີງຕາມການ polarity ຂອງ "ຊ່ອງທາງ" ຂອງຕົນ (ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຂົນສົ່ງ), ປົກກະຕິແລ້ວຍັງເອີ້ນວ່າ N MOSFET ແລະ P MOSFET.
MOSFET ຕົວຂອງມັນເອງມີ diode parasitic ຂອງຕົນເອງ, ເຊິ່ງຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອປ້ອງກັນ MOSFET ຈາກການເຜົາໄຫມ້ໃນເວລາທີ່ VDD ມີແຮງດັນເກີນ. ເນື່ອງຈາກວ່າກ່ອນທີ່ຈະ overvoltage ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມເສຍຫາຍຕໍ່ MOSFET, diode ໄດ້ reverse breaks ລົງທໍາອິດແລະ directs ໃນປະຈຸບັນຂະຫນາດໃຫຍ່ກັບດິນ, ດັ່ງນັ້ນການປ້ອງກັນ MOSFET ຈາກການຖືກໄຟໄຫມ້ອອກ.
IGBT ແມ່ນຫຍັງ?
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ແມ່ນອຸປະກອນ semiconductor ປະສົມທີ່ປະກອບດ້ວຍ transistor ແລະ MOSFET.
ສັນຍາລັກວົງຈອນຂອງ IGBT ຍັງບໍ່ທັນໄດ້ເປັນເອກະພາບເທື່ອ. ໃນເວລາທີ່ແຕ້ມແຜນວາດ schematic, ສັນຍາລັກຂອງ triode ແລະ MOSFET ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນຢືມ. ໃນເວລານີ້, ທ່ານສາມາດຕັດສິນໄດ້ບໍ່ວ່າຈະເປັນ IGBT ຫຼື MOSFET ຈາກຕົວແບບທີ່ຫມາຍຢູ່ໃນແຜນວາດ schematic.
ໃນເວລາດຽວກັນ, ທ່ານກໍ່ຄວນເອົາໃຈໃສ່ກັບວ່າ IGBT ມີ diode ຂອງຮ່າງກາຍ. ຖ້າມັນບໍ່ຖືກຫມາຍໃສ່ໃນຮູບ, ມັນບໍ່ໄດ້ຫມາຍຄວາມວ່າມັນບໍ່ມີ. ເວັ້ນເສຍແຕ່ວ່າຂໍ້ມູນຢ່າງເປັນທາງການລະບຸໄວ້ເປັນຢ່າງອື່ນ, diode ນີ້ມີຢູ່. ໄດໂອດຂອງຮ່າງກາຍພາຍໃນ IGBT ບໍ່ແມ່ນແມ່ກາຝາກ, ແຕ່ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນເປັນພິເສດເພື່ອປ້ອງກັນການປີ້ນກັບກັນທີ່ອ່ອນແອທົນທານຕໍ່ແຮງດັນຂອງ IGBT. ມັນຖືກເອີ້ນວ່າ FWD (freewheeling diode).
ໂຄງສ້າງພາຍໃນຂອງທັງສອງແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ
ສາມເສົາຂອງ MOSFET ແມ່ນແຫຼ່ງ (S), ທໍ່ລະບາຍນ້ໍາ (D) ແລະປະຕູຮົ້ວ (G).
ສາມເສົາຂອງ IGBT ແມ່ນຕົວເກັບ (C), emitter (E) ແລະປະຕູ (G).
IGBT ຖືກສ້າງຂຶ້ນໂດຍການເພີ່ມຊັ້ນເພີ່ມເຕີມໃສ່ທໍ່ລະບາຍນ້ໍາຂອງ MOSFET. ໂຄງສ້າງພາຍໃນຂອງພວກເຂົາມີດັ່ງນີ້:
ຂົງເຂດຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງທັງສອງແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ
ໂຄງສ້າງພາຍໃນຂອງ MOSFET ແລະ IGBT ແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ, ເຊິ່ງກໍານົດຂົງເຂດຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງພວກເຂົາ.
ເນື່ອງຈາກໂຄງສ້າງຂອງ MOSFET, ມັນມັກຈະສາມາດບັນລຸກະແສໄຟຟ້າຂະຫນາດໃຫຍ່, ເຊິ່ງສາມາດບັນລຸ KA, ແຕ່ຄວາມທົນທານຂອງແຮງດັນ prerequisite ແມ່ນບໍ່ແຂງແຮງເທົ່າກັບ IGBT. ພື້ນທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕົ້ນຕໍຂອງມັນແມ່ນການສະຫຼັບການສະຫນອງພະລັງງານ, ballasts, ຄວາມຮ້ອນ induction ຄວາມຖີ່ສູງ, ເຄື່ອງເຊື່ອມ inverter ຄວາມຖີ່ສູງ, ການສະຫນອງພະລັງງານການສື່ສານແລະພາກສະຫນາມການສະຫນອງພະລັງງານຄວາມຖີ່ສູງອື່ນໆ.
IGBT ສາມາດຜະລິດພະລັງງານຫຼາຍ, ປະຈຸບັນແລະແຮງດັນ, ແຕ່ຄວາມຖີ່ບໍ່ສູງເກີນໄປ. ໃນປັດຈຸບັນ, ຄວາມໄວການປ່ຽນຍາກຂອງ IGBT ສາມາດບັນລຸ 100KHZ. IGBT ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນເຄື່ອງເຊື່ອມ, inverters, converters ຄວາມຖີ່, ການສະຫນອງພະລັງງານ electroplating electrolytic, ຄວາມຮ້ອນ induction ultrasonic ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.
ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍຂອງ MOSFET ແລະ IGBT
MOSFET ມີລັກສະນະ impedance ຂາເຂົ້າສູງ, ຄວາມໄວສະຫຼັບໄວ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ການຄວບຄຸມກະແສໄຟຟ້າ, ແລະອື່ນໆໃນວົງຈອນ, ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ, ສະຫຼັບເອເລັກໂຕຣນິກແລະຈຸດປະສົງອື່ນໆ.
ເປັນອຸປະກອນ semiconductor ເອເລັກໂຕຣນິກໃຫມ່, IGBT ມີລັກສະນະ impedance ຂາເຂົ້າສູງ, ການບໍລິໂພກພະລັງງານການຄວບຄຸມແຮງດັນຕ່ໍາ, ວົງຈອນການຄວບຄຸມງ່າຍດາຍ, ຄວາມຕ້ານທານແຮງດັນສູງ, ແລະຄວາມທົນທານໃນປະຈຸບັນຂະຫນາດໃຫຍ່, ແລະໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກຕ່າງໆ.
ວົງຈອນທຽບເທົ່າທີ່ເຫມາະສົມຂອງ IGBT ແມ່ນສະແດງຢູ່ໃນຮູບຂ້າງລຸ່ມນີ້. IGBT ຕົວຈິງແລ້ວແມ່ນການປະສົມປະສານຂອງ MOSFET ແລະ transistor. MOSFET ມີຂໍ້ເສຍຂອງຄວາມຕ້ານທານສູງ, ແຕ່ IGBT ເອົາຊະນະຂໍ້ບົກຜ່ອງນີ້. IGBT ຍັງມີຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າຢູ່ທີ່ແຮງດັນສູງ. .
ໂດຍທົ່ວໄປ, ປະໂຫຍດຂອງ MOSFET ແມ່ນວ່າມັນມີຄຸນລັກສະນະຄວາມຖີ່ສູງທີ່ດີແລະສາມາດປະຕິບັດງານໄດ້ໃນຄວາມຖີ່ຫຼາຍຮ້ອຍ kHz ແລະເຖິງ MHz. ຂໍ້ເສຍແມ່ນວ່າ on-resistance ມີຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະການບໍລິໂພກພະລັງງານແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນສະຖານະການແຮງດັນສູງແລະສູງໃນປະຈຸບັນ. IGBT ປະຕິບັດໄດ້ດີໃນສະຖານະການຄວາມຖີ່ຕ່ໍາແລະພະລັງງານສູງ, ດ້ວຍຄວາມຕ້ານທານຂະຫນາດນ້ອຍແລະທົນທານຕໍ່ແຮງດັນສູງ.
ເລືອກ MOSFET ຫຼື IGBT
ໃນວົງຈອນ, ບໍ່ວ່າຈະເລືອກ MOSFET ເປັນທໍ່ສະຫຼັບພະລັງງານຫຼື IGBT ແມ່ນຄໍາຖາມທີ່ນັກວິສະວະກອນມັກພົບເລື້ອຍໆ. ຖ້າປັດໃຈຕ່າງໆເຊັ່ນ: ແຮງດັນ, ກະແສໄຟຟ້າ, ແລະພະລັງງານປ່ຽນຂອງລະບົບຖືກພິຈາລະນາ, ຈຸດຕໍ່ໄປນີ້ສາມາດສະຫຼຸບໄດ້:
ຄົນມັກຖາມວ່າ: "MOSFET ຫຼື IGBT ດີກວ່າບໍ?" ໃນຄວາມເປັນຈິງ, ບໍ່ມີຄວາມແຕກຕ່າງທີ່ດີຫຼືບໍ່ດີລະຫວ່າງສອງຄົນ. ສິ່ງທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດແມ່ນການເບິ່ງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕົວຈິງຂອງມັນ.
ຖ້າທ່ານຍັງມີຄໍາຖາມກ່ຽວກັບຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ MOSFET ແລະ IGBT, ທ່ານສາມາດຕິດຕໍ່ Olukey ສໍາລັບລາຍລະອຽດ.
Olukey ສ່ວນໃຫຍ່ແຈກຢາຍ WINSOK ຜະລິດຕະພັນ MOSFET ແຮງດັນກາງແລະຕ່ໍາຂອງ WINSOK. ຜະລິດຕະພັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາການທະຫານ, ກະດານຂັບ LED / LCD, ກະດານຂັບລົດມໍເຕີ, ການສາກໄຟໄວ, ຢາສູບເອເລັກໂຕຣນິກ, ຈໍ LCD, ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າ, ເຄື່ອງໃຊ້ໃນຄົວເຮືອນຂະຫນາດນ້ອຍ, ຜະລິດຕະພັນທາງການແພດ, ແລະຜະລິດຕະພັນ Bluetooth. ເຄື່ອງຊັ່ງເອເລັກໂຕຣນິກ, ເຄື່ອງເອເລັກໂຕຣນິກຍານພາຫະນະ, ຜະລິດຕະພັນເຄືອຂ່າຍ, ເຄື່ອງໃຊ້ໃນຄອບຄົວ, ອຸປະກອນຄອມພິວເຕີແລະຜະລິດຕະພັນດິຈິຕອນຕ່າງໆ.
ເວລາປະກາດ: 18-12-2023
