ສະຖານະການວົງຈອນຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ mosfet

ໃນເວລາທີ່ການອອກແບບການສະຫນອງພະລັງງານສະຫຼັບຫຼືວົງຈອນຂັບ motor ກັບ amosfet, ຄົນສ່ວນໃຫຍ່ຈະພິຈາລະນາຄວາມຕ້ານທານຂອງ transistor mos, ແຮງດັນສູງສຸດ, ແລະປັດຈຸບັນສູງສຸດ, ແຕ່ນັ້ນແມ່ນທັງຫມົດທີ່ເຂົາເຈົ້າຈະພິຈາລະນາ. ວົງຈອນດັ່ງກ່າວອາດຈະເຮັດວຽກ, ແຕ່ມັນບໍ່ແມ່ນວົງຈອນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແລະບໍ່ໄດ້ຮັບອະນຸຍາດໃຫ້ອອກແບບເປັນຜະລິດຕະພັນຢ່າງເປັນທາງການ.

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດຂອງmosfetແມ່ນການສະຫຼັບ, ສະນັ້ນມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນວົງຈອນຕ່າງໆທີ່ຕ້ອງການການສະຫຼັບເອເລັກໂຕຣນິກ, ເຊັ່ນ: ສະຫຼັບການສະຫນອງພະລັງງານແລະວົງຈອນຂັບ motor. ໃນປັດຈຸບັນ, ສະຖານະການວົງຈອນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ mosfet:

1, ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແຮງດັນຕ່ໍາ

ເມື່ອນໍາໃຊ້ການສະຫນອງພະລັງງານ 5V, ຖ້າໂຄງສ້າງເສົາ totem ແບບດັ້ງເດີມຖືກນໍາໃຊ້, ເນື່ອງຈາກການຫຼຸດລົງຂອງແຮງດັນຂອງ transistor ແມ່ນພຽງແຕ່ປະມານ 0.7V, ແຮງດັນໄຟຟ້າສຸດທ້າຍຖືກໂຫລດຢູ່ເທິງປະຕູແມ່ນພຽງແຕ່ 4.3V, ໃນເວລານີ້, ຖ້າພວກເຮົາເລືອກ mosfet ທີ່ມີແຮງດັນຂອງ 4.5V, ວົງຈອນທັງຫມົດຈະມີຄວາມສ່ຽງທີ່ແນ່ນອນ. ບັນຫາດຽວກັນຈະເກີດຂຶ້ນເມື່ອໃຊ້ 3V ຫຼືການສະຫນອງພະລັງງານຕ່ໍາແຮງດັນອື່ນໆ.

2, ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແຮງດັນກ້ວາງ

ໃນຊີວິດປະຈໍາວັນຂອງພວກເຮົາ, ແຮງດັນທີ່ພວກເຮົາປ້ອນເຂົ້າບໍ່ແມ່ນມູນຄ່າຄົງທີ່, ມັນຈະໄດ້ຮັບຜົນກະທົບຈາກເວລາຫຼືປັດໃຈອື່ນໆ. ຜົນກະທົບນີ້ຈະເຮັດໃຫ້ວົງຈອນ pwm ສະຫນອງແຮງດັນການຂັບລົດທີ່ບໍ່ສະຖຽນລະພາບຫຼາຍໃຫ້ກັບ mosfet. ດັ່ງນັ້ນເພື່ອໃຫ້ transistors mos ເຮັດວຽກໄດ້ຢ່າງປອດໄພຢູ່ທີ່ແຮງດັນປະຕູສູງ, ຈໍານວນຫຼາຍmosfetsໃນປັດຈຸບັນມີຕົວຄວບຄຸມແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ຈໍາກັດແຮງດັນປະຕູ. ໃນຈຸດນີ້, ເມື່ອແຮງດັນໄດທີ່ສະຫນອງເກີນແຮງດັນຂອງເຄື່ອງຄວບຄຸມ, ຈໍານວນການບໍລິໂພກພະລັງງານຄົງທີ່ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍເກີດຂື້ນ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ຖ້າແຮງດັນປະຕູຖືກຫຼຸດລົງພຽງແຕ່ໂດຍໃຊ້ຫຼັກການຕົວແບ່ງແຮງດັນຂອງຕົວຕ້ານທານ, ແຮງດັນຂາເຂົ້າຈະຂ້ອນຂ້າງສູງແລະ mosfet ຈະເຮັດວຽກໄດ້ດີ. ເມື່ອແຮງດັນຂາເຂົ້າຖືກຫຼຸດລົງ, ແຮງດັນຂອງປະຕູຮົ້ວບໍ່ພຽງພໍ, ເຮັດໃຫ້ເກີດການດໍາເນີນການບໍ່ຄົບຖ້ວນແລະການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງການໃຊ້ພະລັງງານ.