ອັນທີສອງ, ຂະຫນາດຂອງຂໍ້ຈໍາກັດຂອງລະບົບ
ບາງລະບົບເອເລັກໂຕຣນິກຖືກຈໍາກັດໂດຍຂະຫນາດຂອງ PCB ແລະພາຍໃນ ຄວາມສູງ, such ເປັນລະບົບການສື່ສານ, ການສະຫນອງພະລັງງານ modular ເນື່ອງຈາກຂໍ້ຈໍາກັດຄວາມສູງປົກກະຕິແລ້ວໃຊ້ DFN5 * 6, DFN3 * 3 ຊຸດ; ໃນບາງການສະຫນອງພະລັງງານ ACDC, ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບ ultra-thin ຫຼືເນື່ອງຈາກຂໍ້ຈໍາກັດຂອງເປືອກຫຸ້ມນອກ, ການປະກອບຊຸດ TO220 ຂອງ MOSFET ພະລັງງານຕີນ inserted ໂດຍກົງເຂົ້າໄປໃນຮາກຂອງຂໍ້ຈໍາກັດຄວາມສູງບໍ່ສາມາດໃຊ້ຊຸດ TO247 ໄດ້. ການອອກແບບບາງ ultra-ບາງໂດຍກົງ bending pins ອຸປະກອນຮາບພຽງ, ຂະບວນການຜະລິດການອອກແບບນີ້ຈະກາຍເປັນສະລັບສັບຊ້ອນ.
ອັນທີສາມ, ຂະບວນການຜະລິດຂອງບໍລິສັດ
TO220 ມີສອງປະເພດຂອງຊຸດ: ຊຸດໂລຫະເປົ່າແລະຊຸດພາດສະຕິກເຕັມ, ຊຸດໂລຫະເປົ່າຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນແມ່ນຂະຫນາດນ້ອຍ, ຄວາມສາມາດໃນການລະບາຍຄວາມຮ້ອນແມ່ນແຂງແຮງ, ແຕ່ໃນຂະບວນການຜະລິດ, ທ່ານຈໍາເປັນຕ້ອງເພີ່ມການຫຼຸດລົງຂອງ insulation, ຂະບວນການຜະລິດແມ່ນສັບສົນແລະມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຫຼາຍ. ໃນຂະນະທີ່ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງຊຸດພາດສະຕິກເຕັມແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່, ຄວາມສາມາດໃນການລະບາຍຄວາມຮ້ອນແມ່ນອ່ອນແອ, ແຕ່ຂະບວນການຜະລິດແມ່ນງ່າຍດາຍ.
ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຂະບວນການປອມຂອງ screws lock, ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ບາງລະບົບເອເລັກໂຕຣນິກໃຊ້ clips ກັບພະລັງງານMOSFETs clamped ໃນຊຸດຄວາມຮ້ອນ, ດັ່ງນັ້ນການເກີດໃຫມ່ຂອງ TO220 ພື້ນເມືອງຂອງສ່ວນເທິງຂອງການໂຍກຍ້າຍຂອງຮູໃນຮູບແບບໃຫມ່ຂອງ encapsulation, ແຕ່ຍັງເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສູງຂອງອຸປະກອນ.
ສີ່, ການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ
ໃນບາງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຫຼາຍເຊັ່ນ: ເມນບອດແລະກະດານ desktop, MOSFETs ພະລັງງານໃນແພັກເກັດ DPAK ມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ເນື່ອງຈາກຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາຂອງຊຸດດັ່ງກ່າວ. ດັ່ງນັ້ນ, ໃນເວລາທີ່ເລືອກຊຸດ MOSFET ພະລັງງານ, ສົມທົບກັບຮູບແບບຂອງບໍລິສັດແລະລັກສະນະຂອງຜະລິດຕະພັນ, ແລະພິຈາລະນາປັດໃຈຂ້າງເທິງ.
ອັນທີຫ້າ, ເລືອກເອົາແຮງດັນທີ່ທົນທານຕໍ່ BVDSS ໃນກໍລະນີຫຼາຍທີ່ສຸດ, ເພາະວ່າການອອກແບບຂອງການປ້ອນຂໍ້ມູນໄດ້ltage ຂອງເອເລັກໂຕຣນິກ ລະບົບແມ່ນຂ້ອນຂ້າງຄົງທີ່, ບໍລິສັດໄດ້ຄັດເລືອກເອົາຜູ້ສະຫນອງສະເພາະຂອງຈໍານວນອຸປະກອນການຈໍານວນຫນຶ່ງ, ຜະລິດຕະພັນແຮງດັນການຈັດອັນດັບຍັງຄົງທີ່.
ແຮງດັນຫັກ BVDSS ຂອງພະລັງງານ MOSFETs ໃນແຜ່ນຂໍ້ມູນໄດ້ກໍານົດເງື່ອນໄຂການທົດສອບ, ມີມູນຄ່າທີ່ແຕກຕ່າງກັນພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ແລະ BVDSS ມີຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມໃນທາງບວກ, ໃນການປະຕິບັດຕົວຈິງຂອງການປະສົມປະສານຂອງປັດໃຈເຫຼົ່ານີ້ຄວນໄດ້ຮັບການພິຈາລະນາຢ່າງກວ້າງຂວາງ.
ຂໍ້ມູນແລະວັນນະຄະດີຈໍານວນຫຼາຍມັກຈະກ່າວເຖິງ: ຖ້າລະບົບພະລັງງານ MOSFET VDS ຂອງແຮງດັນໄຟຟ້າສູງທີ່ສຸດຖ້າໃຫຍ່ກວ່າ BVDSS, ເຖິງແມ່ນວ່າໄລຍະເວລາແຮງດັນຂອງກໍາມະຈອນເຕັ້ນຮວງພຽງແຕ່ສອງສາມຫຼືສິບ ns, ພະລັງງານ MOSFET ຈະເຂົ້າໄປໃນ avalanche. ແລະດັ່ງນັ້ນຄວາມເສຍຫາຍເກີດຂຶ້ນ.
ບໍ່ເຫມືອນກັບ transistors ແລະ IGBT, MOSFETs ພະລັງງານມີຄວາມສາມາດຕ້ານ avalanche, ແລະຫຼາຍບໍລິສັດ semiconductor ຂະຫນາດໃຫຍ່ພະລັງງານ MOSFET avalanche ໃນສາຍການຜະລິດແມ່ນການກວດກາຢ່າງເຕັມທີ່, 100% ກວດພົບ, ນັ້ນແມ່ນ, ໃນຂໍ້ມູນນີ້ແມ່ນການຮັບປະກັນ, ແຮງດັນ avalanche. ປົກກະຕິແລ້ວເກີດຂຶ້ນໃນ 1.2 ~ 1.3 ເທົ່າ BVDSS, ແລະໄລຍະເວລາຂອງທີ່ໃຊ້ເວລາປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນμs, ເຖິງແມ່ນວ່າລະດັບ ms, ຫຼັງຈາກນັ້ນໄລຍະເວລາພຽງແຕ່ສອງສາມຫຼືສິບຂອງ ns, ຕ່ໍາກວ່າແຮງດັນໄຟຟ້າແຮງດັນຂອງ avalanche spike ແຮງດັນຂອງກໍາມະຈອນບໍ່ແມ່ນຄວາມເສຍຫາຍຂອງ. MOSFET ພະລັງງານ.
ຫົກ, ໂດຍເລືອກແຮງດັນຂອງຂັບ VTH
ລະບົບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງພະລັງງານ MOSFETs ແຮງດັນໄດທີ່ເລືອກແມ່ນບໍ່ຄືກັນ, ການສະຫນອງພະລັງງານ AC / DC ປົກກະຕິແລ້ວໃຊ້ແຮງດັນຂອງໄດ 12V, ໂນ໊ດບຸ໊ກຂອງເມນບອດ DC / DC converter ໂດຍໃຊ້ແຮງດັນໄດ 5V, ດັ່ງນັ້ນຕາມແຮງດັນຂອງລະບົບເພື່ອເລືອກແຮງດັນທີ່ກໍານົດຂອບເຂດທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. MOSFETs ພະລັງງານ VTH.
ຂອບເຂດແຮງດັນ VTH ຂອງພະລັງງານ MOSFETs ໃນເອກະສານຂໍ້ມູນຍັງໄດ້ກໍານົດເງື່ອນໄຂການທົດສອບແລະມີມູນຄ່າທີ່ແຕກຕ່າງກັນພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ແລະ VTH ມີຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມລົບ. ແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ແຕກຕ່າງກັນ VGS ສອດຄ່ອງກັບຄວາມຕ້ານທານທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ແລະໃນການປະຕິບັດຕົວຈິງມັນເປັນສິ່ງສໍາຄັນທີ່ຈະຄໍານຶງເຖິງອຸນຫະພູມ.
ໃນການນໍາໃຊ້ພາກປະຕິບັດ, ການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມຄວນໄດ້ຮັບການພິຈາລະນາເພື່ອຮັບປະກັນວ່າ MOSFET ໄດ້ເປີດຢ່າງເຕັມສ່ວນ, ໃນຂະນະດຽວກັນຮັບປະກັນວ່າ pulses spike ບວກໃສ່ກັບ G-pole ໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການປິດຈະບໍ່ຖືກກະຕຸ້ນໂດຍການກະຕຸ້ນທີ່ບໍ່ຖືກຕ້ອງກັບ. ຜະລິດເປັນເສັ້ນກົງ ຫຼື ວົງຈອນສັ້ນ.
ເວລາປະກາດ: ວັນທີ 03-03-2024
