ໃນທາງກົງກັນຂ້າມກັບ triode ໄປເຊຍກັນ spinning ສອງ, ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວຮູ້ສຶກວ່າການເຮັດໃຫ້MOSFETການປະພຶດບໍ່ໄດ້ໃຊ້ກະແສໄຟຟ້າ, ແຕ່ພຽງແຕ່ຕ້ອງການແຮງດັນ GS ສູງກວ່າຄ່າທີ່ແນ່ນອນ. ມັນຂ້ອນຂ້າງງ່າຍທີ່ຈະເຮັດສິ່ງນີ້, ພວກເຮົາສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຕ້ອງການອັດຕາທີ່ແນ່ນອນ.
ສໍາລັບໂຄງສ້າງຂອງ MOSFET, ພວກເຮົາສາມາດຊອກຫາຢູ່ໃນ GS, GD, ຈະມີບາງ capacitance parasitic, ແລະ MOSFET drive, ໃນຄວາມເປັນຈິງ, ແມ່ນການສາກໄຟແລະ discharge capacitance. ສໍາລັບການສາກໄຟຂອງ capacitor ພວກເຮົາຕ້ອງການພຽງແຕ່ກະແສໄຟຟ້າແມ່ນພຽງພໍ, ເນື່ອງຈາກວ່າ capacitor ໃນເວລາສາກໄຟແມ່ນທຽບເທົ່າກັບ capacitor ເປັນວົງຈອນສັ້ນ, ໃນເວລານີ້ກະແສໄຟຟ້າທັນທີຈະສູງກວ່າຄ່າສະຖານະການທົ່ວໄປ. ດັ່ງນັ້ນ, ພວກເຮົາເລືອກຫຼືອອກແບບໂຄງການວົງຈອນຂັບ MOSFET, ສິ່ງທໍາອິດທີ່ຈະຕ້ອງເອົາໃຈໃສ່ກັບຂະຫນາດຂອງກະແສໄຟຟ້າວົງຈອນສັ້ນທັນທີສາມາດໄດ້ຮັບການສະຫນອງໃຫ້.
ອັນທີສອງ, NMOS, ເຊິ່ງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງສໍາລັບການຂັບປາຍສູງ, ຕ້ອງປ່ອຍໃຫ້ແຮງດັນປະຕູເກີນແຮງດັນຂອງແຫຼ່ງໃນເວລາທີ່ມັນດໍາເນີນການ. High-end drive MOSFET ໃນເວລາ, ແຮງດັນຂອງແຫຼ່ງແລະຂະຫນາດແຮງດັນຂອງທໍ່ລະບາຍນ້ໍາແມ່ນຄືກັນ, ດັ່ງນັ້ນເວລານີ້ແຮງດັນປະຕູຄວນຈະເປັນ 4V ຫຼື 10V ຫຼາຍກ່ວາ Vcc. ຖ້າຫາກວ່າຢູ່ໃນລະບົບດຽວກັນ, ຕ້ອງການທີ່ຈະໄດ້ຮັບຫຼາຍກ່ວາແຮງດັນປະຕູຮົ້ວ Vcc, ທ່ານຈໍາເປັນຕ້ອງຊ່ຽວຊານໃນການຄວບຄຸມວົງຈອນແຮງດັນ. ໄດເວີມໍເຕີຈໍານວນຫຼາຍປະກອບດ້ວຍປັ໊ມທີ່ຮັບຜິດຊອບ, ຄວນສັງເກດວ່າພວກເຮົາຄວນເລືອກຕົວເກັບປະຈຸພາຍນອກທີ່ເຫມາະສົມ, ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ກະແສໄຟຟ້າສັ້ນພຽງພໍເພື່ອຂັບ MOSFET.
ທີມງານຫຼັກ Olueky ຊ່ຽວຊານໃນອົງປະກອບ, ສໍານັກງານໃຫຍ່ໃນ Shenzhen. ຫຼັກ:MOSFET, MCU, IGBT ແລະອຸປະກອນອື່ນໆ. ຜະລິດຕະພັນຕົວແທນຕົ້ນຕໍWINSOK, Cmsemicon. ຜະລິດຕະພັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນດ້ານການທະຫານ, ການຄວບຄຸມອຸດສາຫະກໍາ, ພະລັງງານໃຫມ່, ຜະລິດຕະພັນທາງການແພດ, 5G, Internet of Things, smart home, ແລະອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກບໍລິໂພກຕ່າງໆ. ອີງໃສ່ຄວາມໄດ້ປຽບຂອງຕົວແທນທົ່ວໄປທົ່ວໂລກຕົ້ນສະບັບ, ອີງໃສ່ຕະຫຼາດຈີນ. ການນໍາໃຊ້ຂໍ້ດີຂອງການບໍລິການທີ່ສົມບູນແບບສໍາລັບລູກຄ້າເພື່ອແນະນໍາທຸກປະເພດຂອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກເຕັກໂນໂລຢີສູງທີ່ກ້າວຫນ້າ, ເພື່ອຊ່ວຍໃຫ້ຜູ້ຜະລິດຜະລິດຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແລະໃຫ້ບໍລິການທີ່ສົມບູນແບບ.
ເວລາປະກາດ: 06-06-2024
