ການແນະນໍາກ່ຽວກັບຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງ MOSFETs ພະລັງງານສູງທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປ

ໃນມື້ນີ້ກ່ຽວກັບການນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປພະລັງງານສູງMOSFETເພື່ອແນະນໍາໂດຍຫຍໍ້ກ່ຽວກັບຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງມັນ. ເບິ່ງວ່າມັນຮັບຮູ້ວຽກງານຂອງຕົນເອງໄດ້ແນວໃດ.

Metal-Oxide-Semiconductor ນັ້ນແມ່ນ Metal-Oxide-Semiconductor, ແນ່ນອນ, ຊື່ນີ້ອະທິບາຍໂຄງສ້າງຂອງ MOSFET ໃນວົງຈອນປະສົມປະສານ, ນັ້ນແມ່ນ: ໃນໂຄງສ້າງທີ່ແນ່ນອນຂອງອຸປະກອນ semiconductor, ບວກໃສ່ກັບຊິລິໂຄນໄດອອກໄຊແລະໂລຫະ, ການສ້າງຕັ້ງ. ຂອງປະຕູ.

ແຫຼ່ງ ແລະທໍ່ລະບາຍນ້ຳຂອງ MOSFET ແມ່ນກົງກັນຂ້າມ, ທັງເປັນເຂດ N-type ທີ່ສ້າງຂຶ້ນໃນ P-type backgate. ໃນກໍລະນີຫຼາຍທີ່ສຸດ, ທັງສອງພື້ນທີ່ແມ່ນຄືກັນ, ເຖິງແມ່ນວ່າການປັບສອງສົ້ນຈະບໍ່ສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ການປະຕິບັດຂອງອຸປະກອນ, ອຸປະກອນດັ່ງກ່າວຖືກພິຈາລະນາສົມມາດ.

ການຈັດປະເພດ: ອີງຕາມປະເພດວັດສະດຸຊ່ອງທາງແລະປະເພດປະຕູຮົ້ວ insulated ຂອງແຕ່ລະ N-channel ແລະ P-channel ສອງ; ອີງຕາມຮູບແບບ conductive: MOSFET ແບ່ງອອກເປັນ depletion ແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບ, ດັ່ງນັ້ນ MOSFET ແບ່ງອອກເປັນ N-channel depletion ແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບ; P-channel depletion ແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງສີ່ປະເພດທີ່ສໍາຄັນ.

ຫຼັກການ MOSFET ຂອງການດໍາເນີນງານ - ລັກສະນະໂຄງສ້າງຂອງMOSFETມັນດໍາເນີນການພຽງແຕ່ຫນຶ່ງ polarity carriers (polys) ມີສ່ວນຮ່ວມໃນການ conductive, ເປັນ transistor unipolar. ກົນໄກການດໍາເນີນການແມ່ນຄືກັນກັບ MOSFET ພະລັງງານຕ່ໍາ, ແຕ່ໂຄງສ້າງມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, MOSFET ພະລັງງານຕ່ໍາແມ່ນອຸປະກອນການນໍາທາງນອນ, ໂຄງສ້າງການນໍາທາງໃນແນວຕັ້ງຂອງ MOSFET ສ່ວນໃຫຍ່, ເຊິ່ງເອີ້ນກັນວ່າ VMOSFET, ເຊິ່ງປັບປຸງ MOSFET ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ແຮງດັນຂອງອຸປະກອນແລະປະຈຸບັນທົນທານຕໍ່ຄວາມສາມາດ. ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍແມ່ນວ່າມີຊັ້ນຂອງ insulation silica ລະຫວ່າງປະຕູໂລຫະແລະຊ່ອງທາງການ, ແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງມີຄວາມຕ້ານທານກັບວັດສະດຸປ້ອນສູງ, ທໍ່ດໍາເນີນການໃນສອງຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນສູງຂອງເຂດການແຜ່ກະຈາຍ n ເພື່ອສ້າງເປັນຊ່ອງທາງການ conductive n ປະເພດ. MOSFETs ການປັບປຸງ n-channel ຕ້ອງໄດ້ຮັບການນໍາໃຊ້ກັບປະຕູຮົ້ວທີ່ມີຄວາມລໍາອຽງຕໍ່ຫນ້າ, ແລະພຽງແຕ່ໃນເວລາທີ່ແຮງດັນຂອງແຫຼ່ງປະຕູແມ່ນຫຼາຍກ່ວາແຮງດັນຂອງເກນຂອງຊ່ອງທາງ conductive ທີ່ຜະລິດໂດຍ n-channel MOSFET. n-channel depletion type MOSFETs ແມ່ນ n-channel MOSFETs ທີ່ຊ່ອງ conduction ຖືກສ້າງຂຶ້ນເມື່ອບໍ່ມີແຮງດັນປະຕູຖືກນຳໃຊ້ (ແຮງດັນຂອງປະຕູຮົ້ວແມ່ນສູນ).

