diode ຮ່າງກາຍ (ເຊິ່ງມັກຈະເອີ້ນວ່າ diode ປົກກະຕິ, ເປັນຄໍາສັບ“diode ຮ່າງກາຍ”ບໍ່ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນສະພາບການປົກກະຕິແລະອາດຈະຫມາຍເຖິງລັກສະນະຫຼືໂຄງສ້າງຂອງ diode ຕົວຂອງມັນເອງ; ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ສໍາລັບຈຸດປະສົງນີ້, ພວກເຮົາສົມມຸດວ່າມັນຫມາຍເຖິງ diode ມາດຕະຖານ) ແລະ MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ແຕກຕ່າງກັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນຫຼາຍດ້ານ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນການວິເຄາະລາຍລະອຽດຂອງຄວາມແຕກຕ່າງຂອງພວກເຂົາ:
1. ນິຍາມ ແລະ ໂຄງສ້າງພື້ນຖານ
- ໄດໂອດ: ໄດໂອດເປັນອຸປະກອນເຊມິຄອນດັກເຕີທີ່ມີສອງ electrodes, ປະກອບດ້ວຍສານ semiconductors P-type ແລະ N-type, ປະກອບເປັນ PN junction. ມັນພຽງແຕ່ອະນຸຍາດໃຫ້ກະແສໄຫຼຈາກທາງບວກໄປຫາດ້ານລົບ (ຄວາມລໍາອຽງຕໍ່ຫນ້າ) ໃນຂະນະທີ່ຂັດຂວາງການໄຫຼຍ້ອນກັບ (ຄວາມລໍາອຽງປີ້ນກັບກັນ).
- MOSFET: A MOSFET ເປັນອຸປະກອນ semiconductor ສາມປາຍທີ່ໃຊ້ຜົນກະທົບພາກສະຫນາມໄຟຟ້າເພື່ອຄວບຄຸມກະແສ. ມັນປະກອບດ້ວຍປະຕູຮົ້ວ (G), ແຫຼ່ງ (S), ແລະລະບາຍນ້ໍາ (D). ກະແສໄຟຟ້າລະຫວ່າງແຫຼ່ງແລະທໍ່ລະບາຍນ້ໍາຖືກຄວບຄຸມໂດຍແຮງດັນປະຕູ.
2. ຫຼັກການເຮັດວຽກ
- Diode: ຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງ diode ແມ່ນອີງໃສ່ conductivity unidirectional ຂອງ PN junction. ພາຍໃຕ້ຄວາມລໍາອຽງຕໍ່ຫນ້າ, ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ (ຮູແລະເອເລັກໂຕຣນິກ) ກະຈາຍໄປທົ່ວຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ PN ເພື່ອສ້າງເປັນກະແສ; ພາຍໃຕ້ຄວາມລໍາອຽງຍ້ອນກັບ, ສິ່ງກີດຂວາງທີ່ອາດເກີດຂື້ນແມ່ນຖືກສ້າງຂຶ້ນ, ປ້ອງກັນການໄຫຼຂອງປະຈຸບັນ.
- MOSFET: ຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງ MOSFET ແມ່ນອີງໃສ່ຜົນກະທົບຂອງພາກສະຫນາມໄຟຟ້າ. ໃນເວລາທີ່ແຮງດັນຂອງປະຕູຮົ້ວມີການປ່ຽນແປງ, ມັນປະກອບເປັນຊ່ອງທາງ conductive (N-channel ຫຼື P-channel) ຢູ່ດ້ານຂອງ semiconductor ພາຍໃຕ້ປະຕູຮົ້ວ, ຄວບຄຸມກະແສໄຟຟ້າລະຫວ່າງແຫຼ່ງແລະທໍ່ລະບາຍນ້ໍາ. MOSFETs ແມ່ນອຸປະກອນຄວບຄຸມແຮງດັນ, ມີກະແສໄຟອອກຂຶ້ນຢູ່ກັບແຮງດັນຂາເຂົ້າ.
3. ລັກສະນະການປະຕິບັດ
- Diode:
- ເຫມາະສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງແລະພະລັງງານຕ່ໍາ.
- ມີ unidirectional conductivity, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນ rectification, ການຊອກຄົ້ນຫາ, ແລະວົງຈອນລະບຽບການແຮງດັນ.
- ແຮງດັນການຫັກຖອຍຫຼັງແມ່ນຕົວກໍານົດການທີ່ສໍາຄັນແລະຕ້ອງໄດ້ຮັບການພິຈາລະນາໃນການອອກແບບເພື່ອຫຼີກເວັ້ນບັນຫາການຫັກຖອຍຫລັງ.
- MOSFET:
- ມີ impedance input ສູງ, ສຽງຕ່ໍາ, ການບໍລິໂພກພະລັງງານຕ່ໍາ, ແລະສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ.
- ເຫມາະສໍາລັບວົງຈອນປະສົມປະສານຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ.
- MOSFETs ແບ່ງອອກເປັນປະເພດ N-channel ແລະ P-channel, ແຕ່ລະປະເພດມາໃນການປັບປຸງຮູບແບບແລະ depletion-mode ແນວພັນ.
- ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄຸນນະສົມບັດຄົງທີ່ທີ່ດີໃນປັດຈຸບັນ, ທີ່ຍັງເຫຼືອເກືອບຄົງທີ່ໃນພາກພື້ນການອີ່ມຕົວ.
4. Application Fields
- Diode: ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນເອເລັກໂຕຣນິກ, ການສື່ສານ, ແລະການສະຫນອງພະລັງງານ, ເຊັ່ນ: ໃນວົງຈອນ rectification, ວົງຈອນລະບຽບການແຮງດັນ, ແລະວົງຈອນກວດຈັບ.
- MOSFET: ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນວົງຈອນປະສົມປະສານ, ເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, ຄອມພິວເຕີ, ແລະການສື່ສານ, ນໍາໃຊ້ເປັນອົງປະກອບສະຫຼັບ, ອົງປະກອບຂະຫຍາຍ, ແລະອົງປະກອບຂັບລົດ.
5. ສະຫຼຸບ
Diodes ແລະ MOSFETs ແຕກຕ່າງກັນໃນຄໍານິຍາມພື້ນຖານຂອງເຂົາເຈົ້າ, ໂຄງສ້າງ, ຫຼັກການການເຮັດວຽກ, ລັກສະນະປະສິດທິພາບ, ແລະຂົງເຂດຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ. Diodes ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການແກ້ໄຂແລະລະບຽບການແຮງດັນເນື່ອງຈາກການນໍາ unidirectional ຂອງເຂົາເຈົ້າ, ໃນຂະນະທີ່ MOSFETs ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນວົງຈອນປະສົມປະສານແລະພະລັງງານເອເລັກໂຕຣນິກເນື່ອງຈາກ impedance ຂາເຂົ້າສູງ, ສຽງຕ່ໍາ, ແລະພະລັງງານຕ່ໍາ. ທັງສອງອົງປະກອບແມ່ນພື້ນຖານຂອງເຕັກໂນໂລຢີເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ທັນສະໄຫມ, ແຕ່ລະຄົນສະເຫນີຂໍ້ດີຂອງຕົນເອງ.
ເວລາປະກາດ: ກັນຍາ-18-2024
