ສາເຫດແລະການປ້ອງກັນຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ MOSFET

Gate Voltage Failure

ມີສາມສາເຫດຕົ້ນຕໍຂອງແຮງດັນຕາຂ່າຍໄຟຟ້າສູງຜິດປົກກະຕິ: ໄຟຟ້າສະຖິດໃນລະຫວ່າງການຜະລິດ, ການຂົນສົ່ງແລະການປະກອບ; resonance ແຮງດັນສູງທີ່ສ້າງຂຶ້ນໂດຍຕົວກໍານົດການ parasitic ຂອງອຸປະກອນແລະວົງຈອນໃນລະຫວ່າງການປະຕິບັດງານລະບົບພະລັງງານ; ແລະການສົ່ງໄຟຟ້າແຮງດັນສູງຜ່ານ Ggd ໄປຫາຕາຂ່າຍໄຟຟ້າໃນລະຫວ່າງການຊ໊ອກແຮງດັນສູງ (ຄວາມຜິດທີ່ພົບເລື້ອຍໃນການທົດສອບການໂຈມຕີຟ້າຜ່າ).

ມາດຕະການປ້ອງກັນຄວາມຜິດຂອງແຮງດັນປະຕູ:

ການປົກປ້ອງ overvoltage ລະຫວ່າງປະຕູແລະແຫຼ່ງ: ເມື່ອ impedance ລະຫວ່າງປະຕູຮົ້ວແລະແຫຼ່ງແມ່ນສູງເກີນໄປ, ການປ່ຽນແປງແຮງດັນຢ່າງກະທັນຫັນລະຫວ່າງປະຕູຮົ້ວແລະແຫຼ່ງແມ່ນສົມທົບກັບປະຕູຮົ້ວຜ່ານ capacitance ລະຫວ່າງ electrodes, ເຮັດໃຫ້ມີແຮງດັນ UGS ສູງເກີນລະບຽບການ, ນໍາໄປສູ່ການເກີນລະບຽບການຂອງປະຕູ. ຄວາມເສຍຫາຍ oxidative ຖາວອນ. ຖ້າ UGS ຢູ່ທີ່ແຮງດັນໄຟຟ້າບວກ, ອຸປະກອນອາດຈະເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມຜິດພາດໄດ້. ບົນພື້ນຖານນີ້, impedance ຂອງວົງຈອນໄດປະຕູຮົ້ວຄວນຈະຖືກຫຼຸດລົງຢ່າງເຫມາະສົມແລະ resistor damping ຫຼື 20V stabilizing voltage ຄວນເຊື່ອມຕໍ່ລະຫວ່າງປະຕູຮົ້ວແລະແຫຼ່ງ. ຄວນເອົາໃຈໃສ່ເປັນພິເສດເພື່ອປ້ອງກັນການເປີດປະຕູ.

ການປ້ອງກັນ overvoltage ລະຫວ່າງທໍ່ discharge: ຖ້າມີ inductor ໃນວົງຈອນ, ການປ່ຽນແປງກະທັນຫັນຂອງກະແສຮົ່ວໄຫລ (di / dt) ເມື່ອຫນ່ວຍງານປິດຈະສົ່ງຜົນໃຫ້ແຮງດັນໄຟຟ້າຮົ່ວໄຫຼ overshoot ດີເກີນແຮງດັນສະຫນອງ, ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມເສຍຫາຍຕໍ່ຫນ່ວຍບໍລິການ. ການປົກປ້ອງຄວນປະກອບມີ Zener clamp, RC clamp, ຫຼືວົງຈອນສະກັດກັ້ນ RC.