ນີ້ແມ່ນການຫຸ້ມຫໍ່MOSFETເຊັນເຊີ pyroelectric infrared. ກອບສີ່ຫລ່ຽມແມ່ນປ່ອງຢ້ຽມຮັບຮູ້. G pin ແມ່ນຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ດິນ, ເຂັມ D ແມ່ນທໍ່ລະບາຍນ້ໍາ MOSFET ພາຍໃນ, ແລະ PIN S ແມ່ນແຫຼ່ງ MOSFET ພາຍໃນ. ໃນວົງຈອນ, G ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບດິນ, D ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບການສະຫນອງພະລັງງານໃນທາງບວກ, ສັນຍານ infrared ແມ່ນ input ຈາກປ່ອງຢ້ຽມ, ແລະສັນຍານໄຟຟ້າແມ່ນຜົນຜະລິດຈາກ S.
ປະຕູຕັດສິນ G
ໄດເວີ MOS ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນມີບົດບາດຂອງຮູບຮ່າງຂອງຄື້ນແລະການປັບປຸງການຂັບຂີ່: ຖ້າຮູບແບບສັນຍານ G ຂອງMOSFETແມ່ນບໍ່ຊັນພຽງພໍ, ມັນຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການສູນເສຍພະລັງງານຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນລະຫວ່າງຂັ້ນຕອນການສະຫຼັບ. ຜົນຂ້າງຄຽງຂອງມັນແມ່ນການຫຼຸດຜ່ອນປະສິດທິພາບການແປງວົງຈອນ. MOSFET ຈະມີໄຂ້ຮ້າຍແຮງແລະຖືກທໍາລາຍໄດ້ງ່າຍຈາກຄວາມຮ້ອນ. ມີຄວາມຈຸທີ່ແນ່ນອນລະຫວ່າງ MOSFETGS. , ຖ້າຄວາມສາມາດຂັບລົດສັນຍານ G ແມ່ນບໍ່ພຽງພໍ, ມັນຈະມີຜົນກະທົບຢ່າງຮ້າຍແຮງຕໍ່ເວລາກະໂດດຂອງ waveform.
ວົງຈອນສັ້ນຂອງເສົາ GS, ເລືອກລະດັບ R × 1 ຂອງ multimeter, ເຊື່ອມຕໍ່ນໍາການທົດສອບສີດໍາກັບເສົາ S, ແລະການທົດສອບສີແດງນໍາໄປສູ່ເສົາ D. ຄວາມຕ້ານທານຄວນຈະເປັນສອງສາມΩຫາຫຼາຍກ່ວາສິບ Ω. ຖ້າພົບວ່າຄວາມຕ້ານທານຂອງ pin ທີ່ແນ່ນອນແລະສອງ pin ຂອງມັນແມ່ນ infinite, ແລະມັນຍັງຄົງເປັນ infinite ຫຼັງຈາກການແລກປ່ຽນນໍາການທົດສອບ, ມັນໄດ້ຖືກຢືນຢັນວ່າ pin ນີ້ແມ່ນ G pole, ເນື່ອງຈາກວ່າມັນແມ່ນ insulated ຈາກສອງ pins ອື່ນໆ.
ກໍານົດແຫຼ່ງ S ແລະ drain D
ຕັ້ງມັນຕິມິເຕີເປັນ R×1k ແລະວັດແທກຄວາມຕ້ານທານລະຫວ່າງສາມເຂັມຕາມລໍາດັບ. ໃຊ້ວິທີແລກປ່ຽນຕົວນໍາການທົດສອບເພື່ອວັດແທກຄວາມຕ້ານທານສອງຄັ້ງ. ຫນຶ່ງທີ່ມີມູນຄ່າການຕໍ່ຕ້ານຕ່ໍາ (ໂດຍທົ່ວໄປສອງສາມພັນΩຫາຫຼາຍກວ່າສິບພັນΩ) ແມ່ນການຕໍ່ຕ້ານຕໍ່ຫນ້າ. ໃນເວລານີ້, ແກນທົດສອບສີດໍາແມ່ນເສົາ S ແລະແກນທົດສອບສີແດງແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບເສົາ D. ເນື່ອງຈາກເງື່ອນໄຂການທົດສອບທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ຄ່າ RDS (on) ທີ່ວັດແທກໄດ້ສູງກວ່າຄ່າປົກກະຕິທີ່ໃຫ້ຢູ່ໃນຄູ່ມື.
ກ່ຽວກັບMOSFET
transistor ມີຊ່ອງ N-type ດັ່ງນັ້ນມັນຖືກເອີ້ນວ່າ N-channelMOSFET, ຫຼືNMOS. P-channel MOS (PMOS) FET ຍັງມີຢູ່, ເຊິ່ງເປັນ PMOSFET ປະກອບດ້ວຍ BACKGATE N-type doped ເບົາບາງແລະແຫຼ່ງ P-type ແລະລະບາຍ.
ໂດຍບໍ່ສົນເລື່ອງຂອງ N-type ຫຼື P-type MOSFET, ຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງມັນແມ່ນສໍາຄັນຄືກັນ. MOSFET ຄວບຄຸມກະແສໄຟຟ້າຢູ່ທີ່ທໍ່ລະບາຍນ້ໍາຂອງປາຍຜົນຜະລິດໂດຍແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ໃຊ້ກັບປະຕູຮົ້ວຂອງສະຖານີປ້ອນຂໍ້ມູນ. MOSFET ເປັນອຸປະກອນຄວບຄຸມແຮງດັນ. ມັນຄວບຄຸມຄຸນລັກສະນະຂອງອຸປະກອນໂດຍຜ່ານແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ໃຊ້ກັບປະຕູຮົ້ວ. ມັນບໍ່ໄດ້ເຮັດໃຫ້ເກີດຜົນກະທົບຂອງການເກັບຮັກສາຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ເກີດຈາກກະແສພື້ນຖານໃນເວລາທີ່ transistor ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການສະຫຼັບ. ດັ່ງນັ້ນ, ໃນການປ່ຽນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ,MOSFETsຄວນປ່ຽນໄວກວ່າ transistors.
FET ຍັງໄດ້ຮັບຊື່ຂອງມັນຈາກຄວາມຈິງທີ່ວ່າວັດສະດຸປ້ອນຂອງມັນ (ເອີ້ນວ່າປະຕູຮົ້ວ) ມີຜົນກະທົບຕໍ່ກະແສໄຟຟ້າທີ່ໄຫຼຜ່ານ transistor ໂດຍການຄາດຄະເນພາກສະຫນາມໄຟຟ້າໃສ່ຊັ້ນ insulating. ໃນຄວາມເປັນຈິງ, ບໍ່ມີກະແສໄຟຟ້າໄຫຼຜ່ານ insulator ນີ້, ດັ່ງນັ້ນ GATE ໃນປະຈຸບັນຂອງທໍ່ FET ມີຂະຫນາດນ້ອຍຫຼາຍ.
FET ທົ່ວໄປທີ່ສຸດໃຊ້ຊັ້ນບາງໆຂອງຊິລິໂຄນໄດອອກໄຊເປັນ insulator ພາຍໃຕ້ GATE.
ປະເພດນີ້ເອີ້ນວ່າ transistor ໂລຫະ oxide semiconductor (MOS), ຫຼື, metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). ເນື່ອງຈາກວ່າ MOSFETs ມີຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າແລະມີປະສິດທິພາບພະລັງງານຫຼາຍ, ພວກເຂົາເຈົ້າໄດ້ທົດແທນ transistors bipolar ໃນຫຼາຍຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ.
ເວລາປະກາດ: 10-11-2023
