ຫຸ່ນຍົນອຸດສາຫະກໍາແມ່ນອຸປະກອນກົນຈັກແບບຮ່ວມ ຫຼືຫຼາຍລະດັບຂອງອິດສະລະພາບທີ່ໃຊ້ກັນຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂົງເຂດອຸດສາຫະກໍາ. ພວກເຂົາເຈົ້າມີລະດັບອັດຕະໂນມັດທີ່ແນ່ນອນແລະອີງໃສ່ແຫຼ່ງພະລັງງານຂອງຕົນເອງແລະຄວາມສາມາດໃນການຄວບຄຸມເພື່ອປະຕິບັດຫນ້າທີ່ການປຸງແຕ່ງແລະການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາຕ່າງໆ.
ໃນການຜະລິດທີ່ທັນສະໄຫມ, ຫຸ່ນຍົນອຸດສາຫະກໍາມີບົດບາດສໍາຄັນທີ່ສຸດ. ພວກເຂົາບໍ່ພຽງແຕ່ປັບປຸງປະສິດທິພາບການຜະລິດແລະຄຸນນະພາບຂອງຜະລິດຕະພັນເທົ່ານັ້ນ, ແຕ່ຍັງບໍ່ມີແຮງງານຈາກແຮງງານທາງດ້ານຮ່າງກາຍຢ່າງຫນັກຫຼືເປັນອັນຕະລາຍ. ການນຳໃຊ້ຫຸ່ນຍົນອຸດສາຫະກໍາຢ່າງແຜ່ຫຼາຍໄດ້ຜ່ານຫຼາຍຂັ້ນຕອນ, ຈາກການດໍາເນີນງານແບບຊໍ້າໆຂັ້ນພື້ນຖານໃນຕົ້ນສະຕະວັດທີ 20 ຈົນເຖິງການພັດທະນາອັດສະລິຍະ ແລະ ອັດຕະໂນມັດໃນທຸກມື້ນີ້. ດ້ວຍຄວາມກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຊີຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ໂດຍສະເພາະໃນຄອມພິວເຕີແລະເຕັກໂນໂລຊີປັນຍາປະດິດ, ຫນ້າທີ່ຂອງຫຸ່ນຍົນອຸດສາຫະກໍາໄດ້ກາຍເປັນອຸດົມສົມບູນ, ແລະສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງເຂົາເຈົ້າມີຄວາມຫຼາກຫຼາຍຫຼາຍ.
ຮູບແບບຂອງ WINSOK MOSFETs ທີ່ໃຊ້ໃນຫຸ່ນຍົນອຸດສາຫະກໍາປະກອບມີ WSP4884, WSD3050DN, WSP4606, WSP4407, ແລະອື່ນໆ ລາຍລະອຽດມີດັ່ງນີ້:
WSP4884: Dual N-channel, ຊຸດ SOP-8, 30V 8.8A, ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຂອງ 18.5mΩ. ຮູບແບບທີ່ສອດຄ້ອງກັນປະກອບມີແບບ AOS AO4822/4822A/4818B/4832/AO4914; ON Semiconductor model FDS6912A, VISHAY model Si4214DDY; INFINEON BSO150N03MD G.
ສະຖານະການຂອງແອັບພລິເຄຊັນ: ຢາສູບອີເລັກໂທຣນິກ, ເຄື່ອງສາກໄຮ້ສາຍ, drones, ອຸປະກອນການແພດ, ເຄື່ອງສາກລົດ, ເຄື່ອງຄວບຄຸມ, ຜະລິດຕະພັນດິຈິຕອລ, ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າຂະໜາດນ້ອຍ, ແລະເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າ.
WSP4884 ປະສົມປະສານສອງMOSFETs ໃນຊຸດ SO8 ແບບດັ້ງເດີມ, ອະນຸຍາດໃຫ້ສອງ WINSOK WSP4884s ປະກອບເປັນຕົວຂັບເຄື່ອນ coil ທີ່ສົມບູນ, ສະຫນອງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານສູງສຸດທີ່ເປັນໄປໄດ້ໃນພື້ນທີ່ຫນາແຫນ້ນ. ມັນໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງທີ່ກ້າວຫນ້າເພື່ອສະເຫນີ Ciss ແລະ RDSON ທີ່ຂ້ອນຂ້າງຕ່ໍາໃນບັນດາຜະລິດຕະພັນທີ່ຄ້າຍຄືກັນ. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ໃນບາງ MOSFETs ສໍາລັບເຄື່ອງສາກໄຮ້ສາຍ ແລະເຄື່ອງສາກ USB PD.
WSD3050DN: N-channel, ຊຸດ DFN3X3-8L, 30V 50A, ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຂອງ 6.7mΩ. ຮູບແບບທີ່ສອດຄ້ອງກັນປະກອບມີ AOS ແບບ AON7318/7418/7428/AON7440/7520/7528/7544/7542; ON ແບບຈໍາລອງ Semiconductor NTTFS4939N/NTTFS4C08N, VISHAY ແບບ SiSA84DN; ຮຸ່ນ Nxperian PSMN9R8-30MLC; TOSHIBA ຮຸ່ນ TPN4R303NL.
