WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ

WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ສັ້ນ​:

ເລກສ່ວນ:WSD30160DN56

BVDSS:30V

ID:120A

RDSON:1.9mΩ 

ຊ່ອງ:N-ຊ່ອງ

ຊຸດ:DFN5X6-8


ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ພາບລວມຜະລິດຕະພັນ WINSOK MOSFET

ແຮງດັນຂອງ WSD30160DN56 MOSFET ແມ່ນ 30V, ປະຈຸບັນແມ່ນ 120A, ຄວາມຕ້ານທານແມ່ນ 1.9mΩ, ຊ່ອງທາງແມ່ນ N-channel, ແລະຊຸດແມ່ນ DFN5X6-8.

ພື້ນທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ WINSOK MOSFET

E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drones MOSFET, medical care MOSFET, car chargers MOSFET, controllers MOSFET, digital products MOSFET, ເຄື່ອງໃຊ້ໃນຄົວເຮືອນຂະຫນາດນ້ອຍ MOSFET, ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າ MOSFET.

WINSOK MOSFET ກົງກັບຕົວເລກອຸປະກອນຍີ່ຫໍ້ອື່ນໆ

AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548.

Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N,NTMFS4C5N.

TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL.

PANJIT MOSFET PJQ5426.

NIKO-SEM MOSFET PKE1BB.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.

ຕົວກໍານົດການ MOSFET

ສັນຍາລັກ

ພາລາມິເຕີ

ຄະແນນ

ໜ່ວຍ

VDS

Drain-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-Source ແຮງດັນ

±20

V

ID@TC=25

ກະແສໄຟຟ້າຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, VGS@ 10V1,7

120

A

ID@TC=100

ກະແສໄຟຟ້າຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, VGS@ 10V1,7

68

A

IDM

Pulsed Drain Current2

300

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

128

mJ

IAS

Avalanche Current

50

A

PD@TC=25

ການກະຈາຍພະລັງງານທັງໝົດ4

62.5

W

TSTG

ຊ່ວງອຸນຫະພູມການເກັບຮັກສາ

-55 ຫາ 150

TJ

ໄລຍະອຸນຫະພູມ Junction ປະຕິບັດການ

-55 ຫາ 150

 

ສັນຍາລັກ

ພາລາມິເຕີ

ເງື່ອນໄຂ

ຕ່ຳສຸດ

ພິມ.

ສູງສຸດ.

ໜ່ວຍ

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , ID=250uA

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມ ອ້າງເຖິງ 25, ID=1mA

---

0.02

---

V/

RDS(ເປີດ)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V, ID=20A

---

1.9

2.5 mΩ
VGS= 4.5V , ID=15A

---

2.9

3.5

VGS(ທີ)

Gate Threshold Voltage VGS=VDS, ID=250uA

1.2

1.7

2.5

V

VGS(ທີ)

VGS(ທີ)ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມ

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 24V , VGS=0V , ທJ=25

---

---

1

uA

VDS= 24V , VGS=0V , ທJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS=5V , ID=10A

---

32

---

S

Rg

ການຕໍ່ຕ້ານປະຕູ VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

0.8

1.5

Ω

Qg

ຄ່າຜ່ານປະຕູທັງໝົດ (4.5V) VDS= 15V , VGS= 4.5V , ID=20A

---

38

---

nC

Qgs

ຄ່າບໍລິການ Gate-Source

---

10

---

Qgd

ຄ່າບໍລິການ Gate-Drain

---

13

---

Td(ເປີດ)

ເປີດເວລາຊັກຊ້າ VDD= 15V , Vພົນເອກ=10V , RG=6Ω, ID=1A, RL=15Ω.

---

25

---

ns

Tr

ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ

---

23

---

Td(ປິດ)

ປິດ-ປິດ ເວລາຊັກຊ້າ

---

95

---

Tf

ເວລາຕົກ

---

40

---

Ciss

Input Capacitance VDS= 15V , VGS=0V , f=1MHz

---

4900

---

pF

ໂຄສ

Output Capacitance

---

1180

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

530

---


  • ທີ່ຜ່ານມາ:
  • ຕໍ່ໄປ:

  • ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