ໂຄງປະກອບການໂລຫະ-Oxide-SemIConductor ຂອງໄປເຊຍກັນ transistor ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກທົ່ວໄປເປັນMOSFET, ບ່ອນທີ່ MOSFETs ຖືກແບ່ງອອກເປັນ P-type MOSFETs ແລະ N-type MOSFETs. ວົງຈອນລວມທີ່ປະກອບດ້ວຍ MOSFETs ຍັງເອີ້ນວ່າວົງຈອນປະສົມປະສານ MOSFET, ແລະວົງຈອນປະສົມປະສານ MOSFET ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງຢ່າງໃກ້ຊິດປະກອບດ້ວຍ PMOSFETs ແລະNMOSFETs ເອີ້ນວ່າວົງຈອນລວມ CMOSFET.
MOSFET ປະກອບດ້ວຍຊັ້ນຍ່ອຍ p-type ແລະສອງພື້ນທີ່ແຜ່ກະຈາຍ n ທີ່ມີຄ່າຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນສູງຖືກເອີ້ນວ່າ n-channel.MOSFET, ແລະຊ່ອງທາງ conductive ທີ່ເກີດຈາກຊ່ອງທາງ conductive n-type ແມ່ນເກີດຈາກເສັ້ນທາງ n-spreading ໃນສອງເສັ້ນທາງ n-spreading ທີ່ມີຄ່າຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນສູງເມື່ອທໍ່ນໍາ. n-channel thickened MOSFETs ມີ n-channel ທີ່ເກີດຈາກຊ່ອງທາງ conductive ໃນເວລາທີ່ຄວາມລໍາອຽງທິດທາງໃນທາງບວກໄດ້ຖືກຍົກຂຶ້ນມາຫຼາຍເທົ່າທີ່ເປັນໄປໄດ້ຢູ່ທີ່ປະຕູຮົ້ວແລະພຽງແຕ່ໃນເວລາທີ່ການດໍາເນີນງານແຫຼ່ງປະຕູຮົ້ວຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີແຮງດັນປະຕິບັດການເກີນແຮງດັນເກນ. n-channel depletion MOSFETs ແມ່ນບໍ່ພ້ອມທີ່ຈະແຮງດັນປະຕູ (ການດໍາເນີນງານຂອງແຫຼ່ງປະຕູຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີແຮງດັນປະຕິບັດການຂອງສູນ). ເປັນ n-channel depletion ແສງສະຫວ່າງ MOSFET ເປັນ n-channel MOSFET ທີ່ຊ່ອງທາງ conductive ແມ່ນເກີດມາຈາກໃນເວລາທີ່ແຮງດັນປະຕູຮົ້ວ (ຂໍ້ກໍານົດຂອງແຫຼ່ງປະຕູຮົ້ວປະຕິບັດການແຮງດັນໄຟຟ້າເປັນສູນ) ບໍ່ໄດ້ກະກຽມ.
ວົງຈອນປະສົມປະສານ NMOSFET ແມ່ນວົງຈອນການສະຫນອງພະລັງງານ N-channel MOSFET, ວົງຈອນປະສົມປະສານ NMOSFET, ຄວາມຕ້ານທານຂອງວັດສະດຸປ້ອນແມ່ນສູງຫຼາຍ, ສ່ວນໃຫຍ່ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງຍ່ອຍສະຫຼາຍການດູດຊຶມຂອງກະແສໄຟຟ້າ, ແລະດັ່ງນັ້ນ CMOSFET ແລະ NMOSFET ວົງຈອນປະສົມປະສານທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ໂດຍບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງໃຊ້ເວລາເຂົ້າໄປໃນ. account the load of power flow.NMOSFET ວົງຈອນປະສົມປະສານ, ສ່ວນໃຫຍ່ຂອງການຄັດເລືອກຂອງກຸ່ມດຽວກຸ່ມບວກ switching power supply ວົງຈອນການສະຫນອງພະລັງງານ ວົງຈອນການສະຫນອງພະລັງງານ NMOSFET ສ່ວນໃຫຍ່ຂອງວົງຈອນການສະຫນອງພະລັງງານ switching ບວກດຽວວົງຈອນສະຫນອງພະລັງງານ, ແລະເພື່ອ. 9V ສໍາລັບເພີ່ມເຕີມ. ວົງຈອນລວມ CMOSFET ພຽງແຕ່ຕ້ອງໃຊ້ວົງຈອນສະຫນອງພະລັງງານສະຫຼັບດຽວກັນກັບວົງຈອນການສະຫນອງພະລັງງານຂອງ NMOSFET, ສາມາດເຊື່ອມຕໍ່ກັບວົງຈອນປະສົມປະສານ NMOSFET ທັນທີ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ຈາກ NMOSFET ກັບ CMOSFET ເຊື່ອມຕໍ່ທັນທີ, ເນື່ອງຈາກວ່າ NMOSFET ຜົນຜະລິດການດຶງຂຶ້ນແມ່ນຫນ້ອຍກ່ວາວົງຈອນປະສົມປະສານ CMOSFET keyed pull-up resistance, ສະນັ້ນພະຍາຍາມທີ່ຈະນໍາໃຊ້ຄວາມແຕກຕ່າງທີ່ມີທ່າແຮງ pull-up resistor R, ມູນຄ່າຂອງ resistor R ແມ່ນ. ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ 2 ຫາ 100KΩ.
ການກໍ່ສ້າງ MOSFETs ຫນາ N-channel
ໃນຊັ້ນຍ່ອຍຊິລິໂຄນ P-type ທີ່ມີມູນຄ່າຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຝຸ່ນຕ່ໍາ, ສອງພື້ນທີ່ N ທີ່ມີຄ່າຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງ doping ສູງແມ່ນເຮັດ, ແລະສອງ electrodes ຖືກດຶງອອກຈາກໂລຫະອາລູມິນຽມເພື່ອຮັບໃຊ້ເປັນທໍ່ລະບາຍນ້ໍາ d ແລະແຫຼ່ງ s, ຕາມລໍາດັບ.
ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ໃນພື້ນຜິວອົງປະກອບຂອງ semiconductor masking ເປັນຊັ້ນບາງໆຂອງທໍ່ insulating silica, ໃນ drain ໄດ້ - ທໍ່ insulating ແຫຼ່ງລະຫວ່າງ drain ແລະແຫຼ່ງຂອງ electrode ອະລູມິນຽມອື່ນ, ເປັນປະຕູ g.
ໃນ substrate ຍັງນໍາໄປສູ່ electrode B, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍ N-channel ຫນາ MOSFET. ແຫຼ່ງ MOSFET ແລະ substrate ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັນ, ສ່ວນໃຫຍ່ຂອງທໍ່ໃນໂຮງງານໄດ້ເຊື່ອມຕໍ່ມັນມາດົນນານ, ປະຕູຮົ້ວຂອງມັນແລະ electrodes ອື່ນໆແມ່ນ insulated ລະຫວ່າງ casing.
ເວລາປະກາດ: 26-05-2024
