1.Junction MOSFET PIN ການລະບຸ
ປະຕູຮົ້ວຂອງMOSFET ແມ່ນພື້ນຖານຂອງ transistor, ແລະທໍ່ລະບາຍນ້ໍາແລະແຫຼ່ງແມ່ນເກັບກໍາແລະ emitter ຂອງtransistor ທີ່ສອດຄ້ອງກັນ. multimeter ກັບ R × 1k gear, ມີສອງ pens ເພື່ອວັດແທກຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ແລະປີ້ນກັບກັນລະຫວ່າງສອງ pins. ໃນເວລາທີ່ການຕໍ່ຕ້ານສອງ pin ໄປຂ້າງຫນ້າ = ຄວາມຕ້ານທານ reverse = KΩ, ນັ້ນແມ່ນ, ສອງ pins ສໍາລັບແຫຼ່ງ S ແລະ drain D, ສ່ວນທີ່ເຫຼືອຂອງ pin ແມ່ນປະຕູ G. ຖ້າຫາກວ່າມັນເປັນ 4 pins.ທາງແຍກ MOSFET, ເສົາອື່ນໆແມ່ນການນໍາໃຊ້ໄສ້ພື້ນດິນ.
2.ກໍານົດປະຕູຮົ້ວ
ມີປາກກາສີດໍາຂອງ multimeter ເພື່ອສໍາຜັດກັບ MOSFET ເປັນ electrode ແບບສຸ່ມ, ປາກກາສີແດງສໍາຜັດກັບສອງ electrodes ອື່ນໆ. ຖ້າຫາກວ່າທັງສອງຄວາມຕ້ານທານການວັດແທກມີຂະຫນາດນ້ອຍ, ຊີ້ໃຫ້ເຫັນວ່າທັງສອງມີຄວາມຕ້ານທານໃນທາງບວກ, ທໍ່ເປັນຂອງ N-channel MOSFET, ການຕິດຕໍ່ປາກກາສີດໍາດຽວກັນຍັງເປັນປະຕູ.
ຂະບວນການຜະລິດໄດ້ຕັດສິນໃຈວ່າທໍ່ລະບາຍນ້ໍາແລະແຫຼ່ງຂອງ MOSFET ແມ່ນສົມມາດ, ແລະສາມາດແລກປ່ຽນກັນໄດ້, ແລະຈະບໍ່ມີຜົນກະທົບຕໍ່ການນໍາໃຊ້ວົງຈອນ, ວົງຈອນຍັງເປັນປົກກະຕິໃນເວລານີ້, ດັ່ງນັ້ນບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງໄປ. ກັບຄວາມແຕກຕ່າງຫຼາຍເກີນໄປ. ຄວາມຕ້ານທານລະຫວ່າງທໍ່ລະບາຍນ້ໍາແລະແຫຼ່ງແມ່ນປະມານສອງສາມພັນ ohms. ບໍ່ສາມາດໃຊ້ວິທີການນີ້ເພື່ອກໍານົດປະຕູຮົ້ວຂອງປະເພດປະຕູຮົ້ວ insulated MOSFET. ເນື່ອງຈາກວ່າຄວາມຕ້ານທານຂອງວັດສະດຸປ້ອນຂອງ MOSFET ນີ້ແມ່ນສູງທີ່ສຸດ, ແລະຄວາມຈຸລະຫວ່າງຂົ້ວໂລກລະຫວ່າງປະຕູຮົ້ວແລະແຫຼ່ງແມ່ນນ້ອຍຫຼາຍ, ການວັດແທກເປັນຈໍານວນຂະຫນາດນ້ອຍຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ສາມາດໄດ້ຮັບການສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນເທິງຂອງ inter-polar. capacitance ຂອງແຮງດັນສູງທີ່ສຸດ, MOSFET ຈະງ່າຍຫຼາຍທີ່ຈະທໍາລາຍ.
3.ການປະເມີນຄວາມສາມາດຂະຫຍາຍຂອງ MOSFETs
ເມື່ອ multimeter ຖືກຕັ້ງເປັນ R × 100, ໃຊ້ປາກກາສີແດງເພື່ອເຊື່ອມຕໍ່ແຫຼ່ງ S, ແລະໃຊ້ປາກກາສີດໍາເພື່ອເຊື່ອມຕໍ່ທໍ່ D, ເຊິ່ງຄ້າຍຄືກັບການເພີ່ມແຮງດັນ 1.5V ໃຫ້ກັບ MOSFET. ໃນເວລານີ້, ເຂັມຊີ້ບອກຄ່າຄວາມຕ້ານທານລະຫວ່າງເສົາ DS. ໃນເວລານີ້ທີ່ມີນິ້ວມືເພື່ອ pinch ປະຕູ G, ແຮງດັນ induced ຮ່າງກາຍເປັນສັນຍານເຂົ້າໄປໃນປະຕູ. ເນື່ອງຈາກວ່າບົດບາດຂອງການຂະຫຍາຍ MOSFET, ID ແລະ UDS ຈະປ່ຽນແປງ, ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າຄວາມຕ້ານທານລະຫວ່າງເສົາ DS ມີການປ່ຽນແປງ, ພວກເຮົາສາມາດສັງເກດເຫັນວ່າເຂັມມີຄວາມກວ້າງໃຫຍ່ swing. ຖ້າຫາກວ່າມື pinch ປະຕູຮົ້ວ, swing ຂອງເຂັມມີຂະຫນາດນ້ອຍຫຼາຍ, ນັ້ນແມ່ນ, ຄວາມສາມາດຂະຫຍາຍ MOSFET ແມ່ນຂ້ອນຂ້າງອ່ອນແອ; ຖ້າເຂັມບໍ່ມີການປະຕິບັດເລັກນ້ອຍ, ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ MOSFET ໄດ້ຮັບຄວາມເສຍຫາຍ.
ເວລາປະກາດ: ກໍລະກົດ-18-2024