ຫຼັກການຂອງການດໍາເນີນງານຂອງ MOSFET ແມ່ນເພື່ອຄວບຄຸມປະລິມານຂອງ "ຄ່າ induced" ໂດຍໃຊ້ VGS ເພື່ອປ່ຽນສະພາບຂອງຊ່ອງທາງ conductive ທີ່ສ້າງຂຶ້ນໂດຍ "ຄ່າ induced", ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເພື່ອບັນລຸຈຸດປະສົງຂອງການຄວບຄຸມກະແສໄຟຟ້າ. ໃນການຜະລິດທໍ່, ໂດຍຜ່ານຂະບວນການຂອງຊັ້ນ insulating ໃນການເກີດຂອງຈໍານວນຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງ ions ບວກ, ສະນັ້ນໃນອີກດ້ານຫນຶ່ງຂອງການໂຕ້ຕອບສາມາດໄດ້ຮັບການ induced ຄ່າບໍລິການທາງລົບຫຼາຍ, ຄ່າບໍລິການທາງລົບເຫຼົ່ານີ້ເພື່ອ penetration ສູງຂອງ impurities ໃນ N ໄດ້. ພາກພື້ນທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັບການສ້າງຕັ້ງຂອງຊ່ອງທາງການນໍາໃຊ້ໄດ້, ເຖິງແມ່ນວ່າໃນ VGS = 0 ຍັງມີ ID ໃນປັດຈຸບັນຮົ່ວໄຫຼຂະຫນາດໃຫຍ່. ໃນເວລາທີ່ແຮງດັນປະຕູໄດ້ມີການປ່ຽນແປງ, ຈໍານວນຂອງການຮັບຜິດຊອບ induced ໃນຊ່ອງທາງແມ່ນມີການປ່ຽນແປງ, ແລະຄວາມກວ້າງຂອງຊ່ອງທາງ conductive ແລະແຄບຂອງຊ່ອງທາງແລະການປ່ຽນແປງ, ແລະດັ່ງນັ້ນການຮົ່ວໄຫລ ID ໃນປະຈຸບັນກັບແຮງດັນປະຕູຮົ້ວ. ID ໃນປັດຈຸບັນແຕກຕ່າງກັນກັບແຮງດັນປະຕູ.

ໃນປັດຈຸບັນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງMOSFETໄດ້ປັບປຸງການຮຽນຮູ້ຂອງປະຊາຊົນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ປະສິດທິພາບການເຮັດວຽກ, ໃນຂະນະທີ່ປັບປຸງຄຸນນະພາບຊີວິດຂອງພວກເຮົາ. ພວກເຮົາມີຄວາມເຂົ້າໃຈທີ່ສົມເຫດສົມຜົນຫຼາຍຂຶ້ນໂດຍຜ່ານການເຂົ້າໃຈງ່າຍດາຍບາງ. ບໍ່ພຽງແຕ່ຈະຖືກນໍາໃຊ້ເປັນເຄື່ອງມື, ຄວາມເຂົ້າໃຈຫຼາຍກ່ຽວກັບຄຸນລັກສະນະຂອງມັນ, ຫຼັກການຂອງການເຮັດວຽກ, ເຊິ່ງຈະເຮັດໃຫ້ພວກເຮົາມີຄວາມມ່ວນຫຼາຍ.