ວິທີການກໍານົດວ່າ MOSFET ແມ່ນດີຫຼືບໍ່ດີ?

ອັນທີສອງ: ການແກ້ໄຂລະດັບໄຟຟ້າຂອງ MOSFETs junctionmultimeter ຈະຖືກໂທຫາໄຟລ໌ R × 100, ປາກກາສີແດງສຸ່ມເຊື່ອມຕໍ່ກັບທໍ່ຕີນ, ປາກກາສີດໍາເຊື່ອມຕໍ່ກັບທໍ່ຕີນອື່ນ, ເພື່ອໃຫ້ຕີນທີສາມຫ້ອຍຢູ່ໃນອາກາດ. ຖ້າທ່ານພົບວ່າເຂັມມີ wobble ເລັກນ້ອຍ, ມັນໄດ້ຖືກຢືນຢັນວ່າຕີນທີສາມສໍາລັບປະຕູຮົ້ວ. ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບການສັງເກດຫຼາຍຂອງຜົນກະທົບຕົວຈິງ, ແຕ່ຍັງມີການສັ່ນສະເທືອນເອເລັກໂຕຣນິກຢູ່ໃກ້ກັບຫຼືດ້ວຍການສໍາພັດນິ້ວມືຫ້ອຍຢູ່ໃນຕີນອາກາດ, ພຽງແຕ່ເຫັນເຂັມສໍາລັບການ deflection ຂະຫນາດໃຫຍ່, ນັ້ນແມ່ນ, ຊີ້ໃຫ້ເຫັນວ່າຫ້ອຍຢູ່ໃນຕີນອາກາດແມ່ນປະຕູຮົ້ວ. , ອີກສອງຕີນແມ່ນແຫຼ່ງແລະທໍ່ລະບາຍນ້ໍາ.

ເຫດຜົນການຈໍາແນກ:

ຄວາມຕ້ານທານວັດສະດຸປ້ອນຂອງ JFET ແມ່ນຫຼາຍກ່ວາ 100MΩ, ແລະ transconductance ແມ່ນສູງຫຼາຍ, ໃນເວລາທີ່ປະຕູຮົ້ວສະຫນາມແມ່ເຫຼັກຊ່ອງ indoor ແມ່ນງ່າຍຫຼາຍທີ່ຈະກະຕຸ້ນການສະກົດຈິດແຮງດັນສັນຍານຂໍ້ມູນການເຮັດວຽກຢູ່ໃນປະຕູຮົ້ວ, ດັ່ງນັ້ນທໍ່ມີແນວໂນ້ມທີ່ຈະເຖິງ, ຫຼືແນວໂນ້ມ. ເປີດ-ປິດ. ຖ້າຫາກວ່າແຮງດັນ induction ຮ່າງກາຍໄດ້ຖືກເພີ່ມທັນທີທີ່ປະຕູຮົ້ວ, ເນື່ອງຈາກວ່າການແຊກແຊງໄຟຟ້າທີ່ສໍາຄັນແມ່ນເຂັ້ມແຂງ, ສະຖານະການຂ້າງເທິງນີ້ຈະມີຫຼາຍຂຶ້ນ. ຖ້າເຂັມແມັດໄປທາງຊ້າຍຂອງ deflection ຂະຫນາດໃຫຍ່, ໃນນາມຂອງທໍ່ມີແນວໂນ້ມທີ່ຈະເປັນ, ການຂະຫຍາຍຕົວຕ້ານທານ RDS ທໍ່ລະບາຍນ້ໍາ, ປະລິມານການລະບາຍນ້ໍາໃນປະຈຸບັນຂອງ IDS ຫຼຸດລົງ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ເຂັມແມັດຢູ່ເບື້ອງຂວາຂອງການຫັນຕົວໃຫຍ່, ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າທໍ່ມີແນວໂນ້ມທີ່ຈະເປີດ, RDS ↓, IDS ↑. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເຂັມແມັດໃນຕອນທ້າຍຂອງທິດທາງຂອງ deflection, ຄວນຂຶ້ນກັບ poles ບວກແລະລົບຂອງແຮງດັນ induced (ທິດທາງໃນທາງບວກຂອງແຮງດັນເຮັດວຽກຫຼື reverse ທິດທາງຂອງແຮງດັນທີ່ເຮັດວຽກ) ແລະຈຸດປະຕິບັດງານຂອງທໍ່ເຫລໍກ.
ຂໍ້ຄວນລະວັງ:
(1) ການທົດລອງສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າເມື່ອມືທັງສອງຖືກ insulated ຈາກເສົາ D ແລະ S ແລະພຽງແຕ່ປະຕູຮົ້ວໄດ້ຖືກສໍາຜັດ, ເຂັມໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນ deflected ໄປຊ້າຍ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ຖ້າມືທັງສອງແຕະແຕ່ລະ D, S-pole, ແລະມີນິ້ວມືແຕະທີ່ປະຕູ, ມັນເປັນໄປໄດ້ທີ່ຈະສັງເກດເຫັນການຫັນຫນ້າຂອງເຂັມໄປທາງຂວາ. ສາເຫດຂອງຮາກແມ່ນຮ່າງກາຍຂອງຈໍານວນຂອງຕໍາແຫນ່ງແລະຕົວຕ້ານທານກ່ຽວກັບ MOSFET ມີຜົນກະທົບຈຸດອ້າງອິງ, ດັ່ງນັ້ນມັນເຂົ້າໄປໃນພື້ນທີ່ຂອງລັດການອີ່ມຕົວ.