ສະຖານະການນຳໃຊ້: ຢາສູບອີເລັກໂທຣນິກ, ເຄື່ອງສາກໄຮ້ສາຍ, ເຄື່ອງຄວບຄຸມ, ຜະລິດຕະພັນດິຈິຕອລ, ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າຂະໜາດນ້ອຍ, ແລະເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າ.
WSD3050DN ເປັນ N-MOSFET ປະສິດທິພາບສູງທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າສຸດ ແລະ ຄວາມຈຸຂອງປະຕູ. ມັນເປັນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການປ່ຽນ buck synchronous ຄວາມຖີ່ສູງສໍາລັບຄອມພິວເຕີ, ລະບົບການຫຼຸດລົງເຄືອຂ່າຍ, ແລະສະວິດການໂຫຼດ. ກໍລະນີຂອງແອັບພລິເຄຊັນລວມມີເຄື່ອງສາກໄຮ້ສາຍ Yoobao D2, ເຊິ່ງໃຊ້ສອງ WINSOK WSD3050DN N-channel driver MOSFETs.
WSP4606: ຊຸດ SOP-8L, 30V 7A, ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຂອງ 18mΩ/-30V -6A, ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຂອງ 30mΩ. ຮູບແບບທີ່ສອດຄ້ອງກັນປະກອບມີ AOS ແບບ AO4606/AO4630; ON ແບບຈໍາລອງ Semiconductor ECH8661/FDS8958A, VISHAY model Si4554DY; PANJIT ຮຸ່ນ PJL9606.
ສະຖານະການຂອງແອັບພລິເຄຊັນ: ຢາສູບອີເລັກໂທຣນິກ, ເຄື່ອງສາກໄຮ້ສາຍ, drones, ອຸປະກອນການແພດ, ເຄື່ອງສາກລົດ, ເຄື່ອງຄວບຄຸມ, ຜະລິດຕະພັນດິຈິຕອລ, ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າຂະໜາດນ້ອຍ, ແລະເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າ.
WSP4606 ເປັນ N+P ຫຸ້ມຫໍ່ MOSFET ທີ່ມີສອງລໍາລຽງແບບຫຸ້ມຫໍ່ເອກະລາດ, ສະຫນອງຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາສຸດແລະຄວາມຈຸຂອງປະຕູ. ມັນເຫມາະສົມກັບລະບົບການຄຸ້ມຄອງພະລັງງານເຄິ່ງຂົວແລະຕົວແປງສັນຍານ, ແປງສະວິດ, ແລະສະຫວິດການໂຫຼດ. ກໍລະນີແອັບພລິເຄຊັນປະກອບມີເຄື່ອງສາກໄຮ້ສາຍ Yoobao D1, ເຊິ່ງໃຊ້ໄດເວີ WINSOK WSP4606 MOS ສອງອັນ.
WSP4407: P-channel, ຊຸດ SOP-8L, -30V -13A, ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຂອງ 9.6mΩ. ຮູບແບບທີ່ສອດຄ້ອງກັນປະກອບມີ AOS ແບບ AO4407/4407A/AOSP21321/AOSP21307; ON Semiconductor model FDS6673BZ, VISHAY model Si4825DDY; TOSHIBA ຮຸ່ນ TPC8125. STMicroelectronics ແບບຈໍາລອງ STS10P3LLH6/STS5P3LLH6/STS6P3LLH6/STS9P3LLH6.
ສະຖານະການນຳໃຊ້: ຢາສູບອີເລັກໂທຣນິກ, ເຄື່ອງຄວບຄຸມ, ຜະລິດຕະພັນດິຈິຕອລ, ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າຂະໜາດນ້ອຍ, ແລະເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າ.
WSP4407 ເປັນ P-MOSFET ປະສິດທິພາບສູງທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າສຸດແລະຄວາມສາມາດຂອງປະຕູຮົ້ວ. ມັນເປັນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການປ່ຽນ buck synchronous ຄວາມຖີ່ສູງສໍາລັບຄອມພິວເຕີ, ລະບົບການຫຼຸດລົງເຄືອຂ່າຍ, ແລະສະວິດການໂຫຼດ. ກໍລະນີຂອງແອັບພລິເຄຊັນລວມມີເຄື່ອງສາກ BlitzWolf BW-S10 USB PD, ເຊິ່ງໃຊ້ WINSOK WSP4407 ສໍາລັບການປ້ອງກັນຜົນຜະລິດ PD.
ສະຫລຸບລວມແລ້ວ, ຮູບແບບ WINSOK MOSFET ຕົ້ນຕໍທີ່ໃຊ້ໃນຫຸ່ນຍົນອຸດສາຫະກໍາປະກອບມີ WSP4884, WSD3050DN, WSP4606, WSP4407, ແລະອື່ນໆ ຮູບແບບເຫຼົ່ານີ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນເຄື່ອງສາກໄຮ້ສາຍ, ເຄື່ອງສາກ USB PD, ໂນດບຸກ, ລະບົບການປິດລະບົບເຄືອຂ່າຍ, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກອື່ນໆ.
ເວລາປະກາດ: ກັນຍາ-02-2024
