ພະລັງງານMOSFET is een relatief veel voorkomende klasse van voedingsapparaten, "MOSFET" is de Engelse "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" afkorting. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metaal materiaal, SiO2 ຂອງ SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterk volverender ປະເພດ ender ຈັດການກັບ ປະເພດ N-kanaal ແລະປະເພດ P-kanaal.
Power MOSFET's worden over het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. ຫຼາຍກວ່າ algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) ແມ່ນ ook een kritieke apparaatkarakteriek voor ORing FET-toepassingen. De Data Information Guide definieert RDS(ON) in relatie tot de bedrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) is een relatieve statische gegevensparameter voor voldoende gate drive.
Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, ແມ່ນ een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een ຕ້ອງ. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET ຂອງ ຂະຫນານ laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. In veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in serie schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden geredduceerd.
Naast RDS(ON), in het hele proces van MOSFET selectie, zijn er ook een aantal MOSFET parameters zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. In veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.
ສໍາລັບປະເພດຂ້າງເທິງຂອງເງື່ອນໄຂການໂຫຼດ, ຫຼັງຈາກການຄາດຄະເນ (ຫຼືການວັດແທກ) ແຮງດັນປະຕິບັດງານທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນປ່ອຍໃຫ້ຂອບຂອງ 20% ຫາ 30%, ທ່ານສາມາດກໍານົດມູນຄ່າ VDS ໃນປະຈຸບັນທີ່ມີການຈັດອັນດັບທີ່ຈໍາເປັນຂອງ MOSFET. ໃນທີ່ນີ້ຕ້ອງເວົ້າວ່າ, ເພື່ອເຮັດໃຫ້ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ເຂັ້ມແຂງແລະລັກສະນະ smoother, ສາມາດເລືອກເອົາ diodes ປະຈຸບັນຂອງ AC ຊຸດປະຈຸບັນແລະ inductors ໃນການປິດອົງປະກອບຂອງ loop ຄວບຄຸມໃນປະຈຸບັນ, ປ່ອຍອອກຈາກພະລັງງານ kinetic ປະຈຸບັນ inductive ເພື່ອຮັກສາການ. MOSFET. rated ປັດຈຸບັນແມ່ນຈະແຈ້ງ, ປະຈຸບັນສາມາດ deduced. ແຕ່ໃນທີ່ນີ້ຕ້ອງຄໍານຶງເຖິງສອງຕົວກໍານົດການ: ອັນຫນຶ່ງແມ່ນມູນຄ່າຂອງປະຈຸບັນໃນການດໍາເນີນງານຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແລະມູນຄ່າສູງສຸດຂອງຈັງຫວະຂອງກໍາມະຈອນເຕັ້ນດຽວ (Spike ແລະ Surge), ສອງຕົວກໍານົດການເຫຼົ່ານີ້ເພື່ອຕັດສິນໃຈວ່າທ່ານຄວນເລືອກມູນຄ່າການຈັດອັນດັບຂອງ. ມູນຄ່າປັດຈຸບັນ.
ເວລາປະກາດ: 28-05-2024
