ຄວາມຕ້ອງການວົງຈອນໄດເວີ MOSFET

ກັບຄົນຂັບ MOS ໃນມື້ນີ້, ມີຄວາມຕ້ອງການພິເສດຫຼາຍ:

1. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແຮງດັນຕ່ໍາ

ໃນເວລາທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ 5V ສະຫຼັບການສະຫນອງພະລັງງານ, ໃນເວລານີ້ຖ້າຫາກວ່າການນໍາໃຊ້ໂຄງສ້າງຂອງເສົາຄ້ໍາ totem ແບບດັ້ງເດີມ, ເນື່ອງຈາກວ່າ triode ມີພຽງແຕ່ 0.7V ການສູນເສຍຂຶ້ນແລະລົງ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ປະຕູຮົ້ວໂຫຼດສຸດທ້າຍສະເພາະກ່ຽວກັບແຮງດັນແມ່ນມີພຽງແຕ່ 4.3V, ໃນເວລານີ້, ການນໍາໃຊ້ແຮງດັນປະຕູຮົ້ວອະນຸຍາດ. ຂອງ 4.5VMOSFETs ມີລະດັບຄວາມສ່ຽງທີ່ແນ່ນອນ.ສະຖານະການດຽວກັນ ຍັງເກີດຂຶ້ນໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ 3V ຫຼືການສະຫນອງພະລັງງານສະຫຼັບຕ່ໍາແຮງດັນອື່ນໆ.

2.Wide ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແຮງດັນ

ແຮງດັນຂອງ keying ບໍ່ມີມູນຄ່າຕົວເລກ, ມັນແຕກຕ່າງກັນໄປຕາມເວລາຫຼືຍ້ອນປັດໃຈອື່ນໆ. ການປ່ຽນແປງນີ້ເຮັດໃຫ້ແຮງດັນໄດທີ່ມອບໃຫ້ MOSFET ໂດຍວົງຈອນ PWM ບໍ່ຄົງທີ່.

ເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມປອດໄພຂອງ MOSFET ທີ່ແຮງດັນປະຕູສູງ, MOSFET ຈໍານວນຫຼາຍໄດ້ຝັງຕົວຄວບຄຸມແຮງດັນເພື່ອບັງຄັບໃຫ້ມີຂອບເຂດຈໍາກັດຂອງແຮງດັນປະຕູ. ໃນກໍລະນີນີ້, ເມື່ອແຮງດັນໄດຖືກນໍາມາເກີນແຮງດັນຂອງເຄື່ອງຄວບຄຸມ, ການສູນເສຍການເຮັດວຽກແບບຄົງທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ແມ່ນເກີດມາຈາກ.

ໃນຂະນະດຽວກັນ, ຖ້າຫຼັກການພື້ນຖານຂອງຕົວແບ່ງແຮງດັນຂອງ resistor ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນແຮງດັນປະຕູ, ມັນຈະເກີດຂື້ນວ່າຖ້າແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ສໍາຄັນ, MOSFET ເຮັດວຽກໄດ້ດີ, ແລະຖ້າແຮງດັນໄຟຟ້າຖືກຫຼຸດລົງ, ແຮງດັນປະຕູແມ່ນບໍ່ໄດ້. ພຽງພໍ, ເຮັດໃຫ້ມີການເປີດແລະປິດບໍ່ພຽງພໍ, ເຊິ່ງຈະເສີມຂະຫຍາຍການສູນເສຍການເຮັດວຽກ.

ວົງຈອນປົກປັກຮັກສາ overcurrent MOSFET ເພື່ອຫຼີກເວັ້ນການອຸປະຕິເຫດການສະຫນອງພະລັງງານ burnout (1)

3. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແຮງດັນສອງ

ໃນບາງວົງຈອນຄວບຄຸມ, ສ່ວນເຫດຜົນຂອງວົງຈອນໃຊ້ແຮງດັນຂໍ້ມູນ 5V ຫຼື 3.3V ທົ່ວໄປ, ໃນຂະນະທີ່ສ່ວນພະລັງງານອອກໃຊ້ 12V ຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ, ແລະສອງແຮງດັນແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບພື້ນທີ່ທົ່ວໄປ.

ນີ້ເຮັດໃຫ້ມັນຊັດເຈນວ່າວົງຈອນສະຫນອງພະລັງງານຕ້ອງໄດ້ຮັບການນໍາໃຊ້ເພື່ອໃຫ້ດ້ານແຮງດັນຕ່ໍາສາມາດຫມູນໃຊ້ MOSFET ແຮງດັນສູງຢ່າງສົມເຫດສົມຜົນ, ໃນຂະນະທີ່ MOSFET ແຮງດັນສູງຈະສາມາດຮັບມືກັບຄວາມຫຍຸ້ງຍາກດຽວກັນທີ່ໄດ້ກ່າວມາໃນ 1 ແລະ 2.

ໃນສາມກໍລະນີນີ້, ການກໍ່ສ້າງເສົາຂອງ totem ບໍ່ສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຜົນຜະລິດໄດ້, ແລະ IC ໄດເວີ MOS ທີ່ມີຢູ່ແລ້ວຈໍານວນຫຼາຍເບິ່ງຄືວ່າບໍ່ປະກອບມີການກໍ່ສ້າງຈໍາກັດແຮງດັນປະຕູ.