ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ MOSFETs ແລະ Triodes ເມື່ອໃຊ້ເປັນສະຫຼັບແມ່ນຫຍັງ?

MOSFET ແລະ Triode ແມ່ນອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທົ່ວໄປຫຼາຍ, ທັງສອງສາມາດນໍາໃຊ້ເປັນສະຫຼັບເອເລັກໂຕຣນິກ, ແຕ່ຍັງຢູ່ໃນຫຼາຍໂອກາດທີ່ຈະແລກປ່ຽນການນໍາໃຊ້ຂອງສະຫຼັບ, ເປັນສະຫຼັບການນໍາໃຊ້,MOSFETແລະ Triode ມີຄວາມຄ້າຍຄືກັນຫຼາຍ, ຍັງມີສະຖານທີ່ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ດັ່ງນັ້ນທັງສອງຄວນເລືອກແນວໃດ?

 

Triode ມີປະເພດ NPN ແລະ PNP type.MOSFET ຍັງມີ N-channel ແລະ P-channel. ສາມ pins ຂອງ MOSFET ແມ່ນປະຕູ G, drain D ແລະແຫຼ່ງ S, ແລະສາມ pins ຂອງ Triode ແມ່ນຖານ B, collector C ແລະ emitter E. ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ MOSFET ແລະ Triode ແມ່ນຫຍັງ?

 

 

N-MOSFET ແລະ NPN Triode ໃຊ້ເປັນຫຼັກການສະຫຼັບ

 

(1​) ຮູບ​ແບບ​ການ​ຄວບ​ຄຸມ​ທີ່​ແຕກ​ຕ່າງ​ກັນ​

Triode ເປັນອົງປະກອບຄວບຄຸມໃນປະຈຸບັນ, ແລະ MOSFET ເປັນອົງປະກອບຄວບຄຸມແຮງດັນ, Triode ກ່ຽວກັບຄວາມຕ້ອງການແຮງດັນຂອງວັດສະດຸປ້ອນຂອງດ້ານຄວບຄຸມແມ່ນຂ້ອນຂ້າງຕ່ໍາ, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ 0.4V ກັບ 0.6V ຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນສາມາດຮັບຮູ້ Triode ສຸດ, ໂດຍການປ່ຽນແປງຂອບເຂດຈໍາກັດພື້ນຖານ. ຕົວຕ້ານທານໃນປະຈຸບັນສາມາດປ່ຽນພື້ນຖານໃນປະຈຸບັນ. MOSFET ແມ່ນຄວບຄຸມແຮງດັນ, ແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການດໍາເນີນການໂດຍປົກກະຕິແມ່ນປະມານ 4V ຫາ 10V, ແລະເມື່ອຄວາມອີ່ມຕົວບັນລຸ, ແຮງດັນທີ່ຕ້ອງການແມ່ນປະມານ 6V ຫາ 10V. ໃນການຄວບຄຸມໂອກາດແຮງດັນຕ່ໍາ, ການນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປຂອງ Triode ເປັນສະຫຼັບ, ຫຼື Triode ເປັນ buffer ຄວບຄຸມ MOSFET ເຊັ່ນ microcontrollers, DSP, PowerPC ແລະໂຮງງານຜະລິດອື່ນໆ I / O ແຮງດັນຂອງພອດແມ່ນຂ້ອນຂ້າງຕ່ໍາ, ພຽງແຕ່ 3.3V ຫຼື 2.5V. , ໂດຍທົ່ວໄປຈະບໍ່ຄວບຄຸມໂດຍກົງMOSFET, ແຮງດັນຕ່ໍາ, MOSFET ບໍ່ສາມາດດໍາເນີນການຫຼືຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຂອງການບໍລິໂພກພາຍໃນຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນກໍລະນີນີ້, ການຄວບຄຸມ Triode ປົກກະຕິແລ້ວຖືກນໍາໃຊ້.

 

(2) impedance ວັດສະດຸປ້ອນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ

impedance ວັດສະດຸປ້ອນຂອງ Triode ແມ່ນຂະຫນາດນ້ອຍ, impedance ວັດສະດຸປ້ອນຂອງ MOSFET ມີຂະຫນາດໃຫຍ່, ຄວາມອາດສາມາດຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ, ຄວາມອາດສາມາດຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ Triode ແມ່ນໃຫຍ່ກວ່າ MOSFET, ການປະຕິບັດຕາມຄວາມເຫມາະສົມຂອງ MOSFET ຈະໄວກວ່າ Triode;MOSFETໃນຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງທີ່ດີກວ່າ, ເປັນຫຼາຍ conductor, ສິ່ງລົບກວນຂະຫນາດນ້ອຍ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນແມ່ນດີກວ່າ.

ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຂອງ MOSFET ແມ່ນນ້ອຍຫຼາຍ, ແລະການຫຼຸດລົງແຮງດັນໄຟຟ້າຂອງ Triode ແມ່ນເກືອບຄົງທີ່, ໃນໂອກາດຂະຫນາດນ້ອຍໃນປະຈຸບັນ, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວການນໍາໃຊ້ Triode, ແລະໃຊ້ MOSFET ເຖິງແມ່ນວ່າຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຈະນ້ອຍຫຼາຍ, ແຕ່ປະຈຸບັນມີຂະຫນາດໃຫຍ່, ການຫຼຸດລົງຂອງແຮງດັນແມ່ນຍັງ. ຂະຫນາດໃຫຍ່ຫຼາຍ.