ໃນປັດຈຸບັນ, ເຄື່ອງພິມ 3 ມິຕິ (ອຸປະກອນການຜະລິດເພີ່ມເຕີມ) ແມ່ນພັດທະນາຢ່າງໄວວາ, ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນດ້ານການຜະລິດ, ການແພດ, ແລະການສຶກສາ.ໃນອະນາຄົດ, ດ້ວຍຄວາມໄວການພິມທີ່ໄວຂຶ້ນ ແລະ ວັດສະດຸທີ່ຫຼາກຫຼາຍ, ການພິມ 3 ມິຕິ ຄາດວ່າຈະມີຄວາມຫຼາກຫຼາຍ ແລະ ແຜ່ຫຼາຍ, ໂດຍສະເພາະໃນການຜະລິດແບບກຳນົດເອງ ແລະ ການຜະລິດໂຄງສ້າງທີ່ສັບສົນ.
ໃນເຄື່ອງພິມ 3 ມິຕິ (ອຸປະກອນການຜະລິດເພີ່ມເຕີມ), ການນໍາໃຊ້ MOSFETs ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະເຊີນກັບສິ່ງທ້າທາຍເຊັ່ນ: ການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ, ໂດຍສະເພາະໃນລະຫວ່າງການພິມທີ່ມີຄວາມໄວສູງ, ຍາວ.ນອກຈາກນັ້ນ,MOSFETs ມີຄວາມອ່ອນໄຫວຕໍ່ກັບການເຫນັງຕີງຂອງແຮງດັນ, ເຊິ່ງສາມາດສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງການພິມ.ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແລະຂະຫນາດແມ່ນຍັງພິຈາລະນາໃນການອອກແບບແລະບໍາລຸງຮັກສາ. ການນໍາໃຊ້WINSOKMOSFET ອາດຈະສາມາດຊ່ວຍທ່ານແກ້ໄຂບັນຫາຂ້າງເທິງ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ WINSOK MOSFET ໃນເຄື່ອງພິມ 3D, ຮູບແບບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕົ້ນຕໍ:
| ເລກສ່ວນ | ການຕັ້ງຄ່າ | ປະເພດ | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | ຊິສ | ຊຸດ | |||
| @10V | |||||||||||
| (ວ) | ສູງສຸດ. | ຕ່ຳສຸດ | ພິມ. | ສູງສຸດ. | ພິມ. | ສູງສຸດ. | (pF) | ||||
| ໂສດ | N-Ch | 30 | 7 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
| ໂສດ | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| ໂສດ | N-Ch | 30 | 43 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | 10 | 12 | 940 | TO-252 | |
| ໂສດ | N-Ch | 30 | 85 | 1 | 1.5 | 2.5 | 4.5 | 5.5 | 2295 | TO-252 | |
| ໂສດ | N-Ch | 30 | ໑໖໐ | 1.5 | 1.9 | 2.5 | 2.3 | 3 | 2450 | TO-252 | |
| ໂສດ | N-Ch | 60 | 50 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | 20 | 23 | 1680 | TO-252 | |
| ໂສດ | N-Ch | 60 | 60 | 1 | 1.8 | 3 | 10 | 12 | 1896 | TO-252 | |
| ໂສດ | N-Ch | 40 | 180 | 2 | 3 | 4 | 3 | 3.6 | 4426 | TO-263 | |
| ໂສດ | N-Ch | 40 | 220 | 2 | 3 | 4 | 2.5 | 3.2 | 5710 | TO-263 | |
ຕົວເລກວັດສະດຸຍີ່ຫໍ້ອື່ນໆທີ່ກົງກັບ WINSOK MOSFET ຂ້າງເທິງແມ່ນ:
ຕົວເລກວັດສະດຸທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງ WINSOK MOSFET WST3400 ແມ່ນ: WST3400AOS AO3400,AO3400A,AO3404.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN4NTDIEL612S.
ຕົວເລກວັດສະດຸທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງ WINSOK MOSFET WSD30100DN56 ແມ່ນ: WSD30100DN56AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.DP30DRP300000 2DP.STMicroelectronics STL65DN3LLH5, STL58N3LLH5.INFINEON,IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG .NXP NXPPSMN7R0-30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEM PK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
ຕົວເລກວັດສະດຸທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງ WINSOK MOSFET WSF3040 ແມ່ນ: WSF3040AOS AOD32326,AOD418,AOD514,AOD516,AOD536,AOD558.Onsemi,FAIRCHILD FDD6296.STMicroelectronics STD.30N.F.D. 45P03M1.PANJIT PJD45N03.Sinopower SM3117NSU,SM3119NAU.NIKO-SEM PD600BA.Potens Semiconductor PDD3910.DINTEK ELECTRONICS DTU40N03.
ຕົວເລກວັດສະດຸທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງ WINSOK MOSFET WSF3085 ແມ່ນ: WSF3085AOS AOD4132,AOD508,AOD518.Onsemi,FAIRCHILD FDD050N03B.STMicroelectronics STD100N3LF3.INFINEON,030JIPLD3,IRD10J0G3N1,IRD030000000000 5N03.Sinopower SM3106NSU.NIKO-SEM PD548BA.Potens Semiconductor PDD3906.DINTEK ELECTRONICS DTU50N03 .
ຕົວເລກວັດສະດຸທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງ WINSOK MOSFET WSF30160 ແມ່ນ: WSF30160Onsemi,FAIRCHILD FDD8870.INFINEON,IR IRLR7843.
ຕົວເລກວັດສະດຸທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງ WINSOK MOSFET WSF40N06 ແມ່ນ: WSF40N06AOS AOD2606,AOD2610E,AOD442G,AOD66620.Onsemi,FAIRCHILD FDD10AN06A0.VISHAY SUD50N0N06.09L. D079N06L3G.TOSHIBA TK45S06K3L.PANJIT PJD45N06A.Sinopower SM6019NSU.Potens Semiconductor PDD6904. DINTEK ເອເລັກໂຕຣນິກ DTU50N06.
ຕົວເລກວັດສະດຸທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງ WINSOK MOSFET WSF60N06 ແມ່ນ: WSF60N06AOS AOD2606, AOD2610E, AOD442G, AOD66620.STMicroelectronics STD20NF06LAG,STD20NF06BANK.06.INFINER. JIT PJD60N06.Potens Semiconductor PDD6960.DINTEK ELECTRONICS DTU55N06.
ຕົວເລກວັດສະດຸທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງ WINSOK MOSFET WSK180N04 ແມ່ນ: WSK180N04AOS AOB1404L,AOB2140L,AOB2144L.STMicroelectronics STH160N4LF6-2.Nxperian PSMN1R1-40BStenx1. 4960.
ຕົວເລກວັດສະດຸທີ່ສອດຄ້ອງກັນຂອງ WINSOK MOSFET WSK220N04 ແມ່ນ: WSK220N04AOS AOB1404L,AOB2140L,AOB2144L.Onsemi,FAIRCHILD FDB8443.STMicroelectronics STB55NF06L.Potens.P.H.
ເວລາປະກາດ: ວັນທີ 01-01-2023
