ໃນສະວິດໄຟແລະໂຄງການອອກແບບລະບົບການສະຫນອງພະລັງງານອື່ນໆ, ຜູ້ອອກແບບໂຄງການຈະເອົາໃຈໃສ່ຫຼາຍຂອງຕົວກໍານົດການທີ່ສໍາຄັນຂອງ.MOSFET, ເຊັ່ນ: on-off resistor, ແຮງດັນການດໍາເນີນງານຂະຫນາດໃຫຍ່, ການໄຫຼຂອງພະລັງງານຂະຫນາດໃຫຍ່. ເຖິງແມ່ນວ່າອົງປະກອບນີ້ແມ່ນສໍາຄັນ, ການຄໍານຶງເຖິງສະຖານທີ່ທີ່ບໍ່ຖືກຕ້ອງຈະເຮັດໃຫ້ວົງຈອນການສະຫນອງພະລັງງານບໍ່ສາມາດເຮັດວຽກໄດ້ຢ່າງຖືກຕ້ອງ, ແຕ່ຄວາມຈິງແລ້ວ, ນີ້ແມ່ນພຽງແຕ່ຂັ້ນຕອນທໍາອິດສໍາເລັດ,MOSFET ຂອງ ຕົວກໍານົດການ parasitic ຂອງຕົນເອງແມ່ນຖືວ່າເປັນສິ່ງທີ່ສໍາຄັນທີ່ຈະເປັນອັນຕະລາຍຕໍ່ວົງຈອນການສະຫນອງພະລັງງານ.
ການຂັບລົດທັນທີຂອງ MOSFETs ກັບ ICs ການສະຫນອງພະລັງງານ
ວົງຈອນຂັບ MOSFET ທີ່ດີມີຂໍ້ກໍານົດດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
(1) ໃນຂະນະທີ່ສະວິດຖືກເປີດໃຊ້ງານ, ວົງຈອນໄດເວີຄວນຈະສາມາດສົ່ງກະແສໄຟຟ້າໄດ້ຫຼາຍ, ດັ່ງນັ້ນແຮງດັນການເຮັດວຽກລະຫວ່າງເສົາຂອງ MOSFET ເພີ່ມຂຶ້ນໄວເຖິງຄ່າທີ່ຕ້ອງການ, ເພື່ອຮັບປະກັນວ່າສະວິດສາມາດຫັນໄດ້. ຢ່າງວ່ອງໄວ ແລະຈະບໍ່ມີການສັ່ນສະເທືອນຄວາມຖີ່ສູງຢູ່ໃນຂອບທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.
(2) ໄລຍະເວລາເປີດແລະປິດພະລັງງານ, ວົງຈອນຂັບສາມາດຮັບປະກັນວ່າແຫຼ່ງປະຕູຮົ້ວ MOSFET ແຮງດັນປະຕິບັດງານລະຫວ່າງເສົາໄດ້ຖືກຮັກສາໄວ້ເປັນເວລາດົນນານ, ແລະການດໍາເນີນການປະສິດທິພາບ.
(3) ປິດປັດຈຸບັນຂອງວົງຈອນຂັບ, ສາມາດສະຫນອງຊ່ອງທາງ impedance ຕ່ໍາສໍາລັບ MOSFET gate ແຫຼ່ງ capacitance ແຮງດັນການດໍາເນີນງານລະຫວ່າງທໍ່ລະບາຍນ້ໍາຢ່າງໄວວາ, ເພື່ອຮັບປະກັນວ່າສະຫຼັບສາມາດປິດໄດ້ໄວ.
(4) ການກໍ່ສ້າງງ່າຍດາຍແລະເຊື່ອຖືໄດ້ຂອງວົງຈອນການຂັບທີ່ມີການສວມໃສ່ຕ່ໍາ.
(5) ອີງຕາມສະຖານະການສະເພາະເພື່ອປະຕິບັດການປົກປ້ອງ.
ໃນໂມດູນຄວບຄຸມການສະຫນອງພະລັງງານ, ທົ່ວໄປທີ່ສຸດແມ່ນການສະຫນອງພະລັງງານ IC ຂັບເຄື່ອນ MOSFET ໂດຍກົງ. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ, ຄວນຈະເອົາໃຈໃສ່ກັບການຂັບຂະຫນາດໃຫຍ່ທີ່ສູງທີ່ສຸດຂອງການໄຫຼຂອງພະລັງງານ, ຄວາມສາມາດການແຜ່ກະຈາຍ MOSFET 2 ຕົວກໍານົດການຕົ້ນຕໍ. ຄວາມສາມາດໃນການຂັບພະລັງງານ IC, ຂະຫນາດຄວາມອາດສາມາດກະຈາຍ MOS, ມູນຄ່າຄວາມຕ້ານທານຂອງຕົວຕ້ານທານຂອງໄດຈະທໍາລາຍອັດຕາການປ່ຽນພະລັງງານຂອງ MOSFET. ຖ້າຫາກວ່າການຄັດເລືອກຂອງ capacitance ການແຜ່ກະຈາຍ MOSFET ແມ່ນຂ້ອນຂ້າງໃຫຍ່, ການສະຫນອງພະລັງງານ IC ຄວາມສາມາດໃນການຂັບລົດພາຍໃນແມ່ນບໍ່ພຽງພໍ, ຕ້ອງຢູ່ໃນວົງຈອນຂັບເພື່ອປັບປຸງຄວາມສາມາດໃນການຂັບ, ມັກຈະນໍາໃຊ້ວົງຈອນການສະຫນອງພະລັງງານ totem pole ເພື່ອເພີ່ມຄວາມສາມາດໃນການສະຫນອງພະລັງງານ IC drive. .
ເວລາປະກາດ: 25-07-2024
