MOSFET ຕົວຂອງມັນເອງມີຂໍ້ດີຫຼາຍ, ແຕ່ໃນເວລາດຽວກັນ MOSFET ມີຄວາມສາມາດ overload ໃນໄລຍະສັ້ນທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວຫຼາຍ, ໂດຍສະເພາະໃນສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງ, ດັ່ງນັ້ນໃນການນໍາໃຊ້ພະລັງງານ.MOSFETs ຕ້ອງໄດ້ຮັບການພັດທະນາສໍາລັບວົງຈອນປ້ອງກັນປະສິດທິພາບຂອງຕົນເພື່ອເສີມຂະຫຍາຍຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸປະກອນ.
ເພື່ອເຮັດໃຫ້ການປ້ອງກັນ overcurrent bluntly, ແມ່ນຢູ່ໃນຜົນຜະລິດຂອງຄວາມຜິດຂອງວົງຈອນສັ້ນຫຼື overload ກ່ຽວກັບການສະຫນອງພະລັງງານຫຼືການບໍາລຸງຮັກສາການໂຫຼດ, ໃນຂັ້ນຕອນຂອງການສະຫນອງພະລັງງານ overcurrent ການປ້ອງກັນມີຫຼາກຫຼາຍຂອງວິທີການ, ເຊັ່ນ: ຄົງທີ່ໃນປະຈຸບັນ, ຜົນຜະລິດຄົງທີ່. ປະເພດພະລັງງານ, ແລະອື່ນໆ, ແຕ່ການພັດທະນາຂອງວົງຈອນປ້ອງກັນ overcurrent ດັ່ງກ່າວບໍ່ສາມາດແຍກອອກຈາກ MOSFET, MOSFET ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງສາມາດປັບປຸງບົດບາດຂອງການປ້ອງກັນ overcurrent ການສະຫນອງພະລັງງານ.
ເວລາປະກາດ: 27-07-2024
